惯性器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种惯性器件及其制作方法。该惯性器件的制作方法包括：在第一衬底上形成阻挡层，阻挡层共型地覆盖第一衬底上的顶部线路图形层；在阻挡层上形成第一牺牲层，第一牺牲层覆盖阻挡层且填满顶部线路图形层中线路之间的凹坑；以阻挡层作为停止层对第一牺牲层进行平坦化处理；在顶部线路图形层和第一牺牲层上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成器件主结构层；刻蚀去除部分第二牺牲层，在器件主结构层和顶部线路图形层之间形成空腔。如此，可以提高第二牺牲层的厚度均匀性和平整度，改善惯性器件的Z轴电容，减小寄生电容的影响。所述惯性器件可以利用上述的制作方法制成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子机械加工，特别涉及一种惯性器件及其制作方法。

技术介绍

1、mems惯性器件具有体积小、重量轻、低功耗、长寿命、高可靠性等特点，因而得到了广泛地应用。

2、图1至图4为现有的一种惯性器件的制作方法分步骤过程示意图。该惯性器件的制作方法包括以下步骤：参考图1所示，形成覆盖线路图形层102和介质层101的牺牲层103，通过化学机械研磨(cmp)工艺对牺牲层103的表面进行平坦化处理；参考图2所示，在牺牲层103中形成接触通孔104，接触通孔104露出部分线路图形层102；参考图3所示，在牺牲层103上形成器件主结构层105，器件主结构层105覆盖牺牲层103且填满接触通孔104；参考图4所示，在器件主结构层105中形成多个释放孔106，释放孔106露出牺牲层103，通过多个释放孔106刻蚀去除部分牺牲层103，在器件主结构层105和线路图形层102之间形成空腔107。

3、利用上述惯性器件的制作方法制作惯性器件存在以下问题：(1)由于线路图形层102和介质层101之间存在较大的台阶，这使得牺牲层103的研磨工艺控制难本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种惯性器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，通过多个所述释放孔刻蚀去除部分所述第二牺牲层的过程中，还刻蚀去除所述顶部线路图形层中部分线路之间的所述第一牺牲层且停止于所述线路侧边的所述阻挡层表面。

3.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，所述平坦化工艺包括化学机械研磨工艺。

4.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，去除所述顶部线路图形层顶面上的阻挡层的步骤中，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述阻挡层。

5.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的...

【技术特征摘要】

1.一种惯性器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，通过多个所述释放孔刻蚀去除部分所述第二牺牲层的过程中，还刻蚀去除所述顶部线路图形层中部分线路之间的所述第一牺牲层且停止于所述线路侧边的所述阻挡层表面。

3.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，所述平坦化工艺包括化学机械研磨工艺。

4.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，去除所述顶部线路图形层顶面上的阻挡层的步骤中，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述阻挡层。

5.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化硅；所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的材料均包括氧化硅。

6.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，在所述顶部线路图形层和所述第一牺牲层上形成第二牺牲层之后、在所述第二牺牲层上形成器件主结构层之前，在所述第二牺牲层中形成多个第二接触孔，所述第二接触孔露出部分所述顶部线路图形层；

7.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，提供第一衬底的方法包括：

8.如权利要求1所述的惯性器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕林静，张兆林，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：