【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及一种半导体存储装置及对于选择栅极线的编程动作方法。
技术介绍
1、已知有一种半导体存储装置，具备：存储单元阵列，具备多个存储单元及连接于多个存储单元的多个位线；及多个感测放大器单元，分别连接于多个位线。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种能够高集成化的半导体存储装置及对于选择栅极线的编程动作方法。
2、一实施方式的半导体存储装置具备：第1存储器串，具有串联连接的第1选择晶体管及多个第1存储单元晶体管；第1位线，连接于第1存储器串；选择栅极线，连接于第1选择晶体管的栅极电极；多个字线，连接于多个第1存储单元晶体管的栅极电极；第1感测放大器单元，连接于第1位线；控制电路，能够执行选择栅极线的编程动作；及电压产生电路，产生电压。第1感测放大器单元包含第1感测放大器电路、将第1位线及第1感测放大器电路电连接的第1晶体管、及不经由第1晶体管将第1位线及电压产生电路电连接的第2晶体管。在编程动作的第1期间，对第1晶体管的栅极电极供给将第1晶体管设为断开(off)状态的电压，...
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备：
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中
6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其具备：
7.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中
8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
10.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备：
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中
6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其具备：
7.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中
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