【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路涉及，特别是涉及一种运算放大器的数字修调装置、方法以及数字修调系统。
技术介绍
1、运算放大器是许多模拟电路中最基础的单元，运算放大器的失调电压为毫伏级别，然而在工业精密自动化控制等应用场合，运算放大器一般被用于放大微弱信号，这些信号往往是低电平的，其对运算放大器固有的失调电压十分敏感，这就要求前置端的集成运算放大器必须具有低失调特性，否则其自身失调可能使得系统无法检测到信号。
2、在现有技术中，通常会对运算放大器使用激光微调的方法，虽然提供了更少的测试焊盘、降低了成本，但是在封装前进行修调虽然暂时消除了失调，但封装后由于结构应力，导致电路参数发生变化，产生新的失调，并且激光微调需要工艺支持。或者给运算放大器引入额外的存储单元，但是此做法需要额外的引脚和额外的掩模板，具备较高的成本，因此通常用于集成了较大规模的运算放大器组，无法单独用于一个运算放大器的失调校正。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够应用于各类运算放大器、产生的修调电流能够随运算放大器中工作的mos管对的变化而改变、实现较小电流注入修调的运算放大器的数字修调装置、方法以及数字修调系统。
2、第一方面，本申请提供了一种运算放大器的数字修调装置。所述运算放大器包括尾电流源、差分输入对以及恒定跨导电路，所述尾电流源连接所述差分输入对，所述差分输入对接收输入信号，所述恒定跨导电路连接所述尾电流源和所述差分输入对，所述输入信号基于时钟信号和数字信号所得到，所述
3、数字修调电路，用于接收所述时钟信号和所述数字信号，输出数字修调信号；
4、修调单元，与所述恒定跨导电路和所述数字修调电路连接，用于从所述恒定跨导电路获取表征尾电流大小的电压信号，基于所述电压信号和所述数字修调信号，得到所述运算放大器的修调电流。
5、在其中一个实施例中，所述数字修调信号包括试修调信号、熔断熔丝信号、高电平保持信号以及低电平保持信号，所述修调单元包括：
6、熔丝电路，包括至少一个修调熔丝，用于根据所述试修调信号、所述熔断熔丝信号、所述高电平保持信号、所述低电平保持信号的电平状态，输出对应的修调电流信号，或者熔断所述至少一个修调熔丝；
7、电流生成电路，与所述熔丝电路连接，包括至少一个mos管修调阵列，用于接收所述修调电流信号，控制所述至少一个mos管修调阵列中mos管的导通，输出所述修调电流。
8、在其中一个实施例中，所述熔丝电路包括多个熔丝子电路，所述熔丝子电路包括：
9、信号输入模块，用于接入所述试修调信号、所述熔断熔丝信号、所述高电平保持信号以及所述低电平保持信号，经过与非门处理后输出；
10、熔丝控制模块，与所述信号输入模块的输出端连接，包括所述修调熔丝，用于在所述试修调信号与所述高电平保持信号为低电平时，输出高电平的修调电流信号至所述电流生成电路；或者所述试修调信号与所述低电平保持信号为低电平时，输出低电平的修调电流信号至所述电流生成电路；或者在所述熔断熔丝信号与所述高电平保持信号为低电平时，熔断所述修调熔丝，输出低电平的修调电流信号至所述电流生成电路。
11、在其中一个实施例中，所述信号输入模块包括第一与非门、第二与非门、第三与非门，所述熔丝控制模块包括mos管m1、mos管m2、mos管m3、mos管m4、mos管m5、mos管m6、mos管m7、修调熔丝r_fuse以及电阻r1，
12、所述第一与非门的一个输入端连接所述试修调信号，所述第一与非门的另一个输入端连接所述高电平保持信号，所述第一与非门的输出端连接所述mos管m6的栅极；所述mos管m6的源极连接共地端，所述mos管m6的漏极连接在所述mos管m1的栅极与所述mos管m3的漏极之间；
13、所述第二与非门的一个输入端连接所述熔断熔丝信号，所述第二与非门的另一个输入端连接所述低电平保持信号，所述第二与非门的输出端连接所述mos管m5的栅极；所述mos管m5的源极连接共地端，所述mos管m5的漏极连接所述mos管m1的源极；
14、所述第三与非门的一个输入端连接所述试修调信号，所述第三与非门的另一个输入端连接所述低电平保持信号，所述第三与非门的输出端连接所述mos管m7的栅极；所述mos管m7的源极连接共地端，所述mos管m7的漏极连接所述修调电流信号的输出端；
15、所述mos管m1的栅极连接所述mos管m2的栅极，所述mos管m1的源极连接所述修调熔丝r_fuse的一端，所述修调熔丝r_fuse的另一端连接电压源，所述mos管m1的漏极与所述mos管m2的漏极相连后连接至所述修调电流信号的输出端，所述mos管m2的源极连接共地端；所述mos管m3的栅极连接所述mos管m4的栅极，所述mos管m3的源极连接所述电阻r1的一端，所述电阻r1的另一端连接电压源，所述mos管m3的漏极连接所述mos管m4的漏极，所述mos管m4的源极连接共地端；所述修调熔丝r_fuse与所述电阻r1串联。
16、在其中一个实施例中，所述mos管修调阵列包括：
17、一级电流生成子电路，用于根据所述修调电流信号，输出大于设定阈值的修调电流；
18、二级电流生成子电路，用于根据所述修调电流信号，输出小于设定阈值的修调电流。
19、在其中一个实施例中，所述一级电流生成子电路包括至少一个一级生成单元，所述一级生成单元包括mos管m8、mos管m9、mos管m10以及mos管m11；所述二级电流生成子电路包括至少一个二级生成单元，所述二级生成单元包括mos管m12、mos管m13以及mos管m14；
