一种带多路控制的自恢复防反接电路制造技术

技术编号:40213468 阅读:4 留言:0更新日期:2024-02-02 22:22
本技术涉及一种带多路控制的自恢复防反接电路,属于电路保护技术领域,包括:输入端VI N、输出端VOUT和防反接背对背PMOS电路,所述防反接背对背PMOS电路连接有控制电路,所述控制电路与控制芯片连接,所述输出端VOUT与后续负载电路连接,所述后续负载电路与控制芯片连接。旨在解决现有技术中存在的反接电路压降大,而且会产生大器的热面,需要大面积的散热器进行散热处理,以及电路输出不受控,可能对负载电路或者后续应用电路造成致命的损坏,不便于后续电路的调试应用,降低了电路设计的抗风险性,增加了用户成本的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电路保护,特别涉及一种带多路控制的自恢复防反接电路


技术介绍

1、随着社会的发展和技术进步,多种电子产品和多种电子消费品大量出现,进入到人们日常生活和生产工作中,但是电子产品中,特别是直流供电或交流转直流供电的电子产品中,其要求直流供电部分的电源极性一般是不能反接的,反接后会导致电源极性接反,则电路不能正常工作,甚至损毁电路。

2、现有技术中,为了防止直流输入意外反接时对电路造成的破坏,通常需要在输入端串联上一个功率二极管。

3、现有技术存在以下技术问题:

4、1.由于功率二极管的体积较大,且导通压降大,在电路中功率损耗比较严重;尤其是在低电压大电流的应用环境下,功率二极管的功耗更为明显,不仅会降低整个系统的效率,而且会产生大器的热面,需要大面积的散热器进行散热处理。

5、2.电路输出不受控,可能对负载电路或者后续应用电路造成致命的损坏,不便于后续电路的调试应用,降低了电路设计的抗风险性,增加了用户成本。


技术实现思路

1、本技术提供了一种带多路控制的自恢复防反接电路,旨在解决上述现有技术中存在的反接电路压降大,而且会产生大器的热面,需要大面积的散热器进行散热处理,以及电路输出不受控,可能对负载电路或者后续应用电路造成致命的损坏,不便于后续电路的调试应用,降低了电路设计的抗风险性,增加了用户成本的技术问题。

2、本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种带多路控制的自恢复防反接电路,包括:

3、输入端vi n、输出端vout、防反接背对背pmos电路、第一分压电路、第二分压电路和控制电路;所述防反接背对背pmos包括漏极相连的pmos管q1和pmos管q2,所述pmos管q1的源极连接所述输入端vi n,所述pmos管q2的源极连接所述输出端vout;

4、所述第一分压电路的输入端连接在所述输入端vi n上,所述第一分压电路的中间分压端与所述pmos管q1的栅极连接,所述第一分压电路的输出端与所述控制电路连接;所述第二分压电路的输入端连接在所述pmos管q2的源极上,所述第二分压电路的中间分压端与所述pmos管q2的栅极连接,所述第二分压电路的输出端与所述控制电路连接,所述控制电路还与所述输入端vi n连接。

5、本技术的有益效果是:本申请通过在输入端vi n、输出端vout之间通过设置防反接背对背pmos电路防止电路反接,并通过设置第一分压电路和第二分压电路,降低了防反接背对背pmos电路中的电压,避免了像传统使用功率二极管功耗损失大的情况,且本申请还设置有控制电路,能够在检测到后续负载电路明确异常时,进入控制状态,控制电压输出0v,从而告诉用户电路有异常,达到保护后续负载电路的目的。

6、在上述技术方案的基础上,本技术还可以做如下改进。

7、进一步,上述所述第一分压电路包括电阻r1和电阻r2,所述电阻r1的一端连接在所述输入端vi n上,所述电阻r1的另一端与所述电阻r2的一端连接,所述电阻r1与所述电阻r2的公共连接端与所述pmos管q1的栅极连接,所述电阻r2的另一端与所述控制电路连接;

8、所述第二分压电力包括电阻r3和电阻r4,所述电阻r3的一端连接在所述pmos管q2的源极上,所述电阻r3的另一端与所述电阻r4的一端连接,所述r3与所述电阻r4的公共连接端与所述pmos管q2的栅极连接,所述电阻r3的另一端与所述控制电路连接。

9、采用上述进一步方案的有益效果是:本申请通过第一分压电路和第二分压电路两次分压,减小防反接背对背pmos电路中的功率损耗。

10、进一步,上述所述电阻r1两端并联有稳压二极管zd1,所述电阻r3两端并联有稳压二极管zd1。

11、采用上述进一步方案的有益效果是:本申请设置了稳压二极管,稳压二极管利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,起到稳压作用。

12、进一步,上述

13、所述控制电路包括:npn三极管q3、npn三极管q4、电阻r5和基排电阻;

14、所述npn三极管q3的集电极分别与所述电阻r2的另一端以及所述电阻r4的另一端连接,所述npn三极管q3的基极以及所述npn三极管q4的集电极均与所述电阻r5的一端连接,所述电阻r5的另一端与所述输入端vi n连接,所述npn三极管q3的发射极以及所述npn三极管q4的发射极均接地,所述npn三极管q4的基极通过所述基排电阻接入多路控制信号。

15、采用上述进一步方案的有益效果是:本申请当检测到后续负载电路明确异常时,控制电压输出0v,从而告诉用户电路有异常,达到保护后续电路的目的。

16、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带多路控制的自恢复防反接电路,其特征在于,包括:输入端VIN、输出端VOUT、防反接背对背PMOS电路、第一分压电路、第二分压电路和控制电路;所述防反接背对背PMOS包括漏极相连的PMOS管Q1和PMOS管Q2,所述PMOS管Q1的源极连接所述输入端VIN,所述PMOS管Q2的源极连接所述输出端VOUT;

2.根据权利要求1所述的一种带多路控制的自恢复防反接电路,其特征在于,所述第一分压电路包括电阻R1和电阻R2,所述电阻R1的一端连接在所述输入端VIN上,所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接,所述电阻R1与所述电阻R2的公共连接端与所述PMOS管Q1的栅极连接,所述电阻R2的另一端与所述控制电路连接;

3.根据权利要求2所述的一种带多路控制的自恢复防反接电路,其特征在于,所述电阻R1两端并联有稳压二极管ZD1,所述电阻R3两端并联有稳压二极管ZD1。

4.根据权利要求2所述的一种带多路控制的自恢复防反接电路,其特征在于,所述控制电路包括:NPN三极管Q3、NPN三极管Q4、电阻R5和基排电阻;

【技术特征摘要】

1.一种带多路控制的自恢复防反接电路,其特征在于,包括:输入端vin、输出端vout、防反接背对背pmos电路、第一分压电路、第二分压电路和控制电路;所述防反接背对背pmos包括漏极相连的pmos管q1和pmos管q2,所述pmos管q1的源极连接所述输入端vin,所述pmos管q2的源极连接所述输出端vout;

2.根据权利要求1所述的一种带多路控制的自恢复防反接电路,其特征在于,所述第一分压电路包括电阻r1和电阻r2,所述电阻r1的一端连接在所述输入端vin上...

【专利技术属性】
技术研发人员:李志强朱威余骏
申请(专利权)人:湖北月照松电控系统有限公司
类型:新型
国别省市:

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