【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及半导体处理方法和系统的领域，并且涉及集成电路制造的领域。特别地，公开了适用于形貌选择性沉积的方法和系统以及填充间隙的方法。
技术介绍
1、半导体器件(例如互补金属氧化物半导体(cmos)器件)的尺寸缩小已经导致集成电路的速度和密度显著提高。然而，传统的器件缩放技术面临着未来技术节点的重大挑战。
2、例如，一个挑战涉及用于获得沉积的方法和系统，其导致在形貌的一部分中形成材料层，而在另一部分中不形成材料层。例如，希望在结构的远侧部分而不是在结构的近侧部分形成诸如氧化硅或氮化硅的层。
3、另一个挑战涉及用没有空隙、接缝或针孔的材料填充高纵横比结构的方法和系统。可流动间隙填充方法可以无空隙且无接缝地填充这种高纵横比结构，但这些方法可能需要热处理或其他处理，以便在高纵横比结构中获得高质量材料。共形沉积方法可以部分填充高纵横比结构，但形成了弱点，即所谓的接缝，这可能导致在进一步处理步骤比如化学机械抛光中形成缺陷。因此，仍需要允许用没有空隙、接缝或针孔的材料填充高纵横比结构的方法和系统。
4、本部分中...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在没有任何中间真空中断的情况下，在单个真空系统中执行以下步骤：形成所述材料层，用间隙填充流体部分地填充所述间隙，选择性地蚀刻所述未受保护近侧材料层，以及去除间隙填充流体。
3.一种方法，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个超级循环在单个真空系统中顺序进行，没有任何中间真空中断。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述材料层包括固体材料，所述固体材料包括选自过渡金属、稀土金属、后过渡金属和14族元素的一种或多种元素。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在没有任何中间真空中断的情况下，在单个真空系统中执行以下步骤：形成所述材料层，用间隙填充流体部分地填充所述间隙，选择性地蚀刻所述未受保护近侧材料层，以及去除间隙填充流体。
3.一种方法，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个超级循环在单个真空系统中顺序进行，没有任何中间真空中断。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述材料层包括固体材料，所述固体材料包括选自过渡金属、稀土金属、后过渡金属和14族元素的一种或多种元素。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述固体材料包括氧化钛和氮化钛中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述固体材料包括14族元素氧化物和14族元素氮化物中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述固体材料包括氧化硅、氮化硅和碳氮化硅中的一种或多种。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，选择性地蚀刻所述未受保护近侧材料层包括：
10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述固体材料包括氮化硅，其中转换步骤包括产生氧等离子体，其中，所述转换材料层包括氧化硅，并且其中选择性蚀刻步骤包括将衬底暴露于氟物种。
11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·布兰夸特，R·H·J·沃乌尔特，邓少任，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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