【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及电子设备领域，特别涉及一种光刻机载物台及ovl异常检测方法。
技术介绍
1、套刻精度(ovl，overlay)是衡量fab(fabrication制作)安全稳定生产的关键参数，随着芯片关键尺寸(cd)越来越小，对套刻精度的要求越来越高。thermal效应andstress效应是fab内常见非线性ovl异常，二者ovl矢量map表现也相似，均无法进行线性补偿提高套刻精度。
2、因此，急需一种方法快速判断是thermal or stress导致的非线性ovl异常。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种光刻机载物台及ovl异常检测方法。可以解决相关技术中无法对晶圆进行监控的问题。所述技术方案如下：
2、根据本申请的一个方面，提供了一种光刻机载物台，所述光刻机载物台包括：吸附台、升降pin、真空吸附边框和底座；
3、所述吸附台位于所述真空吸附边框内，所述吸附台与所述真空吸附边框之间形成有真空吸附腔，所述吸附台中贯穿有所述升降pin；
4、所述升降pin设置有晶圆夹，所述升降pin用于表面承载晶圆并通过所述晶圆夹对所述晶圆进行固定；
5、所述吸附台设置有夹具，所述夹具用于固定所述升降pin。
6、可选的，所述光刻机载物台还包括底座，所述升降pin的底部与所述底座固定连接。
7、可选的，所述吸附台的上表面与所述真空吸附边框的上表面位于同一高度。
8、根据本申请的另一个方面，提供了
9、启动所述升降pin至目标高度，所述晶圆夹处于待夹持状态；
10、所述晶圆置入后，所述升降pin承载所述晶圆下降，所述晶圆夹夹持住所述晶圆，且所述夹具处于待夹持状态；
11、响应于所述晶圆下降至目标位置，所述夹具释放；
12、响应于所述夹具的释放时间满足预设时间，所述夹具再次夹持所述晶圆；
13、启动所述升降pin至所述吸附台表面。
14、可选的，所述预设时间根据所述晶圆的应力大小进行设置。
15、可选的，所述预设时间为150毫秒。
16、可选的，所述晶圆夹和所述夹具为手动操作或感应操作中的一种。
17、本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
18、本申请实施例中，通过ovl异常检测方法改变光刻机晶圆移至吸附台上的真空吸附过程，从而改变应力带来的高阶ovl异常，提高了ovl套刻精度，减少晶圆盈利带来的套刻偏差。
19、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光刻机载物台，其特征在于，所述光刻机载物台包括：吸附台、升降Pin、真空吸附边框和底座；
2.根据权利要求1所述的光刻机载物台，其特征在于，所述光刻机载物台还包括底座，所述升降Pin的底部与所述底座固定连接。
3.根据权利要求1所述的光刻机载物台，其特征在于，所述吸附台的上表面与所述真空吸附边框的上表面位于同一高度。
4.一种OVL异常检测方法，其特征在于，所述方法适用于如上述权利要求1至3任一所述的光刻机载物平台，所述方法包括：
5.根据权利要求4所述的OVL异常检测方法，其特征在于，所述预设时间根据所述晶圆的应力大小进行设置。
6.根据权利要求4所述的OVL异常检测方法，其特征在于，所述预设时间为150毫秒。
7.根据权利要求4所述的OVL异常检测方法，其特征在于，所述晶圆夹和所述夹具为手动操作或感应操作中的一种。
【技术特征摘要】
1.一种光刻机载物台，其特征在于，所述光刻机载物台包括：吸附台、升降pin、真空吸附边框和底座；
2.根据权利要求1所述的光刻机载物台，其特征在于，所述光刻机载物台还包括底座，所述升降pin的底部与所述底座固定连接。
3.根据权利要求1所述的光刻机载物台，其特征在于，所述吸附台的上表面与所述真空吸附边框的上表面位于同一高度。
4.一种ovl异常检测方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李亚洲，姚振海，金乐群，居碧玉，高中原，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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