半导体封装件制造技术

一种半导体封装件包括：第一半导体芯片；多个第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上并且具有比所述第一半导体芯片的宽度窄的宽度；以及模制层，其在第一半导体芯片的上表面上。所述第一半导体芯片包括：第一前表面焊盘、被划分为第一区域和第二区域的第一后表面绝缘层、在所述第一区域中的第一后表面焊盘、在所述第二区域中的虚设焊盘、以及将所述第一前表面焊盘和所述第一后表面焊盘彼此电连接的第一贯穿电极，其中，每个所述虚设焊盘的上表面上设置有金属氧化物膜。所述多个第二半导体芯片中的每个第二半导体芯片包括第二前表面焊盘、第二后表面焊盘、以及将所述第二前表面焊盘和所述第二后表面焊盘彼此电连接的第二贯穿电极。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、本公开涉及一种半导体封装件。

2、随着电子工业和用户需求的发展，电子装置的尺寸和重量已经减小，并且电子装置中使用的半导体封装件会需要提供高性能和高电容以及尺寸和重量的减小。为了实现高性能和高电容以及尺寸和重量的减小，已经持续地研究和开发了包括穿硅通路(tsv)的半导体芯片和堆叠有半导体芯片的半导体封装件。

技术实现思路

1、本公开的一方面提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件具有能够确保半导体芯片之间的连接的改善的可靠性，并且具有总体上强的键合(bonding)强度。

2、根据本公开的一方面，提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；多个第二半导体芯片，所述多个第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上，所述多个第二半导体芯片的宽度分别比所述第一半导体芯片的宽度窄；以及模制层，所述模制层在所述第一半导体芯片的上表面上并且在所述多个第二半导体芯片的侧表面上。所述第一半导体芯片可以包括：第一半导体基板；第一半导体器件层，所述第一半导体器件层在所述第一半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一后表面焊盘具有与所述第一后表面绝缘层的上表面共面的上表面，并且所述第二前表面焊盘具有与所述第二前表面绝缘层的上表面共面的上表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第二半导体芯片在第一方向上堆叠，并且

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属氧化物膜包括氧化物，所述氧化物包含每个所述虚设焊盘中包括的金属。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

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【技术特征摘要】

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一后表面焊盘具有与所述第一后表面绝缘层的上表面共面的上表面，并且所述第二前表面焊盘具有与所述第二前表面绝缘层的上表面共面的上表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第二半导体芯片在第一方向上堆叠，并且

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属氧化物膜包括氧化物，所述氧化物包含每个所述虚设焊盘中包括的金属。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属氧化物膜与所述模制层直接接触。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述模制层包括由单一材料形成的整体结构。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第二半导体芯片中的每一个第二半导体芯片的所述第二后表面绝缘层键合到所述多个第二半导体芯片中的另一个相邻第二半导体芯片的所述第二前表面绝缘层，并且所述多个第二半导体芯片中的每一个第二半导体芯片的所述第二后表面焊盘分别键合到所述多个第二半导体芯片中的另一个相邻第二半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱妮，李元一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：