20、所述mos管m8的栅极连接所述电压信号，所述mos管m8的漏极连接所述mos管m9的源极，所述mos管m9的漏极连接所述mos管m10的源极，所述mos管m9的栅极连接额定电压，所述mos管m10的漏极连接所述mos管m14的源极，所述mos管m11的栅极连接所述修调电流信号，所述mos管m11的漏极连接所述修调电流的输出端，所述mos管m11的源极连接在所述mos管m9的漏极与所述mos管m10的源极之间；
21、所述mos管m12的栅极连接所述修调电流信号，所述mos管m12的漏极连接电源端，所述mos管m12的源极连接所述mos管m13的源极，所述mos管m13的栅极连接所述修调电流信号，所述mos管m13的漏极连接所述修调电流的输出端，所述mos管m14的栅极连接额定电压，所述mos管m14的漏极连接在所述mos管m12的源极与所述mos管m13的源极之间。
22、在其中一个实施例中，所述数字修调装置还包括修调保护电路，所述修调保护电路包含保护熔丝，
23、所述修调保护电路，用于基于所述数字信号对所述数字修调电路开启修调使能，或者基于所述数字信号对所述保护熔丝施加高电压信号，熔断所述保护熔丝关闭修调使能本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种运算放大器的数字修调装置，所述运算放大器包括尾电流源、差分输入对以及恒定跨导电路，所述尾电流源连接所述差分输入对，所述差分输入对接收输入信号，所述恒定跨导电路连接所述尾电流源和所述差分输入对，所述输入信号基于时钟信号和数字信号所得到，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述数字修调信号包括试修调信号、熔断熔丝信号、高电平保持信号以及低电平保持信号，所述修调单元包括：
3.根据权利要求2所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述熔丝电路包括多个熔丝子电路，所述熔丝子电路包括：
4.根据权利要求3所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述信号输入模块包括第一与非门、第二与非门、第三与非门，所述熔丝控制模块包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、修调熔丝R_fuse以及电阻R1，
5.根据权利要求3所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述MOS管修调阵列包括：
6.根据权利要求5所述的
7.根据权利要求2所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述数字修调装置还包括修调保护电路，所述修调保护电路包含保护熔丝，
8.根据权利要求2所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述数字修调装置还包括熔断调控电路，与所述数字修调电路和所述修调单元连接，用于基于所述数字信号产生高电压信号输入所述修调单元，烧断所述修调电流所对应的所述修调熔丝。
9.一种运算放大器的数字修调方法，应用于权利要求1至权利要求8任一项所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述方法包括：
10.一种数字修调系统，其特征在于，所述系统包括运算放大器以及如权利要求1至权利要求8任一项所述的运算放大器的数字修调装置。
...【技术特征摘要】
1.一种运算放大器的数字修调装置，所述运算放大器包括尾电流源、差分输入对以及恒定跨导电路，所述尾电流源连接所述差分输入对，所述差分输入对接收输入信号，所述恒定跨导电路连接所述尾电流源和所述差分输入对，所述输入信号基于时钟信号和数字信号所得到，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述数字修调信号包括试修调信号、熔断熔丝信号、高电平保持信号以及低电平保持信号，所述修调单元包括：
3.根据权利要求2所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述熔丝电路包括多个熔丝子电路，所述熔丝子电路包括：
4.根据权利要求3所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述信号输入模块包括第一与非门、第二与非门、第三与非门，所述熔丝控制模块包括mos管m1、mos管m2、mos管m3、mos管m4、mos管m5、mos管m6、mos管m7、修调熔丝r_fuse以及电阻r1，
5.根据权利要求3所述的运算放大器的数字修调装置，其特征在于，所述mos管修调阵列包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：王振，王一鸣，王沛，
申请(专利权)人：杭州晶华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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