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本发明提供一种栅极下方具有P型空间层的SiC LIGBT及制备方法，该SiC LIGBT包括：P型空间层；所述P型空间层位于栅极与漂移层之间，并与栅极氧化层、N+区、P+区和漂移层邻接。本发明在沟槽栅极下方引入了P型空间层，因为P型空间层的...
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