【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，具体涉及一种电容库创建方法、电容获取方法、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。
2、集成电路的设计流程中首先要提出功能描述，然后经过逻辑设计、版图设计得到描述半导体工艺尺寸、结构的版图，最后进行版图验证，即通过计算机软件模拟来验证上述设计是否满足要求。若满足要求，则进行下一步的生产制造。否则，若不满足要求，则返回逻辑设计、版图设计进行必要的修正。在版图验证中，一个重要的环节是“互联寄生参数提取”。
3、随着集成电路制造技术的发展，电路规模不断增大、特征尺寸不断缩小，当今很多先进芯片所含有的器件数目已经超过亿为单位。集成电路中互连线的寄生效应造成互...
【技术保护点】
1.一种电容库创建方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的电容库创建方法，其特征在于，所述模型采样参数至少包括刻蚀效应厚度和/或介质层的厚度信息。
3.根据权利要求2所述的电容库创建方法，其特征在于，确定与模型结构对应的模型采样参数的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的电容库创建方法，其特征在于，所述模型结构还包括位于第一金属层上的第三导体和/或第四导体。
5.根据权利要求1或2所述的电容库创建方法，其特征在于，基于至少一个采样结构，以及所述至少一个采样结构下所述第一导体与所述第二导体之间的侧壁电容值和...
【技术特征摘要】
1.一种电容库创建方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的电容库创建方法，其特征在于，所述模型采样参数至少包括刻蚀效应厚度和/或介质层的厚度信息。
3.根据权利要求2所述的电容库创建方法，其特征在于，确定与模型结构对应的模型采样参数的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的电容库创建方法，其特征在于，所述模型结构还包括位于第一金属层上的第三导体和/或第四导体。
5.根据权利要求1或2所述的电容库创建方法，其特征在于，基于至少一个采样结构，以及所述至少一个采样结构下所述第一导体与所述第二导体之间的侧壁电容值和/或面电容值和/或耦合电容值创建电容库的步骤，包括：
6.根据权利要求5所述的电容库创建方法，其特征在于，获取所述至少一个采样结构下，所述第一导体与所述第二导体之间的耦合电容值和面电容值，包括：
7.根据权利要求1所述的电容库创建方法，其特征在于，所述模型结构包括多个位于所述第一金属层和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：杭州行芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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