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本申请涉及一种电子设备技术领域，特别涉及一种壳体及其制备方法和电子设备，壳体包括壳基体、第一膜层、第二膜层和相变材料；所述第一膜层位于所述壳基体上；所述相变材料位于所述第一膜层背离所述壳基体的一侧；所述第二膜层位于所述相变材料背离所述第一膜...
该专利属于深圳市万普拉斯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市万普拉斯科技有限公司授权不得商用。

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