【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种无掩模曝光装置和一种显示装置。
技术介绍
1、一般来说，为了形成包括作为显示基底的开关元件的薄膜晶体管(“tft”)和信号线的金属图案，在显示基底上依次形成金属层和光致抗蚀剂层，并且在光致抗蚀剂层上设置具有与金属图案相对应的形状的掩模。
2、随后，从掩模上方提供光以对光致抗蚀剂层进行曝光和显影，从而形成与掩模的形状相对应的光致抗蚀剂图案。金属图案可以通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止膜蚀刻金属层来形成。
3、然而，在包括多个金属图案的显示基底的情况下，各金属图案的形状彼此不同，并且因此，需要根据金属图案的数量的多个掩模。另外，每当多个金属图案中的每一个的形状被改变时，掩模的形状也应被改变，并且因此，掩模应重新制造。掩模的制造成本相当高，这导致显示基底的生产成本增加。
技术实现思路
1、为了解决这样的问题，已经使用了能够将多个光束提供到基底而不使用掩模的无掩模曝光装置。无掩模曝光装置可以通过单独开启/关闭光束以选择性地将光束提供到基底来形成所需的光致抗蚀剂图案。
2、本公开的各方面提供了能够缓解在当通过简单结构的无掩模曝光装置执行曝光时发生的斜向污点(oblique stain)的无掩模曝光装置。
3、然而，本公开的各方面并不限于本文中所阐述的各方面。本公开的上述和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员来说，通过参考下面给出的本公开的详细描述将变得更加明显。
4、根据本公开的一方面，提供一种无掩模曝光装置，所
5、所述控制单元可以将根据累积光量调节所述多个开启/关闭点的布置和开启状态或关闭状态的所述曝光图案传送到所述光调制器。
6、已调制的所述曝光光束和所述累积光量可以分别提供为多个，并且所述曝光图案可以减小照射到设置在所述基底上的多个图案的已调制的所述曝光光束的所述累积光量之间的偏差。
7、在截面图中，所述多个对准区域中的每一个的宽度和所述多个失准区域中的每一个的宽度可以彼此相同。
8、所述多个开启/关闭点之中的彼此相邻的开启/关闭点之间的距离可以为大约0.01微米(μm)至大约1.0μm。
9、已调制的所述曝光光束可以提供为多个，并且所述控制单元可以接收来自所述位置确定单元的所述相对位置数据并且确认设置在所述基底上的图案的信息，并且在所述基底在扫描方向上移动的扫描工艺中，所述控制单元可以确定照射到设置在所述基底上的所述图案的已调制的所述曝光光束的累积光量。
10、所述控制单元可以生成改变所述多个开启/关闭点的开启状态或关闭状态的所述曝光图案，使得所述累积光量之间的偏差减小。
11、所述光调制器可以根据所述曝光图案调制所述曝光光束。
12、所述多个对准区域中的每一个可以包括彼此相邻设置的第一对准区域和第二对准区域，所述多个失准区域中的一个失准区域在所述第一对准区域和所述第二对准区域之间，并且所述第一对准区域的中心点和所述第二对准区域的中心点之间的距离可以是所述第一对准区域和所述第二对准区域之间的最短距离的两倍。
13、所述第一对准区域的宽度可以与在所述第一对准区域和所述第二对准区域之间的所述最短距离相同。
14、所述多个开启/关闭点之中的在所述第一对准区域中的开启/关闭点的布置可以与所述多个开启/关闭点之中的在所述第二对准区域中的开启/关闭点的布置不同。
15、所述多个开启/关闭点中的每一个，当所述开启/关闭点在曝光工艺中与设置在所述基底上的图案重叠时可以处于开启状态，并且当所述开启/关闭点在所述曝光工艺中不与所述图案重叠时可以处于关闭状态。
16、提供一种无掩模曝光装置，所述无掩模曝光装置包括：光源，用于发射曝光光束；光调制器，用于根据曝光图案调制所述曝光光束；光学系统，用于以光束点阵列的形式将已调制的所述曝光光束传送到基底上；位置确定单元，用于生成在所述光束点阵列和所述基底之间的相对位置数据；以及控制单元，用于基于所述位置确定单元的所述相对位置数据控制所述光调制器。所述光束点阵列包括第一点、第二点和第三点，所述第一点、所述第二点和所述第三点的开启/关闭由所述光调制器控制，在第一时间点时，所述第一点和所述第二点彼此相邻设置，并且在第二时间点时，所述第三点设置在所述第一点和所述第二点之间。
17、所述第一点和所述第二点之间的距离可以为大约0.01μm至大约1.0μm。
18、已调制的所述曝光光束可以提供为多个，并且所述控制单元可以接收来自所述位置确定单元的所述相对位置数据并且确认设置在所述基底上的图案的信息，并且在所述基底在扫描方向上移动的扫描工艺中，所述控制单元可以确定照射到设置在所述基底上的所述图案的已调制的所述曝光光束的累积光量。
19、所述控制单元可以生成改变所述第一点的开启状态或关闭状态的所述曝光图案，使得所述累积光量之间的偏差减小。
20、所述光调制器可以根据所述曝光图案调制所述曝光光束。
21、提供一种显示装置，所述显示装置包括：半导体层，设置在基底上；和栅极电极，设置为与所述半导体层重叠。在平面图中，所述半导体层包括：第一部分，包括沿着第一方向延伸的第一边缘；第二部分，包括沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸的第二边缘；以及第三部分，包括沿着作为在所述第一方向和所述第二方向之间的方向的第三方向延伸的第三边缘，并且所有的所述第一边缘、所述第二边缘和所述第三边缘具有线边缘粗糙度。
22、所述第一边缘、所述第二边缘和所述第三边缘的所述线边缘粗糙度可以彼此不同。
23、所述第三边缘的所述线边缘粗糙度可以具有在所述第一边缘的所述线边缘粗糙度的值和所述第二边缘的所述线边缘粗糙度的值之间的值。
