【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，还涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、随着汽车电子以及功率集成电路的发展，高压mos(金属氧化物半导体)器件在esd(静电释放)防护方面的使用受到越来越多的关注。示例性地，当n沟道ldmos(横向扩散金属氧化物半导体)器件用作esd防护器件时，其漏端接i/o引脚，栅、源以及衬底短接并连接至地，这种接法被称为gg-nldmos。栅极接地可避免漏电出现。当正向esd脉冲出现在漏端的时候，gg-nldmos的反偏pn结发生雪崩击穿，产生电子空穴对，空穴流过ldmos的p阱电阻rp-well，最后流向地。由于源端和衬底短接，所以当空穴数量足够大时，电阻rp-well上的压降足够大，pn结开启，触发寄生的npn管，开始泄放esd大电流。
2、ldmos作为bcd工艺下的一种常见的高压器件，使用ldmos器件作为esd防护器件时存在一些问题。其中，电流不均匀的集中效应和维持电压过低两个问题尤为突出。电流不均匀的集中效应是造成ldmos器...
【技术保护点】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型埋置区的数量为至少两个，各所述第二导电类型埋置区在所述第一漂移区中分散设置。
3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述顶部第二导电类型区的一侧延伸至所述源极区、另一侧延伸至所述第一绝缘隔离结构。
4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述顶部第二导电类型区的顶部与所述第二导电类型阱区的顶部部分重合，所述顶部第二导电类型区的深度小于所述源极
<...【技术特征摘要】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型埋置区的数量为至少两个，各所述第二导电类型埋置区在所述第一漂移区中分散设置。
3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述顶部第二导电类型区的一侧延伸至所述源极区、另一侧延伸至所述第一绝缘隔离结构。
4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述顶部第二导电类型区的顶部与所述第二导电类型阱区的顶部部分重合，所述顶部第二导电类型区的深度小于所述源极区的深度。
5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括设于所述第二导电类型阱区中的第二导电类型的引出区，所述引出区的掺杂浓度大于所述第二导电类型阱区的掺杂浓度。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘腾，何乃龙，张森，宋华，张志丽，章文通，文天龙，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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