【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光伏电池制造，尤其涉及一种提高臭氧输出压力稳定性的装置。
技术介绍
1、太阳能光伏电池是一种将太阳能转化为电能的装置。它利用光伏效应，将太阳光直接转换为电能。光伏电池通常由多个薄片组成，其中每个薄片都是由半导体材料制成。当太阳光照射到光伏电池上时，光子会与半导体材料中的电子发生相互作用，从而产生电流。光伏电池的工作原理可以简单地概括为以下几个步骤：光子的能量被光伏电池吸收，将电子从半导体原子中释放出来，释放的电子在半导体中形成电流，被导线收集起来，通过导线，电流可以被传输到需要使用电能的设备上。光伏电池的使用具有很多优势。首先，它们是一种清洁、可再生的能源形式，不会产生二氧化碳等有害气体。其次，光伏电池可以在无需燃料的情况下直接转换太阳能为电能，因此具有较低的运营成本。另外，光伏电池可以在各种规模上使用，从小型便携式设备到大型太阳能发电站都可以应用。
2、太阳能光伏电池的制造过程，首先要准备光伏电池的材料，主要包括硅片、导电背膜、透明导电玻璃、电极材料等。硅片是光伏电池中最重要的材料，可以通过单晶硅、多晶硅或非晶硅等不同制备方法得到，总之，硅片是太阳能光伏电池的核心组件，其制备过程包括清洗制绒、扩散制结、刻蚀、去磷硅玻璃、印刷电极等步骤。产业化制备过程的晶体硅太阳能电池一直在向薄片化发展，从70年代的400μm-450μm降低到现在的180μm左右。薄片化的晶体硅太阳能电池具有提高光电转换效率、降低成本以及提高柔性和可弯曲性等等优势，其中对于工厂来说，硅片厚度降低的一个直接好处就是节约了生产成本。>
3、当然对于晶体硅太阳能电池而言，硅片厚度不能无限减薄，根据willeke的研究表明，“在保证电池具有足够优良的钝化和减反射处理的前提下,晶体硅太阳电池片的最优厚度在50μm左右"。所以硅片厚度减薄的一个重要前提就是优良的表面钝化，能否成功减薄硅片厚度，降低生产成本，钝化技术将成为关键。
4、当今高效晶体硅太阳电池通常采用良好的表面钝化技术，来降低晶体硅的表面活性，使表面的复合速度降低。其主要方式有饱和晶体硅表面处的悬挂键，降低表面活性，或者增加表面的清洁程序，避免由于表面层引入杂质而形成复合中心，从而降低少数载流子的在晶体硅表面的复合速率。但无论采取哪种钝化方法，其目的简而言之是为了降低表面缺陷态，防止少数载流子在缺陷处的复合，从而增大短路电流，提高电池的效率。
5、原子层沉积技术（atomic layer deposition，ald）作为一种化学气相沉积的方法在半导体领域并不鲜见，但在晶硅太阳能电池制造中它却是一种新的制造工艺。由于ald沉积参数的高度可控性（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其成膜质量高，缺陷少，该工艺对表面质量要求较高的高效太阳能电池非常适用。
6、氧化铝（al2o3）作为一种新的晶硅太阳能电池钝化材料，受到了人们的广泛关注。它具备以下优点：第一，它的制备温度很低，只有200℃左右。相对于热氧化法在1000℃左右制备sio2膜，以及产业化pecvd在400℃左右制备sinx而言，它的制备温度能够满足低能耗的要求。第二，它具有高的固定负电荷密度和较低的界面缺陷密度，能够达到场效应钝化和化学钝化的双重功效。第三，它的适用范围广，目前无论是在轻掺还是重掺，p型还是n型晶体硅表面都得到了不错的钝化效果。第四，它对可见光完全透明，并且紫外光的稳定性和热稳定性好，特别适用于作为太阳能电池光照面的覆盖层。
7、原子层沉积技术（atomic layer deposition，ald）是基于化学吸附的一种气相沉积技术。它的反应主要分为以下四个步骤，两个“半反应”：
8、（1）前驱体a由惰性气体携带，通过脉冲形式进入反应腔室，反应腔室内的基体暴露在前驱体a的气氛中，前驱体a以化学吸附的形式附着在基底表面，直至饱和，并在表面形成新的官能团。
9、（2）惰性气体进入腔室，对反应腔室进行吹扫，并把剩余未反应的前驱体a和副产物带出腔室，清洁反应腔室，第一个“半反应”结束。
10、（3）前驱体b由随惰性气体携带，通过脉冲进入反应腔室，与集体表面官能团发生化学反应，直至表面官能团反应完全饱和。
11、（4）惰性气体再次进入腔室，对反应腔室进行吹扫，并把剩余未反应的前驱体b和副产物带出腔室，清洁反应腔室，第二个“半反应”结束。
12、例如在一种原子层沉积al2o3钝化晶体硅工艺中，在热ald和等离子ald一个反应周期内，首先，三甲基铝（tma）分子与硅片表面的羟基集团发生吸附作用，附着在硅片表面；然后该分子被（热ald工艺中）臭氧等离子体氧化，完成一个反应周期。由于臭氧在供应过程中需要高频次切换供气、排气的过程导致臭氧供应输出压力无法保持较为稳定数值，就会导致质量流量控制器反馈信号不准确，进一步导致硅片镀膜厚度一致性差。
13、所以目前需要一种装置，能够在ald过程中提高臭氧输出压力稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术目的是提供一种提高臭氧输出压力稳定性的装置。其中装置采用背压阀调节上游压力之预设值，使臭氧气主管路压力稳定输出，压力控制精确。
