形成掩埋位线的方法、存储器及其制造方法技术

一种形成掩埋位线的方法、存储器及其制造方法，存储器包括多个晶体管，和：依次设置在衬底上的第一介电质层、第二介电质层和第三介电质层，第一介电质层和第三介电质层为氧化物层，第二介电质层为氮化物层；衬底上设置有多个沿列方向延伸且在行方向间隔排列的第一沟槽和多个沿行方向延伸且在列方向间隔排列的第二沟槽，第一沟槽延伸到第二介电质层中设定深度；多个与晶体管一一对应的半导体柱，沿行方向和列方向间隔排列，每列半导体柱设置在一个第一沟槽中；多条位线，设置在第一沟槽中并沿列方向延伸，半导体柱位于位线上并与位线连接。本申请实施例的存储器的位线不容易出现断路情况，而且电阻更低，稳定性更好。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及但不限于存储器领域，尤指一种形成掩埋位线的方法、存储器及其制造方法。

技术介绍

1、随着晶体管尺寸越来越小，金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxidesemiconductor field effect transistor,mosfet)的短沟道效应愈加严重，阻碍了器件特征尺寸的进一步缩小。为了抑制短沟道效应，延续摩尔定律，研究者们提出了多种解决方案，其中环栅场效应晶体管(gate-all-around field effect transistor,gaafet)具有优秀的栅控能力以及与目前晶体管制造工艺技术的兼容性，在众多晶体管中具有较大竞争力。gaafet根据沟道的取向，可分为平面型结构和垂直型结构(即垂直环栅场效应晶体管(vertical gate-all-around field effect transistor,vgaafet))。vgaafet的占有面积较小，在3d集成和布线上有较大优势。

技术实现思路

1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器，包括多个晶体管，其特征在于，所述存储器还包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述半导体柱的材料为金属氧化物半导体材料。

3.根据权利要求1或2所述的存储器，还包括栅极，所述栅极环绕所述半导体柱的侧壁并且与所述半导体柱通过栅极绝缘层绝缘，所述栅极与字线连接。

4.根据权利要求3所述的存储器，其中，位于相邻两个所述半导体柱的相对的侧壁上的栅极绝缘层连接在一起；

5.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述第四介电质层包括第一子介电质层和第二子介电质层，所述第一子介电质层设置在所述第二沟槽的内壁与所述第二子介电质层之间，并...

【技术特征摘要】

1.一种存储器，包括多个晶体管，其特征在于，所述存储器还包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述半导体柱的材料为金属氧化物半导体材料。

3.根据权利要求1或2所述的存储器，还包括栅极，所述栅极环绕所述半导体柱的侧壁并且与所述半导体柱通过栅极绝缘层绝缘，所述栅极与字线连接。

4.根据权利要求3所述的存储器，其中，位于相邻两个所述半导体柱的相对的侧壁上的栅极绝缘层连接在一起；

5.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述第四介电质层包括第一子介电质层和第二子介电质层，所述第一子介电质层设置在所述第二沟槽的内壁与所述第二子介电质层之间，并且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朝，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：