24、根据实施例的无掩模曝光装置具有通过调节开启/关闭点的布置和状态来防止针对通过对曝光目标进行曝光形成的每个图案的累积光量之间的偏差的效果。因此，可以在无掩模曝光工艺中使发生在曝光目标上的斜向污点最小化。
25、本公开的效果不限于上述效果，并且本说明书中包括各种其它效果。
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1.一种无掩模曝光装置，其中，所述无掩模曝光装置包括：
2.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，所述控制单元将根据累积光量调节所述多个开启/关闭点的布置和开启状态或关闭状态的所述曝光图案传送到所述光调制器。
3.根据权利要求2所述的无掩模曝光装置，其中，已调制的所述曝光光束和所述累积光量分别提供为多个，
4.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，在截面图中，所述多个对准区域中的每一个的宽度和所述多个失准区域中的每一个的宽度彼此相同。
5.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，所述多个开启/关闭点之中的彼此相邻的开启/关闭点之间的距离为0.01μm至1.0μm。
6.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，已调制的所述曝光光束提供为多个，
7.根据权利要求6所述的无掩模曝光装置，其中，所述控制单元生成改变所述多个开启/关闭点的开启状态或关闭状态的所述曝光图案，使得所述累积光量之间的偏差减小。
8.根据权利要求7所述的无掩模曝光装置，其中，所述光调制器根据所述曝光图案调制所述曝光光束。
9.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，所述多个对准区域中的每一个包括彼此相邻设置的第一对准区域和第二对准区域，所述多个失准区域中的一个失准区域在所述第一对准区域和所述第二对准区域之间，并且
10.根据权利要求9所述的无掩模曝光装置，其中，所述第一对准区域的宽度与在所述第一对准区域和所述第二对准区域之间的所述最短距离相同。
11.根据权利要求9所述的无掩模曝光装置，其中，所述多个开启/关闭点之中的在所述第一对准区域中的开启/关闭点的布置与所述多个开启/关闭点之中的在所述第二对准区域中的开启/关闭点的布置不同。
12.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，所述多个开启/关闭点中的每一个，当所述开启/关闭点在曝光工艺中与设置在所述基底上的图案重叠时处于开启状态，并且当所述开启/关闭点在所述曝光工艺中不与所述图案重叠时处于关闭状态。
13.一种无掩模曝光装置，其中，所述无掩模曝光装置包括：
14.根据权利要求13所述的无掩模曝光装置，其中，所述第一点和所述第二点之间的距离为0.01μm至1.0μm。
15.根据权利要求13所述的无掩模曝光装置，其中，已调制的所述曝光光束提供为多个，
16.根据权利要求15所述的无掩模曝光装置，其中，所述控制单元生成改变所述第一点的开启状态或关闭状态的所述曝光图案，使得所述累积光量之间的偏差减小。
17.根据权利要求16所述的无掩模曝光装置，其中，所述光调制器根据所述曝光图案调制所述曝光光束。
18.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一边缘、所述第二边缘和所述第三边缘的所述线边缘粗糙度彼此不同。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第三边缘的所述线边缘粗糙度具有在所述第一边缘的所述线边缘粗糙度的值和所述第二边缘的所述线边缘粗糙度的值之间的值。
...【技术特征摘要】
1.一种无掩模曝光装置，其中，所述无掩模曝光装置包括：
2.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，所述控制单元将根据累积光量调节所述多个开启/关闭点的布置和开启状态或关闭状态的所述曝光图案传送到所述光调制器。
3.根据权利要求2所述的无掩模曝光装置，其中，已调制的所述曝光光束和所述累积光量分别提供为多个，
4.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，在截面图中，所述多个对准区域中的每一个的宽度和所述多个失准区域中的每一个的宽度彼此相同。
5.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，所述多个开启/关闭点之中的彼此相邻的开启/关闭点之间的距离为0.01μm至1.0μm。
6.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，已调制的所述曝光光束提供为多个，
7.根据权利要求6所述的无掩模曝光装置，其中，所述控制单元生成改变所述多个开启/关闭点的开启状态或关闭状态的所述曝光图案，使得所述累积光量之间的偏差减小。
8.根据权利要求7所述的无掩模曝光装置，其中，所述光调制器根据所述曝光图案调制所述曝光光束。
9.根据权利要求1所述的无掩模曝光装置，其中，所述多个对准区域中的每一个包括彼此相邻设置的第一对准区域和第二对准区域，所述多个失准区域中的一个失准区域在所述第一对准区域和所述第二对准区域之间，并且
10.根据权利要求9所述的无掩模曝光装置，其中，所述第一对准区域的宽度与在所述第一对准区域和所述第二对准区域之间的所述最短距离相同。
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