2、本专利技术解决上述问题采用的技术方案是：一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其中所述装置用于向原子层沉积设备中通入臭氧，所述装置包括：
3、供气主路，连接在所述原子层沉积设备的炉口处，用于输入低压臭氧气体；
4、供气支路，连接在所述原子层沉积设备的炉侧边处，用于输入高压臭氧气体；
5、主路背压阀，设置在所述供气主路上；
6、支路背压阀，设置在所述供气支路上；
7、所述支路背压阀的设定压力高于所述主路背压阀。
8、其中，所述原子层沉积设备是用于提供原子层沉积进行的场所的一类装置，本申请中原子层沉积设备指代现有技术中通过精确控制化学反应的顺序和时间，允许制造非常均匀和可控厚度的纳米级薄膜，广泛应用于半导体工业、纳米技术、太阳能电池制造和各种涂层技术中的一类设备。
9、其中，供气主路与供气支路均为规格相同或者基本相同的特气管道，或者供气主路规格略大于供气支路的规格。特气管道是指专门用于输送特殊气体的管道系统，上述特殊气体可以为臭氧。特气管道与常规的气体管道不同，主要在于其设计和材料选择上更加严格和特殊。特气管道通常采用高纯度材料制造，以确保管道内部没有杂质和污染物，以保证输送的特殊气体的纯净度和质量。常见的特气管道材料包括不锈钢、铜、铝等，这些材料具有耐腐蚀性和高密封性，可以有效防止气体泄漏和污染。
10、其中，主路背压阀与支路背压阀均为不同设定压力的背压阀，通过内置弹簧的弹力来实现动作：当系统压力比设定压力小时，膜片在弹簧弹力的作用下堵塞管路；当系统压力比设定压力大时，膜片压缩弹簧，管路接通，液体通过背压阀。背压阀结构同单向阀相似，但开启压力大于单向阀。背压阀的设定压力指的是通过调节背压阀的开度或设置背压阀的调节参数，使本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其中所述装置用于向原子层沉积设备(11)中通入臭氧，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其特征在于，所述供气支路(2)包括前供气支路(201)以及后供气支路(202)，其中所述前供气支路(201)相比于所述后供气支路(202)更靠近炉口处。
3.根据权利要求2所述的一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其特征在于，所述支路背压阀(4)包括设置在所述前供气支路(201)上的前支路背压阀(401)以及设置在所述后供气支路(202)上的后支路背压阀(402)。
4.根据权利要求3所述的一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其特征在于，所述后支路背压阀(402)的设定压力高于所述前支路背压阀(401)。
5.根据权利要求1所述的一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其特征在于，所述主路背压阀(3)的设定压力为10-12psi。
6.根据权利要求1所述的一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其特征在于，所述支路背压阀(4)的设定压力为13-20psi。
...【技术特征摘要】
1.一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其中所述装置用于向原子层沉积设备(11)中通入臭氧，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其特征在于，所述供气支路(2)包括前供气支路(201)以及后供气支路(202)，其中所述前供气支路(201)相比于所述后供气支路(202)更靠近炉口处。
3.根据权利要求2所述的一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其特征在于，所述支路背压阀(4)包括设置在所述前供气支路(201)上的前支路背压阀(401)以及设置在所述后供气支路(202)上的后支路背压阀(402)。
4.根据权利要求3所述的一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其特征在于，所述后支路背压阀(402)的设定压力高于所述前支路背压阀(401)。
5.根据权利要求1所述的一种提高臭氧输出压力稳定性的装置，其特征在于，所述主路背压阀(3)的设定压力为10-12psi。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆敏，李丙科，杨增武，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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