【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，尤其涉及一种半导体立式炉热处理用立式晶舟。
技术介绍
1、太阳能发电当前主要包括两个大方面：光热发电（thermal power plants）和光伏（photovoltaic，pv）发电。其中光伏发电是利是用半导体界面中产生的光生伏特效应，将太阳辐射的能量直接转变为电能的一种技术，这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池是将太阳辐射的能量直接转化成电能的半导体器件。
2、太阳能电池相关的电子元件一般使用从半导体晶棒切割出来的晶片来制造，晶片加工至电子元件的工艺包括多个步骤。上述工艺最关键的步骤即为晶片的热处理步骤，热处理旨在在晶片表层形成氧化膜、结晶化等重要步骤。由于产业化的需求，一次热处理所需处理的晶片数量越来越多，为了满足需求，热处理过程中，主要使用一种立式晶舟，对竖直方向排列的若干晶片同时进行存储以及热处理，其主要作用在于保护晶片在运输转移以及处理过程中不受破坏。例如现有技术中，公开号为cn1823407b的中国专利技术专利公开了一种热处理用立式晶舟，具有顶板、底板、以及固定于该顶板与底板之间的支柱构件，并于该支柱构件形成有多个槽，在各槽之间形成有支撑部，用以水平地支撑晶片状的被处理体。其中所述支柱构件具有圆弧状的横剖面，圆筒状地配置有两支以上的支柱构件，这些支柱构件与形成有所述槽且内侧呈圆弧状的支撑部整体形成，所述晶片状被处理体从所述支柱构件的槽插入，通过圆弧状的各支撑部沿着下面周边部支撑着。这种立式晶舟在满足同时支撑多个晶片的情况下，在各个晶片之前还留有充足的距离，以避免热处理
3、然而，晶片的热处理步骤的升温速度是非常快速地变化的，这种变化过程会使得上述用于支撑晶片的支撑部产生微小凸起，参考图6，支撑板301出现的微小凸起与晶片11在其中间处形成点接触。点接触对于晶片的支撑是不利的，因为点接触使得晶片受到的支撑面变得很小，这样在遇到外界气流，或者其他扰动，例如温度差所在晶片内部产生的热应力的情况下，晶片很容易产生晃动而从支撑部上落下损坏。即使晶片没有落下，但是晶片会随着扰动而晃动，其边缘会磕在其他支撑部件上，其边缘会产生碎口，这样具有碎口的晶片因无法使用也会面临报废处理，降低了晶片生产的良品率，不利于晶片的大规模生产过程。
4、所以，目前需要一种能够降低在加热过程对晶片形成点接触情况的立式晶舟。
技术实现思路
1、本专利技术目的是提供一种半导体立式炉热处理用立式晶舟。该立式晶舟用于支撑晶片的支撑板上设有预制槽，在热处理过程中，预制槽利用支撑板本身受热膨胀的变形效果而逐渐变平，从而增大与晶片的接触面积，有效的降低了支撑板对晶片形成点接触的情况。
2、本专利技术解决上述问题采用的技术方案是：一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，用于水平地设置多个晶片，包括：
3、基座，具有至少一个放置用底面；
4、立柱，设置在所述基座上，且向上延伸；
5、支撑板单元，设置在所述立柱上，且具有至少一个支撑用平面；
6、所述支撑板单元包括支撑板，设置在所述支撑板上的倾斜面，以及设置在所述倾斜面上的预制槽；
7、所述支撑板包括靠近所述立柱的内侧端，以及远离所述立柱的外侧端；
8、所述倾斜面的设置使得所述支撑板自内侧端向外侧端逐渐变薄；
9、所述预制槽包括槽边以及槽中，所述预制槽沿所述内侧端向外侧端逐渐向所述槽中收缩；
10、所述预制槽自槽边向槽中逐渐变深。
11、其中，预制槽在倾斜面上形成了一个类抛物线轨迹的槽边，槽中则为该槽边形成的对称线。可见由于倾斜面的存在，支撑板自内侧端向外侧端是逐渐变浅的，容易理解的是，热膨胀带来的形变效果，会随着支撑板的料厚的增大而更为明显，所以相同温度下支撑板的内侧端相对于外侧端的形变会更加明显。当预制槽沿所述内侧端向外侧端逐渐向所述槽中收缩时，代表着预制槽靠近支撑板外侧端一侧的槽宽更窄，这样更浅、更窄的预制槽仅依靠支撑板外侧端的微小形变，便能够从凹槽形态转化为水平形态，从而更好的支撑晶片。
12、进一步优选的技术方案在于：所述预制槽的槽边为抛物线形状。
13、进一步优选的技术方案在于：相邻的所述立柱之间设置有横向加强筋。
14、进一步优选的技术方案在于：所述基座上设有下抵止面，所述顶板上设有上抵止面。
15、进一步优选的技术方案在于：所述下抵止面与所述上抵止面具有共同的竖直平面。
16、进一步优选的技术方案在于：所述基座还设有下通气孔，所述顶板还设有上通气孔。
17、进一步优选的技术方案在于：所述下通气孔与上通气孔孔心的连线垂直于所述基座的下底面。
18、进一步优选的技术方案在于：所述基座还设有用于连接所述顶板的连接柱。
19、进一步优选的技术方案在于：所述预制槽的槽深与所述支撑板厚度的比例为1：3-3.75。
20、进一步优选的技术方案在于：
21、综上，本专利技术具有以下有益之处：
22、1.用于支撑晶片的支撑板上设置有预制槽，在晶片的热处理过程中，支撑板受热膨胀，膨胀部分会填平整个预制槽，使得对晶片支撑作用更加平稳，并且降低了支撑盘受热膨胀后对晶片点接触的问题；
23、2.预制槽整体由两边向中心收缩，以适配支撑板受热膨胀后的形貌变化趋势；
24、3.支撑板上还设有倾斜面，以方便晶片的安装；
25、4.预制槽还从内向外逐渐变窄，以适配具有倾斜面的支撑板受热膨胀后的形貌变化趋势。
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1.一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，用于水平地设置多个晶片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，所述预制槽（303）的槽边（303a）为抛物线形状。
3.根据权利要求1所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，还包括设置在所述立柱（2）顶端上的顶板（4）。
4.根据权利要求1所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，相邻的所述立柱（2）之间设置有横向加强筋（5）。
5.根据权利要求3所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，所述基座（1）上设有下抵止面（101），所述顶板（4）上设有上抵止面（401）。
6.根据权利要求5所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，所述下抵止面（101）与所述上抵止面（401）相互平行。
7.根据权利要求3所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，所述基座（1）还设有下通气孔（102），所述顶板（4）还设有上通气孔（402）。
8.根据权利要求7所述的一种半导体
9.根据权利要求3所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，所述基座（1）还设有用于连接所述顶板（4）的连接柱（6）。
10.根据权利要求1所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，所述预制槽（303）的槽深与所述支撑板（301）厚度的比例为1：（3-3.75）。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，用于水平地设置多个晶片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，所述预制槽（303）的槽边（303a）为抛物线形状。
3.根据权利要求1所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，还包括设置在所述立柱（2）顶端上的顶板（4）。
4.根据权利要求1所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，相邻的所述立柱（2）之间设置有横向加强筋（5）。
5.根据权利要求3所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，其特征在于，所述基座（1）上设有下抵止面（101），所述顶板（4）上设有上抵止面（401）。
6.根据权利要求5所述的一种半导体立式炉热处理用立式晶舟...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆敏，张桉民，陈加朋，李丙科，闫文彬，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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