【技术实现步骤摘要】
本文涉及存储器，尤指一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法。
技术介绍
1、igzo(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)半导体薄膜具有较高的载流子迁移率和非常低的漏电流，在存储器领域，具有非常广阔的前景。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，使得获得的铟镓锌氧化物薄膜稳定性好、均一性好，且该方案具有良好的可重复性，利于实现规模化生产，有效降低溅射粒子对衬底表面造成的损伤。
2、本申请实施例提供了一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，所述方法可以包括：
3、准备衬底和铟镓锌氧化物靶材置于腔室内；
4、在所述腔室内通过磁控溅射法在衬底上形成所述铟镓锌氧化物的薄膜，所述薄膜的厚度范围为0.1纳米-100纳米，所述薄膜的沉积速率范围为0.1埃/秒-90埃/秒；
5、其中，通过直流和射频共溅射工艺形成所述薄膜，或者通过直流脉冲溅射工艺形成所述薄膜。
6、在本申请的示例性实施例中，所述通过直流和射频共溅射工艺形成所述薄膜，可以包括：通过调节射频频率、射频功率和直流功率来调节所述薄膜的沉积速率和厚度。
7、在本申请的示例性实施例中，所述射频频率可以包括：2-15兆赫兹；
8、所述射频功率可以包括：0-500瓦；
9、所述直流功率可以包括：0-22000瓦。
10、在本申请的示例性实施例中，所述通过直流脉冲溅射工艺形成所述薄膜，可以包括：通过
11、在本申请的示例性实施例中，
12、所述直流脉冲的功率可以包括：0-22000瓦；
13、所述直流脉冲的频率可以包括：100赫兹-500千赫兹；
14、所述直流脉冲的占空比可以包括：0-90％。
15、在本申请的示例性实施例中，所述方法还可以包括：
16、在所述薄膜沉积过程中，通入惰性气体和氧气。
17、在本申请的示例性实施例中，所述方法还可以包括：
18、通过调节所述腔室内的压力，以及所述惰性气体和所述氧气的流量，控制所述铟镓锌氧化物薄膜内部的氧空位缺陷；
19、在本申请的示例性实施例中，所述惰性气体的流量范围可以包括：50标准毫升/分-500标准毫升/分；
20、所述氧源气体的流量范围可以包括：1标准毫升/分-50标准毫升/分；
21、所述腔室的压力保持范围可以包括：0.1帕-1帕。
22、在本申请的示例性实施例中，所述衬底设置在基座上，所述衬底背离所述薄膜的一侧与所述基座的表面接触；所述方法还包括：
23、通过调节所述基座的表面温度调节所述衬底的温度；所述衬底的温度变化用以调节所述薄膜的电阻率和应力；
24、所述衬底的温度范围可以包括：20℃-400℃。
25、在本申请的示例性实施例中，所述方法还可以包括：
26、在所述薄膜沉积完成后，在含有氧气环境下对所述薄膜进行热退火处理。
27、在本申请的示例性实施例中，所述氧源气体的占比为100％；
28、所述热处理的温度范围可以包括100℃-400℃；
29、所述热处理的处理时长可以包括5分钟-3小时。
30、与相关技术相比，本申请实施例可以包括：准备衬底和铟镓锌氧化物靶材置于腔室内；在所述腔室内通过磁控溅射法在衬底上形成所述铟镓锌氧化物的薄膜，所述薄膜的厚度范围为0.1纳米-100纳米，所述薄膜的沉积速率范围为0.1埃/秒-90埃/秒；其中，通过直流和射频共溅射工艺形成所述薄膜，或者通过直流脉冲溅射工艺形成所述薄膜。该实施例方案使得获得的铟镓锌氧化物薄膜稳定性好、均一性好，且该方案具有良好的可重复性，利于实现规模化生产，有效降低溅射粒子对衬底表面造成的损伤。
31、本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
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1.一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述通过直流和射频共溅射工艺形成所述薄膜，包括：通过调节射频频率、射频功率和直流功率来调节所述薄膜的沉积速率和厚度。
3.根据权利要求2所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述通过直流脉冲溅射工艺形成所述薄膜，包括：通过对直流脉冲的脉冲周期、功率和占空比进行调节来调节所述薄膜的沉积速率和厚度。
5.根据权利要求4所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，
6.根据权利要求1-5任意一项所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求1-5任意一项所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述衬底设置在基座上，所述衬底背离所述薄膜的一侧与所述基座的表面接触；所述方法还包括：>
9.根据权利要求1-5任意一项所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
10.根据权利要求9所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述热退火处理的处理时长包括5分钟-3小时。
...【技术特征摘要】
1.一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述通过直流和射频共溅射工艺形成所述薄膜，包括：通过调节射频频率、射频功率和直流功率来调节所述薄膜的沉积速率和厚度。
3.根据权利要求2所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述通过直流脉冲溅射工艺形成所述薄膜，包括：通过对直流脉冲的脉冲周期、功率和占空比进行调节来调节所述薄膜的沉积速率和厚度。
5.根据权利要求4所述的铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：田超，孙红波，王桂磊，周俊，平延磊，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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