一种具有高抗闩锁能力的IGBT及制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有高抗闩锁能力的IGBT及制备方法，该IGBT包括：P+层；所述P+层包括位于体区与N+区之间的第一延伸部和位于体区和发射极之间的第二延伸部；所述第一延伸部与所述体区和所述N+区邻接；所述第二延伸部与所述发射极和所述体区邻接。本发明专利技术对传统体区的浓度分布进行改善，将位于N+区和P+区下方的传统体区的上层改进为一层高浓度掺杂的P+层，P+层的引入能够使体区的横向电阻减小，减少了发射极下方薄层电阻的横向压降，并且P+层还能够阻拦体区中的空穴注入到发射区，使得闩锁效应的发生更加困难，显著提高了IGBT的抗闩锁能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种具有高抗闩锁能力的igbt及制备方法。

技术介绍

1、igbt(insulated gate bipolar transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(bjt)和金属氧化物场效应晶体管(mosfet)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心器件，也是目前mos-双极型功率器件的主要发展方向之一。igbt不仅具有mosfet输入阻抗高、栅极易驱动等特点，而且具有双极型晶体管电流密度大、功率密度高等优势，已广泛应用于轨道交通、新能源汽车、智能电网、风力发电等高电压、大电流的领域，以及微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等低功率家用电器领域。igbt的驱动方法和mosfet 基本相同，igbt也是一个三端器件，正面有两个电极，分别为发射极(emitter)和栅极(gate)，背面为集电极(collector);在正向工作状态下，发射极接地或接负压，集电极接正压，两电极间电压vce>0，因此igbt的发射极和集电极又分别称为阴极(cathode)和阳极(anod本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，包括：P+层；

2.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，所述P+层的掺杂浓度为5×1018cm-3。

3.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，所述第一延伸部的厚度为1um。

4.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，所述第二延伸部的宽度为0.4um。

5.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，还包括：缓冲层；

6.根据权利要求5所述的一种具有高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种具有高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，包括：p+层；

2.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，所述p+层的掺杂浓度为5×1018cm-3。

3.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，所述第一延伸部的厚度为1um。

4.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，所述第二延伸部的宽度为0.4um。

5.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，还包括：缓冲层；

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：廉晓克，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：