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本发明提供一种具有高抗闩锁能力的IGBT及制备方法，该IGBT包括：P+层；所述P+层包括位于体区与N+区之间的第一延伸部和位于体区和发射极之间的第二延伸部；所述第一延伸部与所述体区和所述N+区邻接；所述第二延伸部与所述发射极和所述体区邻接...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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