【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及接合构造以及半导体装置。
技术介绍
1、以往，公知有具备mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulated gate bipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)等电力用半导体元件的半导体装置。这种半导体装置搭载于从工业设备到家庭用电器具、信息终端、车载用设备的所谓的电子设备。在专利文献1中公开了现有的半导体装置(电力用半导体模块)。专利文献1所记载的电力用半导体模块具备陶瓷电路基板、电力用半导体元件、金属筒、外部端子、以及传递模塑树脂(参照专利文献1的图6)。陶瓷电路基板包含陶瓷板、以及设于陶瓷板的铜箔的导电部(配线图案)。电力用半导体元件和金属筒配置于陶瓷电路基板的配线图案。金属筒例如通过焊锡而与配线图案接合。外部端子与金属筒例如压入接合。外部端子从传递模塑树脂的上表面突出。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2010－129795号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在专利文献1所记载的电力用半导体装置中，向金属筒插入外部端子。在这样向金属筒插入外部端子的结构中，如果外部端子向金属筒的插入量少，则有外部端子从金属筒拔出的担忧。
3、本公开是鉴于上述事情而研究出的方案，一个课题是提供一种能够适当地确保外部端子向金属筒的插入量的、金属筒与导电部
4、用于解决课题的方案
5、由本公开的第一方案提供的接合构造具备：导电基板，其具有导电部；端子，其包含具有导电性的筒状的支架、以及插入到上述支架的金属销；以及导电性接合材料，其将上述导电部与上述支架接合，上述金属销包含沿上述导电部的厚度方向延伸的直状部，上述支架具有在上述厚度方向上延伸而且上述金属销的上述直状部插入的第一贯通孔，上述导电部具有上述支架接合的端子接合面、以及形成于上述端子接合面的开口部，在上述厚度方向上观察时，上述开口部的外周缘的至少一部分位于上述支架的外周缘的内方。
6、由本公开的第二方案提供的半导体装置具备：由第一方案提供的接合构造；以及与上述端子电连接的半导体元件。
7、专利技术效果
8、根据本公开的接合构造，能够适度确保金属销向支架的插入量。另外，本公开的半导体装置具备适度确保金属销向支架的插入量的接合构造，因此能够抑制金属销从支架拔出。
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1.一种接合构造，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的接合构造，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的接合构造，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的接合构造，其特征在于，
5.根据权利要求2至4任一项中所述的接合构造，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的接合构造，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的接合构造，其特征在于，
8.根据权利要求1至7任一项中所述的接合构造，其特征在于，
9.根据权利要求1至8任一项中所述的接合构造，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的接合构造，其特征在于，
11.根据权利要求1至8任一项中所述的接合构造，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的接合构造，其特征在于，
13.一种半导体装置，其特征在于，具备：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求16或17所述的半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种接合构造，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的接合构造，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的接合构造，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的接合构造，其特征在于，
5.根据权利要求2至4任一项中所述的接合构造，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的接合构造，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的接合构造，其特征在于，
8.根据权利要求1至7任一项中所述的接合构造，其特征在于，
9.根据权利要求1至8任一项中所述的接合构造，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的接合构造，其...
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