【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体设备，具体涉及一种单晶炉及其埚托。
技术介绍
1、在现有技术的单晶炉中，埚邦与埚托的装配方式为埚邦嵌套在埚托上。在拉晶的过程中，炉内高温氧化物气体会经由埚邦和埚托的装配间隙腐蚀埚邦和埚托的装配位置，导致埚邦和埚托使用一段时间后装配位置缝隙变大，增加半导体泄露的风险。
2、因此，如何减少高温氧化物气体对埚邦与埚托装配间隙位置处的腐蚀，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本技术提供一种单晶炉及其埚托，以至少部分解决现有技术中存在的技术问题。
2、本技术提供一种单晶炉的埚托，包括：底座和防护圈，所述底座划分为碗状部、环绕所述碗状部的凸起部和环绕所述凸起部的外围部；所述碗状部的上表面呈碗状；所述凸起部高于所述外围部；所述防护圈设置在所述外围部上，所述防护圈与所述凸起部沿所述底座的径向具有间隙，所述防护圈向上延伸而形成环形的侧墙，所述侧墙高于所述凸起部。
3、可选地，所述底座和所述防护圈为一体结构。
4、可选地，所述底座和所述防护圈为拼接结构。
5、可选地，所述凸起部的顶部呈环形的尖角状。这是为了便于实现坩埚、埚邦和埚托三者交界处缝隙尽量小。
6、可选地，所述外围部呈平板状，所述防护圈与所述外围部的外周面和顶表面的外围区域接触。如此设计，埚托结构简单，制造工艺简单。
7、本技术提供一种单晶炉，包括前述的埚托、由所述埚托的碗状部支撑的坩埚、设置在所述坩埚的外周面与所述防护
8、可选地，所述坩埚、所述埚邦和所述底座三者交界处无缝接触。
9、可选地，还包括环绕所述埚邦的上部区域的主加热器。
10、可选地，以所述坩埚的最低点为参考，所述防护圈的顶表面的高度小于所述坩埚的高度的一半。这足以对埚邦与埚托的交界处进行足够的保护。
11、可选地，所述单晶炉为单晶硅炉。
12、防护圈用于遮挡埚邦与埚托的装配区域以及埚邦的下部区域。这一方面有助于防止埚邦和埚托在二者的装配位置处被高温氧化物气体腐蚀，另一方面可有效避免埚邦下部区域被高温氧化物腐蚀，提高埚邦和埚托的使用寿命。同时，因埚邦下部区域被防护圈遮挡，使得主加热器发热区辐射到坩埚下部区域的热量减少。这样一方面降低坩埚r角处坩埚与工艺液体(例如硅液)的反应速率。以硅单晶拉制工艺为例，可降低石英坩埚与硅液反应而释放的氧，同时能够增大坩埚纵向(即竖直方向)温度梯度，使得坩埚上部高温区工艺液体会向下部低温区对流，抑制坩埚上部高温区含氧硅液从坩埚边缘向中心的径向扩散，避免含氧硅液进入晶体生长界面，从而有助于降低晶体硅中氧含量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种单晶炉的埚托，其特征在于，包括：底座和防护圈，所述底座划分为碗状部、环绕所述碗状部的凸起部和环绕所述凸起部的外围部；所述碗状部的上表面呈碗状；所述凸起部高于所述外围部且所述凸起部的内周面与所述碗状部的上表面共面；所述防护圈设置在所述外围部上，所述防护圈与所述凸起部沿所述底座的径向具有间隙，所述防护圈向上延伸而形成环形的侧墙，所述侧墙高于所述凸起部。
2.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于，所述底座和所述防护圈为一体结构。
3.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于，所述底座和所述防护圈为拼接结构。
4.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于，所述凸起部的顶部呈环形的尖角状。
5.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于，所述外围部呈平板状，所述防护圈与所述外围部的外周面和顶表面的外围区域接触。
6.一种单晶炉，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的埚托、由所述埚托的碗状部支撑的坩埚、设置在所述坩埚的外周面与所述防护圈的侧墙的内周面之间且由所述埚托支撑的埚邦，所述埚邦的内周面与所述坩埚的外周面贴合，所述埚邦的外周面
7.根据权利要求6所述的单晶炉，其特征在于，所述坩埚、所述埚邦和所述底座三者交界处无缝接触。
8.根据权利要求6所述的单晶炉，其特征在于，还包括环绕所述埚邦的上部区域的主加热器。
9.根据权利要求6所述的单晶炉，其特征在于，以所述坩埚的最低点为参考，所述防护圈的顶表面的高度小于所述坩埚的高度的一半。
10.根据权利要求6所述的单晶炉，其特征在于，所述单晶炉为单晶硅炉。
...【技术特征摘要】
1.一种单晶炉的埚托，其特征在于，包括：底座和防护圈，所述底座划分为碗状部、环绕所述碗状部的凸起部和环绕所述凸起部的外围部；所述碗状部的上表面呈碗状；所述凸起部高于所述外围部且所述凸起部的内周面与所述碗状部的上表面共面；所述防护圈设置在所述外围部上，所述防护圈与所述凸起部沿所述底座的径向具有间隙，所述防护圈向上延伸而形成环形的侧墙，所述侧墙高于所述凸起部。
2.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于，所述底座和所述防护圈为一体结构。
3.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于，所述底座和所述防护圈为拼接结构。
4.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于，所述凸起部的顶部呈环形的尖角状。
5.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于，所述外围部呈平板状，所述防护圈与所述外围部...
【专利技术属性】
技术研发人员：王新强，周涛，
申请(专利权)人：双良硅材料包头有限公司，
类型：新型
国别省市：
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