一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，包括：（1）将硅片置于热丝化学气相沉积设备的反应腔室中，抽真空，通入硅烷、乙硼烷和氢气，沉积厚度为10~30nm的掺硼非晶硅层，出腔；（2）进行激光选择性重掺杂处理；（3）将硅片置于硼扩散炉管中，抽真空，通入氮气进行无氧硼扩散；（4）抽真空，氮气吹扫，通入氧气，将硅片进行氧化推结，完成硅片的选择性掺杂硼扩散。本发明专利技术采用掺硼非晶硅可以使得激光选择性重掺杂中采用较低激光功率就可以将离子扩散到较大的深度；采用热丝化学气相沉积法制备掺硼非晶硅层，不会出现绕扩现象；采用无氧硼源，整个工艺中无B2O3副产物产生，不会对石英件造成损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法。

技术介绍

1、太阳能是一种清洁、高效和永不枯竭的新能源。光伏发电具有安全可靠、环保无污染等优点。目前，由于硅材料在地壳中有着极其丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其它类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能，所以硅太阳能电池在光伏领域占据着重要的地位。

2、在硅太阳能电池的制备过程中，硼扩散掺杂是实现太阳能电池高转换效率的关键。目前量产硅太阳能电池的硼扩散均采用低浓度浅结结构的均匀结的工艺。低浓度浅结结构会对金属电极浆料提出新的挑战，低浓度掺杂易导致接触电阻差，电池串联电阻高，填充因子ff低。同时，浅结扩散易增加电极金属向pn结区渗透的几率，从而降低电池的转换效率。

3、为了得到更高的电池转换效率，选择性掺杂硼扩散技术孕育而生。在非金属接触区域采用低浓度浅结，金属接触区域采用高浓度深结，在提高电池的开路电压和短路电流的同时，降低电池的串联电阻，提高电池的填充因子，从而有效提升电池的转换效率。

4、目前，选择性掺杂硼扩散仍主要采用传统的cvd硼扩本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，其特征在于：步骤（2）中，激光选择性重掺杂处理采用绿光激光。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，其特征在于：所述绿光激光的脉宽为500ps~2ns，扫描速度15000~35000m/s。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，其特征在于：步骤（3）中，无氧硼扩散的压力为300~500mbar，温度为900~930℃，时间为50~150s。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，其特征在于：步骤（2）中，激光选择性重掺杂处理采用绿光激光。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，其特征在于：所述绿光激光的脉宽为500ps~2ns，扫描速度15000~35000m/s。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆敏，李丙科，宋银海，张海洋，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：