【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置，更具体地，涉及包括电感器结构的半导体装置。
技术介绍
1、作为电子工业为了满足用户日益增长的需求而快速发展的结果，电子设备变得更小更快，并且表现出更低的功耗。因此，越来越期望电子设备中使用的半导体装置表现出高操作速度且以各种操作电压操作。如此，对电子设备和/或半导体装置中的电力管理的需求增加。
技术实现思路
1、本公开提供了包括可以响应于高操作速度和/或各种操作电压的电感器结构的半导体装置。
2、本公开至少提供了以下半导体装置。根据专利技术构思的一些方面，半导体装置可以包括：基底；元件层，包括布置在基底上的电路元件；布线层，在元件层上；以及再分布层，在布线层上。再分布层可以包括再分布绝缘层和在再分布绝缘层上的再分布导电层。再分布导电层可以包括：连接垫；以及第一电感器结构和第二电感器结构，分别包括具有平面线圈形状的第一电感器再分布线和第二电感器再分布线。分别包括在第一电感器结构和第二电感器结构中的第一电感器再分布线和第二电感器再分布线可以具有不同的厚度。
3、根据专利技术构思的其他方面，半导体装置可以包括：基底；元件层，包括布置在基底上的电路元件；布线层，形成在元件层上，并且包括：布线间绝缘层；下布线和上布线，分别在布线间绝缘层的下表面和上表面上；以及布线过孔，穿过布线间绝缘层并将下布线电连接到上布线；布线接触插塞，将下布线电连接到电路元件；以及再分布层，形成在布线层上且包括再分布绝缘层和再分布导电层，其中，再分布导电层包括：多条电感器再
4、根据专利技术构思的其他方面，半导体装置包括：基底，具有有源区域；字线，设置在基底中；元件层，设置在基底上并且包括：位线，通过直接接触件连接到有源区域；以及电容器结构，通过掩埋接触件和接合垫电连接到有源区域；布线层，设置在元件层上，并且包括：布线间绝缘层；下布线和上布线，分别在布线间绝缘层的下表面和上表面上；以及布线过孔，穿过布线间绝缘层以将下布线电连接到上布线；再分布层，在布线层上包括再分布绝缘层和再分布导电层；以及保护层，在再分布绝缘层上覆盖再分布导电层的部分，其中，再分布导电层包括：多条电感器再分布线，在再分布绝缘层上具有平面线圈形状并且各自构成电感器结构；连接垫，在再分布绝缘层上连接到连接垫连接的再分布线；以及再分布过孔，穿过再分布绝缘层且电连接到上布线，并且连接到连接垫连接的再分布线或所述多条电感器再分布线中的一条电感器再分布线，所述多条电感器再分布线包括具有第一厚度的第一电感器再分布线、具有小于第一厚度的第二厚度的第二电感器再分布线以及具有小于第二厚度的第三厚度的第三电感器再分布线，并且连接垫连接的再分布线和连接垫具有第一厚度。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，包括在第一电感器结构中的第一电感器再分布线的厚度基本等于连接垫的厚度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一电感器结构和第二电感器结构具有多个电感器结构，并且其中，在包括在所述多个电感器结构中的电感器再分布线之中，包括在第一电感器结构中的第一电感器再分布线具有最大厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，包括在第一电感器结构中的第一电感器再分布线的厚度大于包括在第二电感器结构中的第二电感器再分布线的厚度。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一电感器结构和第二电感器结构具有多个电感器结构，并且其中，所述多个电感器结构中的至少一个电感器结构包括射频电感器，并且其他电感器结构中的至少一个电感器结构包括功率电感器。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，相应地包括在第一电感器结构和第二电感器结构中的每个电感器结构中的第一电感器再分布线和第二电感器再分布线的下表面与连接垫的下表面处于相同的竖直水平处。
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8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括保护层，保护层在再分布绝缘层上且布置为覆盖再分布导电层的部分，其中，连接垫不被保护层覆盖。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，多个电感器线图案中的每个电感器线图案被保护层覆盖。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，包括铁磁材料的铁磁结构位于第一电感器结构和第二电感器结构中的每个电感器结构的电感器再分布线的中心部分中，并且
11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，连接垫和连接垫连接的再分布线具有第一厚度。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，连接垫、连接垫连接的再分布线和所述多条电感器再分布线包括相同的材料，并且连接垫的下表面、连接垫连接的再分布线的下表面和所述多条电感器再分布线的下表面与再分布绝缘层的上表面接触。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，所述半导体装置还包括保护层，保护层布置为在再分布绝缘层上覆盖所述多条电感器再分布线、连接垫连接的再分布线和再分布过孔，并且其中，连接垫不被保护层覆盖。
15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，电感器再分布线包括彼此平行延伸的至少两个电感器线图案。
16.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，连接垫、连接垫连接的再分布线和所述多条电感器再分布线中的第一电感器再分布线中的每者具有其间具有界面的至少两个子导电图案的堆叠结构。
17.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，电路元件包括动态随机存取存储器。
18.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，第一电感器结构、第二电感器结构和第三电感器结构包括响应于彼此不同的操作电压而操作的功率电感器。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，包括在第一电感器结构中的第一电感器再分布线的厚度基本等于连接垫的厚度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一电感器结构和第二电感器结构具有多个电感器结构，并且其中，在包括在所述多个电感器结构中的电感器再分布线之中，包括在第一电感器结构中的第一电感器再分布线具有最大厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，包括在第一电感器结构中的第一电感器再分布线的厚度大于包括在第二电感器结构中的第二电感器再分布线的厚度。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一电感器结构和第二电感器结构具有多个电感器结构，并且其中，所述多个电感器结构中的至少一个电感器结构包括射频电感器，并且其他电感器结构中的至少一个电感器结构包括功率电感器。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，相应地包括在第一电感器结构和第二电感器结构中的每个电感器结构中的第一电感器再分布线和第二电感器再分布线的下表面与连接垫的下表面处于相同的竖直水平处。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，相应地包括在第一电感器结构和第二电感器结构中的每个电感器结构中的第一电感器再分布线和第二电感器再分布线与连接垫包括相同的材料。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括保护层，保护层在再分布绝缘层上且布置为覆盖再分布导电层的部分，其中，连接垫不被保护层覆盖。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，多个电感器线图案中的每个电感器线图案被保护层覆盖。<...
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