【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光制造和半导体，尤其涉及一种氮化镓衬底激光切片方法及系统。
技术介绍
1、本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
2、氮化镓(gan)是一种典型的第三代半导体材料，具有击穿电压高、开关速度快、热导率高、导通电阻低等多方面优势，已广泛应用于led(照明、显示)、射频通讯、高频功率器件等领域。特别是gan高频功率器件，可以在高达10兆赫兹频率下进行开关，功率达几十千瓦，开关频率是同为第三代半导体碳化硅(sic)的10倍，在蜂窝基站功率放大器、军用雷达、卫星通信等领域存在重要应用。通常，gan器件是在sic、单晶硅或蓝宝石等衬底上生长的，这一方式虽然成本较低但会导致生长出的gan器件螺纹位错密度高达108/cm2，产生如漏电等诸多问题，降低了器件的性能与质量。为获得高质量的gan器件，需要在原生gan衬底上外延生长gan器件，以此将螺纹位错密度降低1～2个数量级。然而，原生gan衬底的价格十分昂贵，约为同等尺寸sic衬底的5倍、单晶硅衬底的100倍，导致以此生产的高质量gan器...
【技术保护点】
1.一种氮化镓衬底激光切片方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种氮化镓衬底激光切片方法，其特征在于，第一设定能量为大于等于0.8μJ，小于等于2μJ；
3.如权利要求1所述的一种氮化镓衬底激光切片方法，其特征在于，脉冲激光的脉冲宽度大于等于100fs，小于等于1ns。
4.如权利要求1所述的一种氮化镓衬底激光切片方法，其特征在于，对氮化镓衬底进行扫描时，沿氮化镓衬底a边进行扫描，之后沿m边步进设定步进长度后，再沿a边进行扫描，直至沿m边步进设定步进长度后，激光无法照射在氮化镓衬底上。
5.如权利要求4所述的...
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓衬底激光切片方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种氮化镓衬底激光切片方法，其特征在于，第一设定能量为大于等于0.8μj，小于等于2μj；
3.如权利要求1所述的一种氮化镓衬底激光切片方法，其特征在于，脉冲激光的脉冲宽度大于等于100fs，小于等于1ns。
4.如权利要求1所述的一种氮化镓衬底激光切片方法，其特征在于，对氮化镓衬底进行扫描时，沿氮化镓衬底a边进行扫描，之后沿m边步进设定步进长度后，再沿a边进行扫描，直至沿m边步进设定步进长度后，激光无法照射在氮化镓衬底上。
5.如权利要求4所述的一种氮化镓衬底激光切片方法，其特征在于，沿氮化镓衬底a边左至右和从右至左进行两次扫描，使得在同一焦点处进行两次脉冲激光照射。
6.如权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂鸿坤，白蒙，姚勇平，梁润泽，李阳，张百涛，何京良，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：
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