一种硅氧烷类疏水膜层及其制备方法技术

本发明专利技术的具体实施方式提供一种硅氧烷类疏水膜层及其制备方法，所述硅氧烷类疏水膜层由硅氧烷类单体等离子体聚合沉积形成，制备过程中，通过在单体蒸汽进气口与基材之间设置纱网，并且同时，所述基材在反应腔室中旋转运动，有效克服硅氧烷单体蒸汽直接进入等离子腔室沉积引起的基材表面不同位置的涂层厚度差异较大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学防护涂层领域，具体涉及一种硅氧烷类疏水膜层及其制备方法。

技术介绍

1、疏水性一般要求材料表面水接触角大于90°，目前广泛使用的疏水材料分为硅氧烷类和含氟类两类材料，其中含氟类材料因其优异的疏水疏油性能得到了广泛的应用。在光滑的表面，含氟类材料可制备最高水接触角约为120°的疏水膜层，然而含氟材料具有耐摩擦性差，价格昂贵，耐高温且不易降解，具有致癌性、生殖毒性、发育毒性、神经毒性等多种毒性的缺点，因此其应用受到了限制。欧盟pops法规要求禁止使用全氟辛酸(pfoa)和全氟辛烷磺酸(pfos)及其衍生物，美国包装法案tpch要求全氟烷基和多氟烷基物质(pfas)不得检出。因此硅氧烷类材料是取代含氟类材料的首选材料，人们越来越重视硅烷类疏水材料的研究。

2、利用等离子体活化反应有机单体气体在基材表面进行沉积，这种方法适用于各种基材，且沉积的聚合物防护涂层均匀，涂层制备温度低，涂层厚度薄、应力小，对基材表面几乎没有损伤和基材性能几乎没有影响，已有相关研究将硅氧烷类单体气体采用等离子体沉积的形式在基材表明形成疏水防护膜层，但是采用现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷类单体包括下式(1)或(2)所示结构至少一种，

3.根据权利要求2所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述R1、R2、R3、R5和R6分别独立的选自于甲基或乙基，R4为甲基、乙基或三甲基硅基，所述n为2-10的整数。

4.根据权利要求2所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷类单体包括硅氧烷单体一和硅氧烷单体二，其中所述硅氧单体一具有一个不饱和双键，所述硅氧烷单体二具有至少两个不饱和双键。<...

【技术特征摘要】

1.一种硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷类单体包括下式(1)或(2)所示结构至少一种，

3.根据权利要求2所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述r1、r2、r3、r5和r6分别独立的选自于甲基或乙基，r4为甲基、乙基或三甲基硅基，所述n为2-10的整数。

4.根据权利要求2所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷类单体包括硅氧烷单体一和硅氧烷单体二，其中所述硅氧单体一具有一个不饱和双键，所述硅氧烷单体二具有至少两个不饱和双键。

5.根据权利要求4所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷单体一具有下式(3)所示结构，

6.根据权利要求5所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述r7、r8和r9分别独立的选自于氢原子或甲基，所述r10、r11、r12、r13、r14、r15、r16、r17和r18分别独立的选自于甲基或乙基。

7.根据权利要求6所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷单体一为甲基丙烯酰氧丙基三(三甲基硅氧烷基)硅烷。

8.根据权利要求4所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷单体二具有式(2)所示结构，所述r5为c1-c4的烯烃基，所述r6为c1-c4的烷烃基。

9.根据权利要求8所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷单体二为1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷。

10.根据权利要求1所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷类单体蒸汽的流速为10-2000ul/min。

11.根据权利要求1所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述纱网的网格大小为10-500目。

12.根据权利要求1所述的硅氧烷类疏水膜层的制备方法，其特征在于，所述反应腔室内设置支架，所述支架上设置支撑件，所述基材置于所述支撑件上，由所述支架绕所述支架中心轴旋转和所述支撑件...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗坚，蔡泉源，吴宗超，
申请(专利权)人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：