半导体器件的斜沟槽的制备方法技术

本申请提供一种半导体器件的斜沟槽的制备方法，包括：S11提供半导体工件；S12在半导体工件上形成光阻层；S13对S12的产品进行第一次蚀刻处理形成延伸入硅衬底的凹槽；S14通入第一六氟化硫和第一八氟环丁烷，第一八氟环丁烷发生反应，在凹槽内形成聚合物层；S15通入第二六氟化硫与位于凹槽的底部的聚合物层反应，以暴露硅衬底；S16通入第三六氟化硫并与裸露的硅衬底反应；S17重复S14‑S16直至形成具有扩宽部及设置于扩宽部两侧的收窄部和底槽部的沟槽，收窄部位于沟槽靠近绝缘层的一侧，扩宽部的直径大于收窄部以及底槽部的直径；S18采用等离子体方法进行蚀刻修复处理，以形成内壁具有氟化物层的斜沟槽，斜沟槽的直径从开口往底部递减，以提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件的斜沟槽的制备方法。

技术介绍

1、半导体器件通常由多层膜层结构堆叠形成，膜层结构之间或者膜层结构与外部的其它结构连接等，通常是通过在膜层结构之间形成沟槽或通孔，通过在通孔或沟槽中填充连接结构以与对应结构连接，现有的通孔或沟槽的形状通常制备成垂直形貌和倾斜形貌，但采用现有的方法制备倾斜形貌的通孔或沟槽，其深宽比较低，无法满足后续填孔工艺的要求，从而影响器件的性能。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种半导体器件的斜沟槽的制备方法，以提高半导体器件的性能。

2、本申请提供一种半导体器件的斜沟槽的制备方法，包括：

3、s11：提供至少一半导体工件，所述半导体工件包括硅衬底以及设置于所述硅衬底上的绝缘层；

4、s12：在所述半导体工件上形成光阻层；

5、s13：对所述半导体工件以及所述光阻层进行第一次蚀刻处理，以形成贯穿所述光阻层以及所述绝缘层并延伸入所述硅衬底的凹槽；

6、s14：向具有所述凹槽的所述半导体工件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，所述S13之后，所述S14之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，在位于所述绝缘层以及所述光阻层的所述凹槽的侧壁上沉积聚合物膜的沉积时间大于或等于30s，所述第一八氟环丁烷进行反应的时间为0.4-0.5s。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，所述第一六氟化硫的体积流量为10-25sccm，第一八氟环丁烷的体积流量为150-300sccm。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，所述s13之后，所述s14之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，在位于所述绝缘层以及所述光阻层的所述凹槽的侧壁上沉积聚合物膜的沉积时间大于或等于30s，所述第一八氟环丁烷进行反应的时间为0.4-0.5s。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，所述第一六氟化硫的体积流量为10-25sccm，第一八氟环丁烷的体积流量为150-300sccm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，所述s18中，包括：向具有所述沟槽的所述半导体工件中通入惰性气体、三氟化氮以及四氟化碳进行蚀刻修复处理，以形成斜沟槽，所述斜沟槽的内壁具有氟化物层，自所述绝缘层朝向所述硅衬底的方向上，所述斜沟槽的直径递减。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，所述惰性气体的体积流量为190-210sccm，所述三氟化氮的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王秀金，王宇，陈勇树，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：