一种DRAM芯片DDR5大容量内存条制造技术

本技术提供一种DRAM芯片DDR5大容量内存条，包括：基板；运行芯片模块设置在基板的A面上；DRAM动态随机存取存储器设置在基板与运行芯片模块相反的B面上；控制芯片穿设在基板A面上位于运行芯片模块正中与运行芯片模块相连；所述连接读取装置设置在基板上，位于基板远离PMIC供电模块和DRAM动态随机存取存储器的一端。本技术在基板的A面的运行芯片模块中一个闪存交换芯片对应处理两个运行芯片的数据传输增加了数据传输速度并提高了稳定性与安全性，在基板的B面中的DRAM动态随机存取存储器中20个DRAM芯片串联设置极大的提高的内存条的容量由4个数据缓存芯片输入数据并不会因为DRAM芯片容量的增大而降低内存条的运行速度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体领域，尤其是涉及内存条，具体为一种dram芯片ddr5大容量内存条。

技术介绍

1、各类互联网技术的不断发展，云存储数据量不断提高，高端服务器及一些图形处理站上对内存处理数据准确性以及容量的要求不断提高，随着数据存储量及存储速度要求的不断提升，传统的服务器负载量已经达到极限。特别是服务器内存容量因为负载限制，已经无法大幅度提升，并且传统服务器内存由于其工作原理，需要不停的进行自刷新，导致其功耗巨大，同时服务器各器件散热问题，需要更为强大的热处理设备，否则服务器的稳定性将收到极限挑战。

2、本着满足服务器在高速度低功耗的高指标要求，突破现有服务器内存架构模式，需开发一款大容量，低错率，新型低负载大容量的ddr5服务器内存。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种dram芯片ddr5大容量内存条，用于解决现有技术的难点。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种dram芯片ddr5大容量内存条，包括：

3、基板1；

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【技术保护点】

1.一种DRAM芯片DDR5大容量内存条，其特征在于，包括：基板(1)；

2.根据权利要求1所述的DRAM芯片DDR5大容量内存条，其特征在于，所述运行芯片模块(2)包括：

3.根据权利要求2所述的DRAM芯片DDR5大容量内存条，其特征在于，所述运行芯片(201)设置有12块，呈6列2排放置，12块所述运行芯片(201)之间串联设置并与控制芯片(4)相连，6列所述运行芯片(201)，每一列运行芯片(201)与下放对应设置的闪存交换芯片(202)相连。

4.根据权利要求3所述的DRAM芯片DDR5大容量内存条，其特征在于，所述DRAM动态随机存取存储器...

【技术特征摘要】

1.一种dram芯片ddr5大容量内存条，其特征在于，包括：基板(1)；

2.根据权利要求1所述的dram芯片ddr5大容量内存条，其特征在于，所述运行芯片模块(2)包括：

3.根据权利要求2所述的dram芯片ddr5大容量内存条，其特征在于，所述运行芯片(201)设置有12块，呈6列2排放置，12块所述运行芯片(201)之间串联设置并与控制芯片(4)相连，6列所述运行芯片(201)，每一列运行芯片(201)与下放对应设置的闪存交换芯片(202)相连。

4.根据权利要求3所述的dram芯片ddr5大容量内存条，其特征在于，所述dram动态随机存取存储器(3)包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈泽斌，陈兵，尚静，
申请(专利权)人：海太半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：