一种大马士革结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种大马士革结构及其制备方法，该制备方法包括提供基底，在基底上形成第一介电层，在第一介电层中形成通孔，在第一介电层的上方以及通孔的内壁上形成刻蚀阻挡层，在刻蚀阻挡层上形成牺牲层，牺牲层包括完全填充通孔的第一部分及形成在第一介电层的上方及通孔上的第二部分，在牺牲层的第二部分的上方形成光刻胶层，光刻胶层上具有第一开口，第一开口对应通孔，沿光刻胶层的第一开口依次刻蚀牺牲层的第二部分及第一部分，使牺牲层的第二部分上形成与第一开口的图案相同的第二开口；沿第二开口依次刻蚀第二开口暴露出的层结构，形成沟槽。本发明专利技术能够避免出现围栏或者大喇叭口现象，改善大马士革的形貌，保证后续的连通效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，具体涉及一种大马士革结构及其制备方法。

技术介绍

1、随着集成电路的不断发展，晶体管的特征尺寸不断缩小。在特征尺寸不断缩小的同时，为了减小电路rc延迟时间，采用了铜作为后道工艺的金属连线，并使用介电常数小的材料作为金属线之间的绝缘层。由于铜的干法刻蚀工艺不易实现，铜导线的制作方法不能像铝导线一样通过刻蚀金属层而获得，现在广泛采用的铜导线的制作方法为大马士革工艺的镶嵌技术。该大马士革工艺是通过刻蚀技术在介质中刻蚀出将会被铜填充的沟槽和通孔，在刻蚀出来的沟槽和通孔中淀积铜后，再通过cmp技术将多余的铜去除，就形成了与al线一样的金属连线。

2、然而，在现有的大马士革结构的形成过程中，在刻蚀形成沟槽时容易对通孔侧壁产生刻蚀，导致出现形貌不规则的情况，影响后续形成结构的可靠性。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种大马士革结构及其制备方法，以解决现有制备大马士革结构时，形成的大马士革的形貌不规则的问题。

2、为了实现上述目的及其本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大马士革结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，所述基底的形成方法包括：

3.根据权利要求2所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底的表面形成第二介电层之前，还包括：

4.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在所述基底的上方形成第一介电层之前，还包括：

5.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在形成所述第一介电层之后，形成所述通孔之前，包括：

6.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在形成所述牺...

【技术特征摘要】

1.一种大马士革结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，所述基底的形成方法包括：

3.根据权利要求2所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底的表面形成第二介电层之前，还包括：

4.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在所述基底的上方形成第一介电层之前，还包括：

5.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在形成所述第一介电层之后，形成所述通孔之前，包括：

6.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳黎明，谢梦婷，李钊，黄永彬，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：