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本发明提供一种具有低漏电的E‑HEMT及制备方法，该E‑HEMT包括：异质结衬底；所述异质结衬底包括基底和硅基N+缓冲层；所述基底位于所述硅基N+缓冲层下方并与所述硅基N+缓冲层邻接；所述硅基N+缓冲层位于GaN缓冲层与基底之间并与所述Ga...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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