【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁阀控制，特别涉及一种高速电磁阀的驱动控制电路及控制方法。
技术介绍
1、高速电磁阀为快速响应式开关电磁阀，在航空发动机燃油流量控制系统中是电子与机械液压机构间理想的接口元件。其基本工作状态包括阀全开或阀全关两种状态：通过改变“单位时间”内的阀全开时间与阀全关时间的比例，即可实现对“单位时间”内的介质通过量进行控制，从而实现对通过该阀介质流量的控制。
2、现有技术中，对高速电磁阀的驱动控制方式为：将高速电磁阀的频率固定为40hz，通过调节占空比来驱动高速电磁阀。
3、上述现有技术存在的缺陷是：对于高速电磁阀的驱动仅通过占空比这一个因素控制，控制方式过于简单，导致高速电磁阀对燃油压力、流量控制的精度低。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种高速电磁阀的驱动控制电路及控制方法。
2、本专利技术实施例提供一种高速电磁阀的驱动控制电路及控制方法，包括：
3、电流采集电路，其包括：采集电阻r15连接放大电路，所述采集电阻r15采集电流，通过所述放大电路将采集到的电流放大后送入电压调整器lm325生成电流载波信号；所述电流载波信号由i_out1_v输出，经过电阻r103输入到控制单元的第一反向输入端ina-；
4、控制电路，其包括：所述控制单元的第二反向输入端inb-连接电阻r104的一端，所述电阻r104的另一端连接输入端口en1，所述输入端口en1的输入为ttl信号；所述控制单元的第二输出端o
5、所述控制单元的第一反向输入端ina-通过所述电阻r103连接与门逻辑单元的pwm_d1ab引脚，所述控制单元的第一输出端outa连接pmos管q1，通过所述pmos管q1连接v1_outr端控制高速电磁阀的高边输出；
6、通过控制单元内部电平信号高低状态的变化控制所述pmos管q1和所述nmos管q2的闭合状态，分别对高速电磁阀的高边输出和低边输出进行控制，实现对高速电磁阀的驱动控制。
7、另外的，所述放大电路包括：放大单元、电阻r16、电阻r17、电容c21、电容c22、电容c23、电容c48、电容c49、vcc1+15v、vcc2+15v、vcc1-15v、vcc2-15v；所述放大单元的pin1连接所述电阻r16的一端，所述电阻r16的另一端连接所述放大单元的pin8；
8、所述放大单元的pin7分别连接所述vcc1+15v、所述电容c48的一端，所述电容c48的另一端接地；所述放大单元的pin4分别连接所述vcc1-15v、所述电容c49的一端，所述电容c49的另一端接地；
9、所述放大单元的pin2与pin5接地，所述放大单元的pin3连接采集电阻r15；所述放大单元的pin6连接所述电阻r17的一端，所述电阻r17的另一端分别连接电容c21的一端、所述电压调整器lm325的正输入端；
10、所述电容c21的另一端接地，所述电压调整器lm325的负输入端与其输出端相连，所述电压调整器lm325的输出端连接i_out1_v；所述电压调整器lm325的端口8分别连接所述vcc2+15v、所述电容c22的一端，所述电容c22的另一端接地；所述电压调整器lm325的端口4分别连接所述vcc2-15v、所述电容c23的一端，所述电容c23的另一端接地。
11、另外的，所述低边输出包括：所述nmos管q2的g极连接电阻r11的一端，所述电阻r11的另一端连接所述nmos管q2的s极；所述nmos管q2的d极分别连接v1_outs端、高频开关二极管d7一端；所述高频开关二极管d7的另一端连接电源vcc。
12、另外的，所述高边输出包括：所述pmos管q1的g极连接电阻r14的一端，所述电阻r14的另一端连接所述pmos管q1的s极；所述pmos管q1的d极分别连接整流二极管d6的一端、v1_outr端，所述整流二极管d6的另一端连接gnd_s。
13、另外的，还包括电阻分压电路，其包括：电阻r101，电阻r102，+5v电源；所述电阻r101的一端连接所述+5v电源，所述电阻r101的另一端分别连接所述控制单元的正向输入端ina+与所述电阻r102一端，所述电阻r102另一端接地。
14、另外的，还包括载波逻辑运算模块电路，其包括：所述与门逻辑单元、电容c59、+5v电源；所述与门逻辑单元的vdd端分别连接所述电容c59的一端、所述+5v电源，所述电容c59的另一端接地。
15、另外的，一种控制方法包括：
16、输入端口en1输入ttl信号，通过电阻r104输入到控制单元的第二反向输入端inb-，pmos管q1、nmos管q2均闭合，导致ttl信号变为高电平；
17、ttl信号变为高电平，控制单元的第二输出端outb输出低电平信号，驱动nmos管q2导通；
18、采集电阻r15采集电流，通过所述放大电路将采集到的电流放大后送到电压调整器lm325生成电流载波信号，电流载波信号由i_out1_v输出，经过电阻r103输入到控制单元的第一反向输入端ina-；电流载波信号为高电平，控制单元的第一输出端outa输出低电平信号，驱动pmos管q1导通；
19、nmos管q2与pmos管q1均导通，高速电磁阀线圈两端加载vcc电压，高速电磁阀的工作电流快速升到强击电流或维持电流以上，与门逻辑单元的pwm_d1ab引脚的输出电平变成低电平，pmos管q1闭合；
