壳体及其制备方法和电子设备技术

技术编号:40183791 阅读:19 留言:0更新日期:2024-01-26 23:48
本申请涉及一种电子设备技术领域,特别涉及一种壳体及其制备方法和电子设备,壳体包括壳基体、第一膜层、第二膜层和相变材料;所述第一膜层位于所述壳基体上;所述相变材料位于所述第一膜层背离所述壳基体的一侧;所述第二膜层位于所述相变材料背离所述第一膜层一侧,所述相变材料能够在吸收从所述第二膜层传导的热量后发生液相到气相的相态变化。本申请的壳体能够改善电子设备的散热问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子设备,特别涉及一种壳体及其制备方法和电子设备


技术介绍

1、随着信息技术的不断发展,电子设备的性能逐年飙升。随着电子设备性能的提升,电子设备内部元器件的功率愈发增大,对电子设备的散热提出了更高的要求。


技术实现思路

1、基于此,本申请提供一种能够改善散热问题的壳体及其制备和电子设备。

2、本申请第一方面提供一种壳体,其技术方案如下:

3、一种壳体,包括壳基体、第一膜层、第二膜层和相变材料;所述第一膜层位于所述壳基体上;所述相变材料位于所述第一膜层背离所述壳基体的一侧;所述第二膜层位于所述相变材料背离所述第一膜层一侧,所述相变材料能够在吸收从所述第二膜层传导的热量后发生液相到气相的相态变化;

4、所述壳基体具有透气孔,所述透气孔用于透过气相的相变材料至壳体外侧;所述第一膜层用于透过气相的相变材料并阻隔液相的相变材料至壳体外侧;所述第二膜层用于阻隔液相的相变材料和气相的相变材料至壳体内侧。

5、本申请第二方面提供一种壳体的制备方法,其技术方案如下:<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种壳体,其特征在于,包括壳基体、第一膜层、第二膜层和相变材料;所述第一膜层位于所述壳基体上;所述相变材料位于所述第一膜层背离所述壳基体的一侧;所述第二膜层位于所述相变材料背离所述第一膜层一侧,所述相变材料能够在吸收从所述第二膜层传导的热量后发生液相到气相的相态变化;

2.根据权利要求1所述的壳体,其特征在于,所述壳基体包括壳主体和围绕所述壳主体设置的侧壁,所述第一膜层位于所述壳主体上,所述第二膜层位于所述第一膜层背离所述壳主体一侧,所述第一膜层、所述第二膜层和所述侧壁围设形成收容空间,所述相变材料位于所述收容空间内。

3.根据权利要求1所述的壳体,其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种壳体,其特征在于,包括壳基体、第一膜层、第二膜层和相变材料;所述第一膜层位于所述壳基体上;所述相变材料位于所述第一膜层背离所述壳基体的一侧;所述第二膜层位于所述相变材料背离所述第一膜层一侧,所述相变材料能够在吸收从所述第二膜层传导的热量后发生液相到气相的相态变化;

2.根据权利要求1所述的壳体,其特征在于,所述壳基体包括壳主体和围绕所述壳主体设置的侧壁,所述第一膜层位于所述壳主体上,所述第二膜层位于所述第一膜层背离所述壳主体一侧,所述第一膜层、所述第二膜层和所述侧壁围设形成收容空间,所述相变材料位于所述收容空间内。

3.根据权利要求1所述的壳体,其特征在于,所述第一膜层和/或所述第二膜层的边缘向彼此延伸至所述第一膜层和所述第二膜层围设形成收容空间,所述相变材料位于所述收容空间内。

4.根据权利要求3所述的壳体,其特征在于,所述壳基体包括壳主体和围绕所述壳主体设置的侧壁,所述第一膜层位于所述壳主体上,所述第二膜层位于所述第一膜层背离所述壳主体一侧,所述第一膜层和/或所述第二膜层的边缘沿所述侧壁向彼此延伸至所述第一膜层和所述第二膜层围设形成所述收容空间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的壳体,其特征在于,所述透气孔的孔径为50μm~100μm。

6.根据权利要求5所述的壳体,其特征在于,所述透气孔的数量满足以下条件中的至少一条:

7.根据权利要求1至4中任一项所述的壳体,其特征在于,所述相变材料满足以下条件中的至少一条:

【专利技术属性】
技术研发人员:吴中正陈松
申请(专利权)人:深圳市万普拉斯科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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