【技术实现步骤摘要】
根据本公开的实施例的一个或多个方面涉及持久存储，且更具体地，涉及用于持久存储设备的接口芯片。
技术介绍
1、持久存储设备可以包括控制器和存储介质(例如，封装中的多个存储器管芯)。控制器与存储器管芯之间的并行连接可能容易偏差，可能消耗控制器上大量的芯片面积，并且可能使控制器和存储介质可以被固定到的印刷电路板的布线复杂化。
2、本公开的各方面是关于这一总体技术环境相关的。
技术实现思路
1、根据本公开的实施例，提供一种存储设备，包括：控制器集成电路；第一存储器管芯；和第一转换器集成电路，第一转换器集成电路具有第一外部接口和第二外部接口，第一外部接口是串行接口，第一外部接口被连接到控制器集成电路，并且第二外部接口是将第一转换器集成电路连接到第一存储器管芯的存储器接口。
2、在一些实施例中，第一存储器管芯是nand闪存管芯。
3、在一些实施例中，第二外部接口符合toggle标准或开放式nand闪存接口(onfi)标准。
4、在一些实施例中，存储设备包...
【技术保护点】
1.一种存储设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一存储器管芯是NAND闪存管芯。
3.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述第二外部接口符合Toggle标准或开放式NAND闪存接口ONFI标准。
4.根据权利要求1所述的存储设备，包括封装，所述封装包括：
5.根据权利要求1所述的存储设备，进一步包括被连接到所述第一转换器集成电路和所述第一存储器管芯的引线键合。
6.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一外部接口是串行外围接口SPI或外围组件快速互连PCIe接口或通用芯粒快速互连
<...【技术特征摘要】
1.一种存储设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一存储器管芯是nand闪存管芯。
3.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述第二外部接口符合toggle标准或开放式nand闪存接口onfi标准。
4.根据权利要求1所述的存储设备，包括封装，所述封装包括：
5.根据权利要求1所述的存储设备，进一步包括被连接到所述第一转换器集成电路和所述第一存储器管芯的引线键合。
6.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一外部接口是串行外围接口spi或外围组件快速互连pcie接口或通用芯粒快速互连ucie。
7.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一转换器集成电路被配置为在所述第一外部接口处接收包括分组报头和分组有效载荷的分组。
8.根据权利要求7所述的存储设备，其中，所述分组有效载荷包括第一管芯有效载荷，所述第一管芯有效载荷包括命令或数据。
9.根据权利要求8所述的存储设备，其中，所述分组有效载荷进一步包括与所述第一管芯有效载荷交织的第二管芯有效载荷。
10.根据权利要求9所述的存储设备，其中，所述分组有效载荷进一步包括与所述第一管芯有效载荷和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·D·金，P·李，V·K·阿格拉瓦尔，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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