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本发明提供一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，包括：（1）将硅片置于热丝化学气相沉积设备的反应腔室中，抽真空，通入硅烷、乙硼烷和氢气，沉积厚度为10~30nm的掺硼非晶硅层，出腔；（2）进行激光选择性重掺杂处理；（3）将硅片置于硼扩散炉管中...
该专利属于无锡松煜科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡松煜科技有限公司授权不得商用。

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