【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片校准，特别是涉及一种芯片校准系统、芯片校准模式进入方法及芯片。
技术介绍
1、由于集成电路容易受到工艺、电压、温度以及封装影响，因此高性能模拟芯片在封装之后均需要对其参数进行标定校准，并将最终的校准码写入芯片。在芯片封装引脚有限的情况下，芯片参数校准模式的进入功能可利用的引脚资源极少，比如高性能电源基准芯片，其封装引脚只有三个，分别为电源vdd、地vss以及基准输出vref。现有技术通常采用单线通讯，比如将vdd作为单线通讯的载波复用口，通过上位机对芯片的vdd引脚施加一定幅值且满足预定协议的载波信号，芯片通过内部通讯解码判断是否握手成功以进入参数校准模式，继而进行具体的参数标定与修调码值写入。
2、然而，以上通过vdd引脚进行通讯的方案，在恶劣的工业应用环境中，vdd供电电源可能存在较强的波动，如此便有一定的几率误触发进入参数校准模式，即使通过多层密码字来降低误触发率，也不能完全消除，导致芯片正常应用过程中存在误触发校准模式的可能性，抗扰能力不够，影响芯片的可靠性。
技术实现思路
1、在本实施例中提供了一种芯片校准系统、芯片校准模式进入方法及芯片，以解决相关技术中存在的芯片正常应用过程中误触发校准模式，影响芯片可靠性的问题。
2、第一个方面，在本实施例中提供了一种芯片校准系统，所述系统包括上位机和目标芯片，所述目标芯片包括控制器、状态判定模块、供电引脚和功能引脚，所述供电引脚和所述功能引脚在所述目标芯片内部可控连接；
3、所述上位
4、所述状态判定模块用于对所述功能引脚的测试信号和所述供电引脚的供电信号进行比较，并基于比较结果判定所述功能引脚的状态是否正常；在所述功能引脚的状态正常的情况下，停止所述测试信号的输入并输出解码使能信号；
5、所述控制器用于基于所述解码使能信号进入校准模式。
6、在其中的一些实施例中，所述状态判定模块包括比较判定电路和通断控制电路，所述比较判定电路用于：
7、在所述供电引脚和所述功能引脚导通的情况下，基于所述测试信号和所述供电信号的第一比较结果，得到第一比较信号；
8、判定所述第一比较信号是否满足第一预设条件，并在满足的情况下输出断开信号；
9、在所述供电引脚和所述功能引脚断开的情况下，基于所述测试信号和所述供电信号的第二比较结果，得到第二比较信号；
10、判定所述第二比较信号是否满足第二预设条件，并在满足的情况下输出导通信号。
11、在其中的一些实施例中，所述通断控制电路用于：
12、基于所述断开信号，控制所述功能引脚与所述供电引脚的连接断开；及
13、基于所述导通信号，控制所述功能引脚与所述供电引脚重新导通。
14、在其中的一些实施例中，所述比较判定电路还用于在所述第二比较信号满足所述第二预设条件的情况下，输出所述解码使能信号。
15、在其中的一些实施例中，所述比较判定电路包括比较器、反相器、脉宽检测模块和与门；
16、所述比较器的同相输入端连接所述功能引脚，所述比较器的反相输入端连接所述供电引脚，所述比较器的输出端连接所述脉宽检测模块的输入端、所述与门的第一输入端；所述脉宽检测模块的输出端连接所述反相器的输入端，所述反相器的输出端连接所述与门的第二输入端，所述与门的输出端连接所述通断控制电路。
17、在其中的一些实施例中，所述供电引脚和所述功能引脚通过mos管连接，所述通断控制电路包括第一开关、第二开关和分压电阻，
18、所述第一开关的一端连接所述mos管栅极，所述第一开关的另一端连接所述mos管的源极；
19、所述第二开关的一端接地，所述第二开关的另一端连接所述分压电阻的一端，所述分压电阻的另一端连接所述功能引脚。
20、第二个方面，在本实施例中提供了一种芯片校准模式进入方法，所述方法应用于如第一个方面所述的芯片校准系统；所述方法包括：
21、获取所述上位机向所述目标芯片的功能引脚输入的测试信号；
22、对所述功能引脚的测试信号和所述供电引脚的供电信号进行比较，并基于比较结果判定所述功能引脚的状态是否正常；
23、在所述功能引脚的状态正常的情况下，停止所述测试信号的输入并输出解码使能信号；
24、基于所述解码使能信号进入校准模式。
25、在其中的一些实施例中，所述对所述功能引脚的测试信号和所述供电引脚的供电信号进行比较，并基于比较结果判定所述功能引脚的状态是否正常包括：
26、基于所述测试信号和所述供电信号的第一比较结果，得到第一比较信号；
27、在所述第一比较信号满足第一预设条件的情况下，控制所述功能引脚与所述供电引脚的连接断开；
28、基于所述测试信号和所述供电信号的第二比较结果，得到第二比较信号；
29、在所述第二比较信号满足第二预设条件的情况下，控制所述功能引脚与所述供电引脚重新导通。
30、在其中的一些实施例中，所述基于所述解码使能信号进入校准模式包括：
31、基于所述解码使能信号，接收上位机发送的通讯载波信号并进行解码；