20、高速电磁阀内储存的电能电流进行续流，工作的电流会斜波下降，下降到低于维持电流时，与门逻辑单元的pwm_d1ab引脚的输出电平变成高电平，pmos管q1导通；
21、ttl信号占空比pvm极低时，pmos管q1与nmos管q2同时闭合，高速电磁阀会快速关断，等待下个周期执行。
22、另外的，与门逻辑单元的pwm_d1ab引脚的输出电平变成低电平，pmos管q1闭合后，高速电磁阀内储存的电流从低边输出电路的v1_outs端经过nmos管q2、采集电阻r15、gnd_s、整流二极管d6、高边输出电路的v1_outr端引脚完成续流。
23、本专利技术实施例提供的上述一种高速电磁阀的驱动控制电路及控制方法，与现有技术相比，其有益效果如下：
24、控制单元的第一输出端outa连接pmos管q1，通过pmos管q1控制高速电磁阀的高边输出；所述控制单元的第二输出端outb连接nmos管q2，通过nmos管q2控制高速电磁阀的低边输出；通过控制单元内部电平信号高低状态的变化控制pmos管q1和nmos管q2的闭合状态，从而实现高速电磁阀快速通断，激励电流续流与快速关断，大大提高高速电磁阀对燃油压力、流量控制的精确性。
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1.一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，所述放大电路包括：放大单元、电阻R16、电阻R17、电容C21、电容C22、电容C23、电容C48、电容C49、VCC1+15V、VCC2+15V、VCC1-15V、VCC2-15V；所述放大单元的PIN1连接所述电阻R16的一端，所述电阻R16的另一端连接所述放大单元的PIN8；
3.如权利要求1所述的一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，所述低边输出包括：所述NMOS管Q2的G极连接电阻R11的一端，所述电阻R11的另一端连接所述NMOS管Q2的S极；所述NMOS管Q2的D极分别连接V1_OUTS端、高频开关二极管D7一端；所述高频开关二极管D7的另一端连接电源VCC。
4.如权利要求1所述的一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，所述高边输出包括：所述PMOS管Q1的G极连接电阻R14的一端，所述电阻R14的另一端连接所述PMOS管Q1的S极；所述PMOS管Q1的D极分别连接整流二极管D6的一端、V1_OUTR端，所
5.如权利要求1所述的一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，还包括电阻分压电路，其包括：电阻R101、电阻R102、+5V电源；所述电阻R101的一端连接所述+5V电源，所述电阻R101的另一端分别连接所述控制单元的正向输入端INA+与所述电阻R102一端，所述电阻R102另一端接地。
6.如权利要求1所述的一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，还包括载波逻辑运算模块电路，其包括：所述与门逻辑单元、电容C59、+5V电源；所述与门逻辑单元的VDD端分别连接所述电容C59的一端、所述+5V电源，所述电容C59的另一端接地。
7.一种基于权利要求1～6任一所述的高速电磁阀的驱动控制电路的控制方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的一种控制方法，其特征在于，与门逻辑单元的PWM_D1AB引脚的输出电平变成低电平，PMOS管Q1闭合后，高速电磁阀内储存的电流从低边输出电路的V1_OUTS端经过NMOS管Q2、采集电阻R15、GND_S、整流二极管D6、高边输出电路的V1_OUTR端引脚完成续流。
...【技术特征摘要】
1.一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，所述放大电路包括：放大单元、电阻r16、电阻r17、电容c21、电容c22、电容c23、电容c48、电容c49、vcc1+15v、vcc2+15v、vcc1-15v、vcc2-15v；所述放大单元的pin1连接所述电阻r16的一端，所述电阻r16的另一端连接所述放大单元的pin8；
3.如权利要求1所述的一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，所述低边输出包括：所述nmos管q2的g极连接电阻r11的一端，所述电阻r11的另一端连接所述nmos管q2的s极；所述nmos管q2的d极分别连接v1_outs端、高频开关二极管d7一端；所述高频开关二极管d7的另一端连接电源vcc。
4.如权利要求1所述的一种高速电磁阀的驱动控制电路，其特征在于，所述高边输出包括：所述pmos管q1的g极连接电阻r14的一端，所述电阻r14的另一端连接所述pmos管q1的s极；所述pmos管q1的d极分别连接整流二极管d6的一端、v1_outr端，所述整流...
【专利技术属性】
技术研发人员：王志军，陈琪，田亮，
申请(专利权)人：西安康创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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