【技术实现步骤摘要】
本技术属于电路保护，特别涉及一种带多路控制的自恢复防反接电路。
技术介绍
1、随着社会的发展和技术进步，多种电子产品和多种电子消费品大量出现，进入到人们日常生活和生产工作中，但是电子产品中，特别是直流供电或交流转直流供电的电子产品中，其要求直流供电部分的电源极性一般是不能反接的，反接后会导致电源极性接反，则电路不能正常工作，甚至损毁电路。
2、现有技术中,为了防止直流输入意外反接时对电路造成的破坏，通常需要在输入端串联上一个功率二极管。
3、现有技术存在以下技术问题：
4、1.由于功率二极管的体积较大，且导通压降大，在电路中功率损耗比较严重；尤其是在低电压大电流的应用环境下,功率二极管的功耗更为明显，不仅会降低整个系统的效率，而且会产生大器的热面，需要大面积的散热器进行散热处理。
5、2.电路输出不受控，可能对负载电路或者后续应用电路造成致命的损坏，不便于后续电路的调试应用，降低了电路设计的抗风险性，增加了用户成本。
技术实现思路
1、本技术提供了一种带多路控制的自恢复防反接电路，旨在解决上述现有技术中存在的反接电路压降大，而且会产生大器的热面，需要大面积的散热器进行散热处理，以及电路输出不受控，可能对负载电路或者后续应用电路造成致命的损坏，不便于后续电路的调试应用，降低了电路设计的抗风险性，增加了用户成本的技术问题。
2、本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种带多路控制的自恢复防反接电路，包括：
3、输入
4、所述第一分压电路的输入端连接在所述输入端vi n上，所述第一分压电路的中间分压端与所述pmos管q1的栅极连接，所述第一分压电路的输出端与所述控制电路连接；所述第二分压电路的输入端连接在所述pmos管q2的源极上，所述第二分压电路的中间分压端与所述pmos管q2的栅极连接，所述第二分压电路的输出端与所述控制电路连接，所述控制电路还与所述输入端vi n连接。
5、本技术的有益效果是：本申请通过在输入端vi n、输出端vout之间通过设置防反接背对背pmos电路防止电路反接，并通过设置第一分压电路和第二分压电路，降低了防反接背对背pmos电路中的电压，避免了像传统使用功率二极管功耗损失大的情况，且本申请还设置有控制电路，能够在检测到后续负载电路明确异常时，进入控制状态，控制电压输出0v，从而告诉用户电路有异常，达到保护后续负载电路的目的。
6、在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。
7、进一步，上述所述第一分压电路包括电阻r1和电阻r2，所述电阻r1的一端连接在所述输入端vi n上，所述电阻r1的另一端与所述电阻r2的一端连接，所述电阻r1与所述电阻r2的公共连接端与所述pmos管q1的栅极连接，所述电阻r2的另一端与所述控制电路连接；
8、所述第二分压电力包括电阻r3和电阻r4，所述电阻r3的一端连接在所述pmos管q2的源极上，所述电阻r3的另一端与所述电阻r4的一端连接，所述r3与所述电阻r4的公共连接端与所述pmos管q2的栅极连接，所述电阻r3的另一端与所述控制电路连接。
9、采用上述进一步方案的有益效果是：本申请通过第一分压电路和第二分压电路两次分压，减小防反接背对背pmos电路中的功率损耗。
10、进一步，上述所述电阻r1两端并联有稳压二极管zd1，所述电阻r3两端并联有稳压二极管zd1。
11、采用上述进一步方案的有益效果是：本申请设置了稳压二极管，稳压二极管利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，起到稳压作用。
12、进一步，上述
13、所述控制电路包括：npn三极管q3、npn三极管q4、电阻r5和基排电阻；
14、所述npn三极管q3的集电极分别与所述电阻r2的另一端以及所述电阻r4的另一端连接，所述npn三极管q3的基极以及所述npn三极管q4的集电极均与所述电阻r5的一端连接，所述电阻r5的另一端与所述输入端vi n连接，所述npn三极管q3的发射极以及所述npn三极管q4的发射极均接地，所述npn三极管q4的基极通过所述基排电阻接入多路控制信号。
15、采用上述进一步方案的有益效果是：本申请当检测到后续负载电路明确异常时，控制电压输出0v，从而告诉用户电路有异常，达到保护后续电路的目的。
16、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带多路控制的自恢复防反接电路,其特征在于，包括：输入端VIN、输出端VOUT、防反接背对背PMOS电路、第一分压电路、第二分压电路和控制电路；所述防反接背对背PMOS包括漏极相连的PMOS管Q1和PMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源极连接所述输入端VIN，所述PMOS管Q2的源极连接所述输出端VOUT；
2.根据权利要求1所述的一种带多路控制的自恢复防反接电路，其特征在于，所述第一分压电路包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的一端连接在所述输入端VIN上，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R1与所述电阻R2的公共连接端与所述PMOS管Q1的栅极连接，所述电阻R2的另一端与所述控制电路连接；
3.根据权利要求2所述的一种带多路控制的自恢复防反接电路，其特征在于，所述电阻R1两端并联有稳压二极管ZD1，所述电阻R3两端并联有稳压二极管ZD1。
4.根据权利要求2所述的一种带多路控制的自恢复防反接电路，其特征在于，所述控制电路包括：NPN三极管Q3、NPN三极管Q4、电阻R5和基排电阻；
【技术特征摘要】
1.一种带多路控制的自恢复防反接电路,其特征在于，包括：输入端vin、输出端vout、防反接背对背pmos电路、第一分压电路、第二分压电路和控制电路；所述防反接背对背pmos包括漏极相连的pmos管q1和pmos管q2，所述pmos管q1的源极连接所述输入端vin，所述pmos管q2的源极连接所述输出端vout；
2.根据权利要求1所述的一种带多路控制的自恢复防反接电路，其特征在于，所述第一分压电路包括电阻r1和电阻r2，所述电阻r1的一端连接在所述输入端vin上...
【专利技术属性】
技术研发人员：李志强，朱威，余骏，
申请(专利权)人：湖北月照松电控系统有限公司，
类型：新型
国别省市：
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