【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、全耗尽型场效应晶体管(fd-soi)可以有效地抑制器件的关态电流(ioff)、降低浮体效应(f1oating body effect)、改善亚阈值摆幅(subthresho1d swing)，在低功耗领域具有广阔的应用前景。通常情况下垂直晶体管结构制备通过刻蚀高密度si纳米柱，然后进行字线(bit line)和位线(word line)的定义，而在形成源极和漏极的过程中，通过离子注入的掺杂方式会引起随机掺杂涨落(random doping fluctuation，rdf)，产生阈值电压漂移和迁移率退化的问题。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种半导体器件及其制作方法。
3、本公开实施例提供了一种半导体器件，半导体器件包括：
4、所述半导体器件包括基底、形成于基底上的漏区、沟道区以及源区；所述源区和所述漏区分设于所述沟道区两侧；所述源区包括位于所述沟道区一侧的第一掺杂区和位于所述第一掺杂区远离所述沟道区一侧的第二掺杂区；所述漏区包括位于所述沟道区一侧的第三掺杂区以及位于所述第三掺杂区远离所述沟道区一侧的第四掺杂区。
5、根据本公开的一些实施例，所述第一掺杂区的厚度小于所述第二掺杂区的厚度，和/或，所述第三掺杂区的厚度小于所述第四掺杂区的厚度。
6、
7、根据本公开的一些实施例，所述第一栅氧层的材料包括氧化硅或氮氧化硅，所述第二栅氧层的材料包括hfo2或zro2或al2o3或y2o3或la2o3或ta2o5或si3n4或tio2或zrsio4。
8、根据本公开的一些实施例，所述第二掺杂区的厚度大于所述第一掺杂区的厚度，和/或，所述第四掺杂区的厚度大于所述第三掺杂区的厚度。
9、根据本公开的一些实施例，所述第一栅氧层的厚度为所述第二栅氧层的厚度为
10、根据本公开的一些实施例，所述沟道区的长度为30-60nm；所述沟道区的厚度为6-10nm。
11、本公开实施例的第二方面，提供一种半导体器件的制作方法，所述半导体器件的制作方法包括：提供基底；
12、于所述基底上形成源区、漏区以及沟道区，所述源区包括位于所述沟道区一侧的第一掺杂区以及位于所述第一掺杂区的远离所述沟道区一侧的第二掺杂区，所述漏区包括位于所述沟道区另一侧的第三掺杂区以及位于所述第三掺杂区的远离所述沟道区一侧的第四掺杂区；其中，所述第一掺杂区的离子掺杂浓度小于所述第二掺杂区的离子掺杂浓度，所述第三掺杂区的离子掺杂浓度小于所述第四掺杂区的离子掺杂浓度。
13、根据本公开的一些实施例，所述于所述基底上形成源区、漏区以及沟道区包括：
14、于基底上形成源区或漏区中任一；于基底上形成牺牲层，所述牺牲层定义所述沟道区的长度；于基底上形成源区或漏区中另一；去除牺牲层，并外延生长形成初始沟道区；对初始沟道区原位掺杂形成沟道区。
15、根据本公开的一些实施例，所述沟道区的掺杂浓度为1×1015-1020cm-3；所述第二掺杂区和所述第四掺杂区的厚度均为10-50nm，所述第二掺杂区和所述第四掺杂区的掺杂浓度均为1×1015-1022cm-3；所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的厚度均为8-40nm，所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的掺杂浓度均为1×1015-1022cm-3
16、本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过将源区以及漏区均设置为掺杂浓度不同的两个区域，使得半导体器件在关态时于源区和漏区形成较厚的耗尽区，有效地抑制了关态电流，降低了半导体器件功耗；另外，源区和漏区于远离沟道区形成高掺杂区域使得半导体器件的串联电阻降低，实现了提高饱和输出电流的目的。结合关态电流的抑制，达到了提高半导体器件的开关比的效果，使得高电荷的储存保持时间提高。
17、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括基底、形成于所述基底上的漏区、沟道区以及源区；所述源区和所述漏区分设于所述沟道区两侧；所述源区包括位于所述沟道区一侧的第一掺杂区和位于所述第一掺杂区远离所述沟道区一侧的第二掺杂区；所述漏区包括位于所述沟道区一侧的第三掺杂区以及位于所述第三掺杂区远离所述沟道区一侧的第四掺杂区。
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区的厚度小于所述第二掺杂区的厚度，和/或，所述第三掺杂区的厚度小于所述第四掺杂区的厚度。
3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述沟道区上方设有堆叠设置的第一栅氧层和第二栅氧层，所述第二栅氧层的厚度大于所述第一栅氧层的厚度。
4.根据权利要求3所述半导体器件，其特征在于，所述第一栅氧层的材料包括氧化硅或氮氧化硅，所述第二栅氧层的材料包括HfO2或ZrO2或Al2O3或Y2O3或La2O3或Ta2O5或Si3N4或TiO2或ZrSiO4。
5.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区的厚度大于所述第一掺杂区的厚度，和/或，所述第四
6.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第一栅氧层的厚度为所述第二栅氧层的厚度为
7.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述沟道区的长度为30-60nm；所述沟道区的厚度为6-10nm。
8.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法包括：
9.根据权利要求8所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述于所述基底上形成源区、漏区以及沟道区包括：
10.根据权利要求8所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沟道区的掺杂浓度为1×1015-1020cm-3；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括基底、形成于所述基底上的漏区、沟道区以及源区；所述源区和所述漏区分设于所述沟道区两侧；所述源区包括位于所述沟道区一侧的第一掺杂区和位于所述第一掺杂区远离所述沟道区一侧的第二掺杂区；所述漏区包括位于所述沟道区一侧的第三掺杂区以及位于所述第三掺杂区远离所述沟道区一侧的第四掺杂区。
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区的厚度小于所述第二掺杂区的厚度，和/或，所述第三掺杂区的厚度小于所述第四掺杂区的厚度。
3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述沟道区上方设有堆叠设置的第一栅氧层和第二栅氧层，所述第二栅氧层的厚度大于所述第一栅氧层的厚度。
4.根据权利要求3所述半导体器件，其特征在于，所述第一栅氧层的材料包括氧化硅或氮氧化硅，所述第二栅氧层的材料包括hfo2或zro2或al2...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文奇，余泳，尹晓明，朱正勇，康卜文，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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