一种具有低漏电的E-HEMT及制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有低漏电的E‑HEMT及制备方法，该E‑HEMT包括：异质结衬底；所述异质结衬底包括基底和硅基N+缓冲层；所述基底位于所述硅基N+缓冲层下方并与所述硅基N+缓冲层邻接；所述硅基N+缓冲层位于GaN缓冲层与基底之间并与所述GaN缓冲层邻接。本发明专利技术将传统的硅衬底替换为了禁带宽度更高、导热性能更好的材料，例如碳化硅材料，因为碳化硅具有带隙宽、击穿场强高、热导率高、饱和电子迁移速率高等特性，适用于高温，大功率和极端环境，相比于硅材料，碳化硅具有更大的禁带宽度和更高的临界击穿场强，本发明专利技术还在碳化硅层上方引入了N型重掺杂层作为缓冲层，硅基N+掺杂层能够形成一个电子阱，从而进一步减弱衬底端的漏电现象，降低器件整体的热效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种具有低漏电的e-hemt及制备方法。

技术介绍

1、gan材料因其具备禁带宽度大，临界击穿电场高，热导率高等特点，因此，在制备高压、高温、大功率和高密度集成的电子器件方面具有独特的优势。gan材料可以与algan等材料形成异质结结构。由于algan等势垒层材料存在自发极化和压电极化效应，因此会在异质结界面处形成高浓度和高迁移率的二维电子气(2deg)。这种特性不仅可以提高gan基器件的载流子迁移率和工作频率，还可以减小器件的导通电阻和开关延迟。gan基hemt器件由于其具备击穿特性高，开关速度快，导通电阻小等特点，在电源管理、风力发电、太阳能电池、电动汽车等电力电子领域有着广泛的应用前景。与传统mos器件相比，gan基hemt器件具有更快的开关速度并承受更高的反向电压，而且可以提高效率，减小损耗，节约能源，在600v-1200v器件范围内有着巨大的市场应用前景。

2、对于功率器件而言，实现增强型以及高压工作是至关重要的。从安全和能耗角度考虑，在断电情况下，不产生额外的漏电是很必要的。所以制备性能优越的增强型器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有低漏电的E-HEMT，其特征在于，包括：异质结衬底；

2.根据权利要求1所述的一种具有低漏电的E-HEMT，其特征在于，所述基底的填充材料的禁带宽度大于硅的禁带宽度。

3.根据权利要求1所述的一种具有低漏电的E-HEMT，其特征在于，所述基底的填充材料包括：碳化硅。

4.根据权利要求1所述的一种具有低漏电的E-HEMT，其特征在于，所述N+缓冲层的掺杂浓度为1019cm-3。

5.根据权利要求1所述的一种具有低漏电的E-HEMT，其特征在于，所述N+缓冲层的厚度为3um。

6.根据权利要求1所述的一种具有低漏电的E-...

【技术特征摘要】

1.一种具有低漏电的e-hemt，其特征在于，包括：异质结衬底；

2.根据权利要求1所述的一种具有低漏电的e-hemt，其特征在于，所述基底的填充材料的禁带宽度大于硅的禁带宽度。

3.根据权利要求1所述的一种具有低漏电的e-hemt，其特征在于，所述基底的填充材料包括：碳化硅。

4.根据权利要求1所述的一种具有低漏电的e-hemt，其特征在于，所述n+缓冲层的掺杂浓度为1019cm-3。

5.根据权利要求1所述的一种具有低漏电的e-hemt，其特征在于，所述n+缓冲层的厚度为3um。

6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文哲，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：