【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及图像传感器及其制造方法。
技术介绍
1、图像传感器是用于将光学图像转变为电信号的半导体装置。图像传感器可以分类为电荷耦合器件(ccd)型和互补金属氧化物半导体(cmos)型。cis(cmos图像传感器)是cmos型图像传感器的简称。cis可以包括多个二维布置的像素。每个像素包括光电二极管(pd)。光电二极管用于将入射光转变为电信号。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种能够实现清晰图像的图像传感器。
2、本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种能够提高良率的制造图像传感器的方法。
3、本专利技术构思的目的不限于上述专利技术构思，并且根据以下描述，本领域技术人员将清楚地理解上面未提及的其他目的。
4、根据本专利技术构思的一些示例实施例，一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；固定电荷层，所述固定电荷层与所述第二表面接触；层间电介质层，所述层间电介质层覆盖所述第一表面；器件隔离...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括位于所述第一表面上的转移栅极，
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离电介质图案包括：
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述第二隔离电介质图案相邻于所述第一表面具有第三厚度并且相邻于所述第二表面具有第四厚度，所述第四厚度不同于所述第三厚度。
<...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括位于所述第一表面上的转移栅极，
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离电介质图案包括：
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述第二隔离电介质图案相邻于所述第一表面具有第三厚度并且相邻于所述第二表面具有第四厚度，所述第四厚度不同于所述第三厚度。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
9.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
10.根据权利要求9所述的图像传...
【专利技术属性】
技术研发人员：金局泰，金振均，裵秉择，柳承辉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。