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一种形成掩埋位线的方法、存储器及其制造方法，存储器包括多个晶体管，和：依次设置在衬底上的第一介电质层、第二介电质层和第三介电质层，第一介电质层和第三介电质层为氧化物层，第二介电质层为氮化物层；衬底上设置有多个沿列方向延伸且在行方向间隔排列的...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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