一种栅极下方具有P型空间层的SiC LIGBT及制备方法技术

本发明专利技术提供一种栅极下方具有P型空间层的SiC LIGBT及制备方法，该SiC LIGBT包括：P型空间层；所述P型空间层位于栅极与漂移层之间，并与栅极氧化层、N+区、P+区和漂移层邻接。本发明专利技术在沟槽栅极下方引入了P型空间层，因为P型空间层的厚度很薄，所以当栅极接正电压的时候，在较低的栅极电压下就会在P型空间层形成反型层，从而形成从发射极到N+区，从N+区到P型空间层，从P型空间层到漂移层最后到集电极的导电通路，栅极氧化层与碳化硅界面迁移率低，电阻大，导电通路短路了栅极氧化层的界面沟道，从而降低了SiC LIGBT的导通电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种栅极下方具有p型空间层的sic ligbt及制备方法。

技术介绍

1、igbt(insulated gate bipolar transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(bjt)和金属氧化物场效应晶体管(mosfet)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心器件，也是目前mos-双极型功率器件的主要发展方向之一。igbt不仅具有mosfet输入阻抗高、栅极易驱动等特点，而且具有双极型晶体管电流密度大、功率密度高等优势，已广泛应用于轨道交通、新能源汽车、智能电网、风力发电等高电压、大电流的领域，以及微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等低功率家用电器领域。igbt的驱动方法和mosfet 基本相同，igbt也是一个三端器件，正面有两个电极，分别为发射极(emitter)和栅极(gate)，背面为集电极(collector);在正向工作状态下，发射极接地或接负压，集电极接正压，两电极间电压vce>0，因此igbt的发射极和集电极又分别称为阴极(cathode)本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种栅极下方具有P型空间层的SiC LIGBT，其特征在于，包括：P型空间层；

2.根据权利要求1所述的一种栅极下方具有P型空间层的SiC LIGBT，其特征在于，所述P型空间层的厚度为80-100nm。

3.根据权利要求1所述的一种栅极下方具有P型空间层的SiC LIGBT，其特征在于，还包括：BOX层；

4.根据权利要求1所述的一种栅极下方具有P型空间层的SiC LIGBT，其特征在于，所述P型空间层的掺杂浓度为5×1015至1016cm-3。

5.根据权利要求3所述的一种栅极下方具有P型空间层的SiC LIGBT，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种栅极下方具有p型空间层的sic ligbt，其特征在于，包括：p型空间层；

2.根据权利要求1所述的一种栅极下方具有p型空间层的sic ligbt，其特征在于，所述p型空间层的厚度为80-100nm。

3.根据权利要求1所述的一种栅极下方具有p型空间层的sic ligbt，其特征在于，还包括：box层；

4.根据权利要求1所述的一种栅极下方具有p型空间层的sic ligbt，其特征在于，所述p型空间层的掺杂浓度为5×1015至1016cm-3。

5.根据权利要求3所述的一种栅极下方具有p型空间层的sic ligbt，其特征在于，所述box层的厚度为1um。

6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔凯，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：