【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及精细化工领域技术，尤其涉及一类双烷基和有机环状羧酸配位的锡氧金属团簇及其合成与应用。
技术介绍
1、光刻是半导体芯片生产中的关键工序，决定着芯片的最终功效。在曝光过程中，光通过有图案的掩模照射硅片，硅片上涂有光刻胶膜，引起光刻反应和溶解度转化。若曝光部分溶解度降低，则为负光刻胶；反之，如果曝光部分的溶解度增大，则为正性光刻胶。然后是曝光后烘烤(peb)和显影，使掩模上的图案显示在光刻胶薄膜上。蚀刻后，除去光刻胶薄膜，将掩模上的图案转移到硅片上。
2、随着ic特征尺寸亚微米、深亚微米方向快速发展，现有的光刻机和光刻胶已无法适应新的光刻工艺要求。光刻机的曝光波长也在由紫外谱g线(436nm)-i线(365nm)-248nm-193nm-极紫外光(euv)，euv以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术，成为光刻胶发展的主流趋势，未来发展5nm以下的分辨节点，因此急需发展13.5nm的极紫外光(euv)光刻技术。
3、由于极紫外光具有单个光子能量高，在曝光量相同时，euv的光子密度只有193nm...
【技术保护点】
1.一类双烷基和有机环状羧酸配位的锡氧金属团簇，其特征在于，所述锡氧金属团簇具有如下通式I的结构
2.根据权利要求1所述的一类双烷基和有机环状羧酸配位的锡氧金属团簇，其特征在于，R’选自具有1-8个碳的烷基或2-8个碳的烯基；
3.权利要求1-2任意一项所述的一类双烷基和有机环状羧酸配位的锡氧金属团簇的合成方法，其特征在于，包括：在惰性气体保护下，将带有R’取代基修饰的氧化锡与带有R”取代基修饰的有机羧酸按照摩尔比为1:1-10在有机溶剂中反应，反应温度为70-12℃，反应时间为8h，反应结束后，进行冷却、减压蒸发、干燥过夜处理，得到残留物；采...
【技术特征摘要】
1.一类双烷基和有机环状羧酸配位的锡氧金属团簇，其特征在于，所述锡氧金属团簇具有如下通式i的结构
2.根据权利要求1所述的一类双烷基和有机环状羧酸配位的锡氧金属团簇，其特征在于，r’选自具有1-8个碳的烷基或2-8个碳的烯基；
3.权利要求1-2任意一项所述的一类双烷基和有机环状羧酸配位的锡氧金属团簇的合成方法，其特征在于，包括：在惰性气体保护下，将带有r’取代基修饰的氧化锡与带有r”取代基修饰的有机羧酸按照摩尔比为1:1-10在有机溶剂中反应，反应温度为70-12℃，反应时间为8h，反应结束后，进行冷却、减压蒸发、干燥过夜处理，得到残留物；采用甲苯溶解残留物，降至室温，析出无色晶体，所述无色晶体为锡氧金属团簇。
4.根据权利要求3所述的合成方法，其特征在于，所述带有r’取代基修饰的氧化锡与带有r”取代基修饰的有机羧酸组成的混合物与有机溶剂的质量比为1g：1-5ml。
...【专利技术属性】
技术研发人员：彭孝军，陈昊，陈鹏忠，王东平，樊江莉，杜健军，孙文，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：
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