一种基于高带宽互联技术的半导体器件制造技术

本申请提供一种基于高带宽互联技术的半导体器件，包括：多个主控单元，各主控单元通过第一互连结构两两通信连接；主控单元包括SoC模块和IO模块；SoC模块包括一个SoC芯粒，IO模块包括一个底层IO芯粒及至少一个位于底层IO芯粒上方并与底层IO芯粒堆叠互联的扩展IO芯粒；对于任一目标IO芯粒，包括自身的微凸块和目标IO芯粒上方堆叠互联的全部扩展IO芯粒的微凸块；对于任一通信连接的主控单元对，主控单元对中第一和第二主控单元的扩展IO芯粒的数量是基于第一与第二主控单元的传输带宽确定的，能在增加互联带宽的同时最大限度降低Die面积，尽可能避免流片良率和晶圆利用率降低，基板成本升高的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种基于高带宽互联技术的半导体器件。

技术介绍

1、半导体行业中，由于芯片成本的增大和晶体管数量的增多，芯片复杂度的提高正在放缓。当工艺普遍进入纳米级别后，摩尔定律已经不再适用。以英特尔cpu演化历史为例，每颗芯片上集成的晶体管数量尽管在持续增加，但时钟频率的提升已非常艰难，散热能力限制带来的功耗墙同样明显，此外，从商业维度看，随着先进制程芯片研发制造成本飙升，晶体管单位成本的下降也难以为继。为了克服上述问题，chiplet技术应运而生，chiplet技术是把单个大硅片“切”成多个再从封装级组装起来。单个硅片上的布线密度和信号传输质量远远高于chiplet之间，因此需要发展出高密度、大带宽布线的“先进封装技术”，以尽可能提升多个chiplet之间布线的数量并提升信号传输质量。在chiplet应用中，die to die的高速互联成为业界必须解决的一个环节。

2、图1为现有的die to die互联模式示意图。其中，rx指接收端，tx指发送端，die1指芯粒1，die2指芯粒2，module指模块，main band指主本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于高带宽互联技术的半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于高带宽互联技术的半导体器件，其特征在于，对于任一目标IO芯粒，所述目标IO芯粒还包括与微凸块成对设置的硅通孔。

3.根据权利要求2所述的基于高带宽互联技术的半导体器件，其特征在于，对于任一主控单元，IO模块中的底层IO芯粒和扩展IO芯粒通过硅通孔和微凸块实现堆叠互联。

4.根据权利要求3所述的基于高带宽互联技术的半导体器件，其特征在于，所述底层IO芯粒和扩展IO芯粒通过硅通孔和微凸块实现堆叠互联，具体包括：

5.根据权利要求1所述的基于高带宽互联技术的半...

【技术特征摘要】

1.一种基于高带宽互联技术的半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于高带宽互联技术的半导体器件，其特征在于，对于任一目标io芯粒，所述目标io芯粒还包括与微凸块成对设置的硅通孔。

3.根据权利要求2所述的基于高带宽互联技术的半导体器件，其特征在于，对于任一主控单元，io模块中的底层io芯粒和扩展io芯粒通过硅通孔和微凸块实现堆叠互联。

4.根据权利要求3所述的基于高带宽互联技术的半导体器件，其特征在于，所述底层io芯粒和扩展io芯粒通过硅通孔和微凸块实现堆叠互联，具体包括：

5.根据权利要求1所述的基于高带宽互联技术的半导体器件，其特征在于，对于任一主控单元，soc芯粒包括对应的微凸块，soc芯粒的第一目标微凸块通过第一互连结构中的走线与底层io芯粒的对应微凸块连接。

6.根据权利要求5所述的基于高带宽互联技术的半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓阳，刘付龙，何亚军，
申请(专利权)人：北京奎芯集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：