32、基于解码获取的信息判定所述通讯载波信号是否握手成功；
33、在所述通讯载波信号握手成功的情况下，进入所述校准模式。
34、第三个方面，在本实施例中提供了一种芯片，所述芯片包括在内部可控连接的供电引脚和功能引脚，以及如第一个方面所述的芯片校准系统中的状态判定模块。
35、与相关技术相比，在本实施例中提供的芯片校准系统，通过上位机向目标芯片的功能引脚输入测试信号，该测试信号的电压峰值略高于芯片的供电电压；通过状态判定模块对功能引脚的测试信号和供电引脚的供电信号进行比较，并基于比较结果判定功能引脚的状态是否正常；在功能引脚的状态正常的情况下，停止测试信号的输入并输出解码使能信号，根据测试信号和供电信号的比较结果判定功能引脚是否存在环境干扰导致的状态异常，在判定功能引脚状态正常的情况下允许输出解码使能信号；通过控制器基于解码使能信号进入校准模式，排除了芯片正常应用过程中由于环境干扰导致的误触发校准模式的可能性，解决了芯片抗扰能力不足的问题。
36、本申请的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本申请的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
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1.一种芯片校准系统，其特征在于，所述系统包括上位机和目标芯片，所述目标芯片包括控制器、状态判定模块、供电引脚和功能引脚，所述供电引脚和所述功能引脚在所述目标芯片内部可控连接；
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述状态判定模块包括比较判定电路和通断控制电路，所述比较判定电路用于：
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述通断控制电路用于：
4.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述比较判定电路还用于在所述第二比较信号满足所述第二预设条件的情况下，输出所述解码使能信号。
5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述比较判定电路包括比较器、反相器、脉宽检测模块和与门；
6.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述供电引脚和所述功能引脚通过MOS管连接，所述通断控制电路包括第一开关、第二开关和分压电阻，
7.一种芯片校准模式进入方法，其特征在于，所述方法应用于如权利要求1至权利要求6中任一所述的芯片校准系统；所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述功能
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基于所述解码使能信号进入校准模式包括：
10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括在内部可控连接的供电引脚和功能引脚，以及如权利要求1至权利要求6中任一所述的芯片校准系统中的状态判定模块。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片校准系统，其特征在于，所述系统包括上位机和目标芯片，所述目标芯片包括控制器、状态判定模块、供电引脚和功能引脚，所述供电引脚和所述功能引脚在所述目标芯片内部可控连接；
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述状态判定模块包括比较判定电路和通断控制电路，所述比较判定电路用于：
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述通断控制电路用于：
4.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述比较判定电路还用于在所述第二比较信号满足所述第二预设条件的情况下，输出所述解码使能信号。
5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述比较判定电路包括比较器、反相器、脉宽检测模块和与门；
6.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建章，赵双龙，
申请(专利权)人：杭州晶华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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