【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体设备，具体而言，本申请涉及一种清洗装置和晶圆清洗方法。
技术介绍
1、晶圆清洗是将晶圆在不断被加工成形及抛光处理的过程中，清除由于与各种有机物、粒子及金属接触而产生的污染物的工艺。晶圆清洗工艺是晶圆制造过程中的一个重要工艺步骤。
2、但是，目前晶圆清洗工艺中容易出现对晶圆的正面造成损伤的问题。
技术实现思路
1、本申请针对现有方式的缺点，提出一种清洗装置和晶圆清洗方法，用以解决现有晶圆清洗工艺中容易出现对晶圆的正面造成损伤的技术问题。
2、第一个方面，本申请实施例提供了一种清洗装置，包括：
3、固定件，所述固定件用于固定晶圆的边缘；
4、第一保护气体喷嘴和多个保护液喷嘴，都位于所述晶圆的下方，所述第一保护气体喷嘴朝向所述晶圆的第一面；所述保护液喷嘴朝向所述晶圆的第一面的边缘；
5、清洗药液喷嘴，位于所述晶圆的上方，所述清洗药液喷嘴朝向所述晶圆的第二面，所述第一面与所述第二面相对。
6、可选地，所述保护液喷嘴的倾斜方向从靠近所述晶圆的中轴线处朝向所述晶圆的第一面的边缘；所述保护液喷嘴所在直线与所述晶圆的第二面的设计角度不小于10度且不大于80度；沿所述晶圆的第一面的边缘向所述晶圆的中轴线的方向，所述保护液喷嘴喷射的保护液覆盖所述晶圆的距离不超过10毫米。
7、可选地，所述清洗装置还包括伯努利卡盘，所述伯努利卡盘包括伯努利卡盘本体和多个所述固定件，多个所述固定件围绕设置在所述伯努利卡盘本
8、所述保护液喷嘴和所述第一保护气体喷嘴，均设置在所述伯努利卡盘本体的上表面；
9、多个所述保护液喷嘴围绕设置在所述第一保护气体喷嘴的外周。
10、可选地，还包括第二保护气体喷嘴和清洗喷嘴，所述第二保护气体喷嘴和所述清洗喷嘴均位于所述晶圆的上方且朝向所述晶圆的第二面。
11、可选地，清洗装置包括下述至少一项：
12、所述第一保护气体喷嘴朝向所述晶圆的第一面的几何中心；
13、所述保护液喷嘴的数量不少于一个且不大于3个。
14、第二个方面，本申请实施例提供了一种基于第一个方面所述的清洗装置的晶圆清洗方法，包括：
15、转动晶圆；
16、向旋转中的所述晶圆的第一面吹扫第一保护气体；
17、在持续吹扫所述第一保护气体的情况下，向旋转中的所述晶圆的第一面的边缘喷射保护液；
18、在持续喷射所述保护液的情况下，向旋转中的所述晶圆的第二面喷射清洗药液，以去除所述晶圆的第二面的薄膜，所述保护液的表面张力小于所述清洗药液的表面张力；所述第一面与所述第二面相对，所述第一面具有设计图案。
19、可选地，在持续喷射所述保护液的情况下，向旋转中的所述晶圆的第二面喷射清洗药液之后，所述晶圆清洗方法还包括：
20、停止喷射所述清洗药液后，向所述晶圆的第二面喷射清洗剂；
21、停止喷射所述清洗剂后，停止喷射所述保护液。
22、可选地，停止喷射所述保护液后，所述晶圆清洗方法还包括：
23、在持续吹扫所述第一保护气体的情况下，向旋转中的所述晶圆的第二面吹扫第二保护气体。
24、可选地，所述保护液包括异丙醇和/丙酮；
25、所述保护液的流量不小于0.1升每分钟且不大于10升每分钟。
26、可选地，晶圆清洗方法包括下述至少一项：
27、所述第一保护气体为氮气，所述第一保护气体的流量不小于200升每分钟且不大于1000升每分钟；
28、所述清洗药液为氢氟酸和硝酸的混合液；所述氢氟酸与所述硝酸的比例不小于1：20且不大于1：1；
29、所述清洗药液为纯氢氟酸或稀释氢氟酸，所述稀释氢氟酸中的氢氟酸与去离子水的比例不小于1：100且小于1：0；
30、所述清洗药液的流量不小于0.1升每分钟且不大于5升每分钟；
31、所述清洗药液的喷射时间不小于3秒且不大于60秒。
32、本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
33、第一保护气体喷嘴设置在晶圆的下方，第一保护气体喷嘴用于向晶圆的第一面吹扫保护气体，以防止清洗药液从晶圆的第二面流至晶圆的第一面而损伤晶圆的第一面。以及在晶圆的下方设置保护液喷嘴，保护液喷嘴朝向晶圆的第一面的边缘，用于向晶圆的第一面的边缘喷射保护液，因保护液的表面张力小于清洗药液的表面张力，则清洗药液与保护液相撞时，表面张力低的保护液会向表面张力高的清洗药液的方向流动，由此能够有利于防止清洗药液从晶圆的第二面的边缘流入至晶圆的第一面的边缘，从而能够避免清洗药液对晶圆的第一面造成损伤，进而能够提高晶圆的良率。而且清洗药液喷嘴设置在晶圆的上方，用于向晶圆的第二面喷射清洗药液，以能够去除晶圆的第二面沉积的各种薄膜，有利于避免晶圆因第二面沉积的各种薄膜而过度翘曲，从而保证晶圆的正常使用。
34、由上可知，本申请对晶圆的第一面设置双层保护，即在第一保护气体喷嘴向晶圆的第一面吹扫保护气体的基础上，保护液喷嘴向晶圆的第一面的边缘喷射保护液。由此，能够避免清洗药液从晶圆的第二面反溅到晶圆的第一面而造成晶圆的第一面过刻蚀，从而有利于保护晶圆的第一面完整，进而有利于提高晶圆的良率，有利于提升客户信赖度。
35、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述保护液喷嘴的倾斜方向从靠近所述晶圆的中轴线处朝向所述晶圆的第一面的边缘；
3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括伯努利卡盘，所述伯努利卡盘包括伯努利卡盘本体和多个所述固定件，多个所述固定件围绕设置在所述伯努利卡盘本体的周边；
4.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括第二保护气体喷嘴和清洗喷嘴，所述第二保护气体喷嘴和所述清洗喷嘴均位于所述晶圆的上方且朝向所述晶圆的第二面。
5.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，包括下述至少一项：
6.一种基于权利要求1至5中任一所述的清洗装置的晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在持续喷射所述保护液的情况下，向旋转中的所述晶圆的第二面喷射清洗药液之后，还包括：
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，停止喷射所述保护液后，还包括：
9.根据权利要求6所述的晶圆清洗方
10.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，包括下述至少一项：
...【技术特征摘要】
1.一种清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述保护液喷嘴的倾斜方向从靠近所述晶圆的中轴线处朝向所述晶圆的第一面的边缘；
3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括伯努利卡盘，所述伯努利卡盘包括伯努利卡盘本体和多个所述固定件，多个所述固定件围绕设置在所述伯努利卡盘本体的周边；
4.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括第二保护气体喷嘴和清洗喷嘴，所述第二保护气体喷嘴和所述清洗喷嘴均位于所述晶圆的上方且朝向所述晶圆的第二面。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：关超阳，罗东，刘健，金娇，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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