【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及发光以及相关，具体地，涉及适用于一种微型发光结构的制备方法和微型发光结构。
技术介绍
1、mini/micro led显示是目前主流推广的一种新型小间距高清显示技术，具有反应快、高色域、高ppi、高亮度、低能耗等优势，可广泛应用在ar/vr微显示，可穿戴微显示等领域。
2、现有技术中，提升微型发光结构亮度的方法有三种，第一种方法为改变微型发光结构的发光芯片的内部刻蚀工艺，提高发光芯片的发光面积，第二种方法为增大发光芯片的尺寸，进而增大发光面积，第三种方法是改变驱动芯片的驱动电压或驱动电流，进而提高发光亮度。上面三种方法中，第一种方案的工艺难度高，实现起来较为复杂，第二中方案的制备成本较高，且面积较大，第三种方案容易使得发光芯片的使用寿命较短。
技术实现思路
1、本文中描述的实施例提供了一种微型发光结构的制备方法和微型发光结构，解决现有技术存在的问题。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种微型发光结构的制备方法，包括：
3、剥离发光芯片的衬底基板，其中，微型发光结构包括发光芯片，所述发光芯片包括阵列排布在所述衬底基板上的发光单元；
4、获取所述微型发光结构的图像信息；
5、根据所述图像信息，通过激光扫描方式在所述发光单元上形成微透镜单元。
6、在本公开一些实施例中，所述发光单元至少包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层、发光层和第三半导体层；
7、所述根据所述图像信息，通过激光扫描
8、根据所述图像信息，在第一方向对部分所述第一半导体层进行处理，以在所述第一半导体层上形成微透镜单元，其中，形成的所述微透镜单元位于所述发光芯片的出光侧。
9、在本公开一些实施例中，所述根据所述图像信息，通过激光剥离方式在所述发光单元上形成微透镜单元，包括：
10、根据所述图像信息，确定激光扫描位置；
11、确定所述激光扫描位置对应的激光扫描次数；
12、基于所述激光扫描次数，对所述发光单元进行处理，以在所述发光单元上形成微透镜单元。
13、在本公开一些实施例中，所述根据所述图像信息，确定激光扫描位置，包括：
14、根据所述图像信息，确定所述发光芯片包括的所述发光单元的位置信息和尺寸信息；
15、根据所述发光单元的位置信息和尺寸信息，确定待形成的微透镜单元的位置信息和结构信息，其中，所述结构信息包括尺寸信息、排布信息和数量信息；
16、根据所述微透镜单元的位置信息和结构信息，确定激光扫描位置。
17、在本公开一些实施例中，所述确定所述激光扫描位置对应的激光扫描次数，包括：
18、响应于目标对象选择的形成的微透镜单元形状的触发操作，获取与所述触发操作对应的激光扫描方式，其中，所述激光扫描方式与形成的微透镜单元形状存在对应关系；
19、根据所述激光扫描方式，确定所述激光扫描位置对应的激光扫描次数。
20、在本公开一些实施例中，所述根据所述激光扫描方式，确定所述激光扫描位置对应的激光扫描次数，包括：
21、确定与所述激光扫描方式对应的激光扫描工艺；
22、基于所述激光扫描工艺，确定所述激光扫描位置对应的激光扫描次数。
23、在本公开一些实施例中，所述基于所述激光扫描次数，对所述发光单元进行处理，以在所述发光单元上形成微透镜单元，包括：
24、基于所述激光扫描工艺，将具有相同的激光扫描次数所对应的第一半导体层的位置进行合并归类；
25、根据对具有相同的激光扫描次数所对应的第一半导体层的位置进行合并归类结果，对所述发光单元进行处理，以在所述发光单元上形成微透镜单元。
26、根据本公开的第二方面，提供了一种微型发光结构，包括发光芯片；
27、所述发光芯片包括阵列排布在衬底基板的发光单元，所述发光单元包括微透镜单元。
28、在本公开一些实施例中，所述发光单元至少包括层叠设置的第一半导体层、、第二半导体层、发光层和第三半导体层，所述第一半导体层包括微透镜单元。
29、在本公开一些实施例中，所述微透镜单元的形状包括以下至少之一：半球形、半圆体、柱状、锥状。
30、本公开实施例提供的微型发光结构的制备方法和微型发光结构，首先获取待处理微型发光结构的图像信息，然后根据图像信息，确定激光扫描位置，以及确定激光扫描位置对应的激光扫描密度；最后基于激光扫描密度，对第一半导体层进行处理，以在至少部分第一半导体层上形成微透镜单元，得到目标微型发光结构，形成的微透镜阵列位于发光芯片的出光侧，实现当在发光单元对应的第一半导体层上形成微透镜单元后，发光单元发出的光经微透镜单元包括的微透镜的界面产生折射，光线以靠近微透镜轴线的方式保持直线射出，将发散的光线进行准直聚拢，具有良好的聚光效果，提高光线的利用率。同时，在微透镜的准直下，发光单元发出的更多光线能够从与该发光单元对应的区域射出，而不是从其他发光单元对应的区域或从发光结构的边侧射出，从而改善光串扰、周边露光的问题，进而能够提升微型发光结构的的清晰度和显示效果。
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1.一种微型发光结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光单元至少包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层、发光层和第三半导体层；
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述图像信息，通过激光剥离方式在所述发光单元上形成微透镜单元，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述图像信息，确定激光扫描位置，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定所述激光扫描位置对应的激光扫描次数，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述激光扫描方式，确定所述激光扫描位置对应的激光扫描次数，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述激光扫描次数，对所述发光单元进行处理，以在所述发光单元上形成微透镜单元，包括：
8.一种微型发光结构，其特征在于，包括发光芯片；
9.根据权利要求8所述的微型发光结构，其特征在于，所述发光单元至少包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层、发光层
10.根据权利要求8或9所述的微型发光结构，其特征在于，所述微透镜单元的形状包括以下至少之一：半球形、半圆体、柱状、锥状。
...【技术特征摘要】
1.一种微型发光结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光单元至少包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层、发光层和第三半导体层；
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述图像信息，通过激光剥离方式在所述发光单元上形成微透镜单元，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述图像信息，确定激光扫描位置，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定所述激光扫描位置对应的激光扫描次数，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱成峰，蔡政银，姜建兴，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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