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本发明公开了一种大马士革结构及其制备方法，该制备方法包括提供基底，在基底上形成第一介电层，在第一介电层中形成通孔，在第一介电层的上方以及通孔的内壁上形成刻蚀阻挡层，在刻蚀阻挡层上形成牺牲层，牺牲层包括完全填充通孔的第一部分及形成在第一介电层...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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