System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统技术方案_技高网

背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统技术方案

技术编号:40157580 阅读:12 留言:0更新日期:2024-01-26 23:32
本申请涉及太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统,在背接触电池片中,第一边缘汇流栅线靠近第一边缘设置,第一边缘汇流栅线与第一副栅电连接,第二边缘汇流栅线设置在第一边缘汇流栅线与第一边缘之间,第二边缘汇流栅线与至少一个第二掺杂层接触且与部分第二副栅靠近第一边缘的一端电连接。如此,通过在第一边缘和第一边缘汇流栅线之间设置第二边缘汇流栅线并使第二边缘汇流栅线与至少一个第二掺杂层接触且与部分第二副栅连接,可使得第二边缘汇流栅线能够收集第一边缘处的边缘区域的第二掺杂层的电流并通过部分第二副栅进行汇流,可以有效地减少第一边缘的边缘区域的效率损失,提升电池片的效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池,尤其涉及一种背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统


技术介绍

1、背接触太阳能电池是一种将p型掺杂层和n型掺杂层均设置在硅片背面的电池,在背接触太阳能电池中,其背面设有交替布置的副栅和交替布置的主栅,主栅和副栅交叉设置,为了避免漏电,副栅在异极性的主栅处通常采用断开设计。

2、在相关技术中,背接触太阳能电池的背面副栅通常不会延伸到硅片的两侧边缘,因为如果延伸到了边缘,为了实现边缘区域的副栅的电流的收集,需要在边缘设置主栅和/或焊带与边缘区域的副栅相连,如果与该主栅和/或焊带异极性的副栅延伸到了硅片的边缘,为了避免位于边缘位置处的焊带与异性副栅相接触,在边缘位置的焊带与每一条异性副栅之间均需要涂布绝缘胶,导致成本大幅度升高,同时也容易导致漏胶从而导致电池片弯曲和翘曲。

3、然而,如果副栅没有延伸至硅片的边缘,则边缘会存在一部分区域没有金属副栅,导致边缘会存在一部分区域的载流子无法被收集,从而导致载流子的收集效率较低,存在效率损失,导致电池片的效率较低。


技术实现思路

1、本申请提供一种背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统,旨在解决现有背接触电池片的边缘会存在一部分区域的载流子无法被收集,从而导致载流子的收集效率较低,存在效率损失,导致电池片的效率较低的技术问题。

2、本申请是这样实现的,本申请实施例的背接触电池片包括:

3、硅基底,所述硅基底的背面设有若干第一掺杂层和若干第二掺杂层,若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层沿第一方向依次交替排列且沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向交叉,在所述第二方向上,所述硅基底具有相对的第一边缘和第二边缘;

4、沿所述第一方向间隔交替设置的若干第一副栅和若干第二副栅,所述第一副栅设置在所述第一掺杂层上方,所述第二副栅设置在所述第二掺杂层上方;所述第一副栅在所述第二方向上具有若干间隔的第一间断区,所述第二副栅在所述第二方向上具有若干间隔的第二间断区,相邻所述第一副栅上的所述第一间断区在所述第一方向上相对应,相邻所述第二副栅上的所述第二间断区在所述第一方向上相对应,在所述第二方向上,所述第一间断区和所述第二间断区依次交替间隔设置,所述第一副栅未延伸至所述硅基底的第一边缘;

5、靠近所述第一边缘且沿所述第一方向延伸设置的第一边缘汇流栅线,所述第一边缘汇流栅线与所述第一副栅电连接;和

6、沿所述第一方向延伸设置的第二边缘汇流栅线,所述第二边缘汇流栅线设置在所述第一边缘汇流栅线和所述第一边缘之间且位于所述第二掺杂层上方,所述第二边缘汇流栅线与至少一个所述第二掺杂层接触且与部分所述第二副栅靠近所述第一边缘的一端电连接。

7、更进一步地,部分所述第二副栅绝缘贯穿所述第一边缘汇流栅线与所述第二边缘汇流栅线电连接。

8、更进一步地,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接;

9、沿所述第三边缘朝向所述第四边缘的方向上,所述第二副栅与所述第一副栅依次交替设置,所述第一倒角处设有第一辅助栅线,所述第一辅助栅线连接所述第二边缘汇流栅线和最靠近所述第三边缘的所述第二副栅。

10、更进一步地,所述第一辅助栅线位于所述第二掺杂层上方且与至少一个所述第二掺杂层接触。

11、更进一步地,所述第一辅助栅线与所述第一倒角平行。

12、更进一步地,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接;

13、所述第一倒角处设有第二辅助栅线,所述第二辅助栅线连接位于所述第一倒角处的所述第一副栅以及所述第一边缘汇流栅线。

14、更进一步地,所述第一边缘汇流栅线与所述第一边缘之间的距离为0.5mm-2mm;和/或

15、所述第二边缘汇流栅线与所述第一边缘之间的距离为0.3mm-1.2mm。

16、更进一步地,所述第二边缘汇流栅线的宽度为20um-200um;和/或

17、所述第二边缘汇流栅线的宽度大于所述第一边缘汇流栅线的宽度。

18、更进一步地,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层,所述第二边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上,在所述第二边缘汇流栅线对应的区域上,所述钝化膜层上与所述第二掺杂层对应的位置处开设有第一开孔,所述第二边缘汇流栅线通过所述第一开孔与所述第二掺杂层接触。

19、更进一步地,所述背接触电池片还包括:

20、靠近所述第二边缘且沿所述第一方向延伸设置的第三边缘汇流栅线,所述第三边缘汇流栅线与所述第二副栅电连接,所述第二副栅未延伸至所述硅基底的第二边缘,所述第三边缘汇流栅线与所述第一边缘汇流栅线的极性相反;和

21、沿所述第一方向延伸设置的第四边缘汇流栅线,所述第四边缘汇流栅线设置在所述第三边缘汇流栅线和所述第二边缘之间且位于所述第一掺杂层上方,所述第四边缘汇流栅线与至少一个所述第一掺杂层接触且与部分所述第一副栅靠近所述第二边缘的一端电连接。

22、更进一步地,部分所述第一副栅绝缘贯穿所述第三边缘汇流栅线与所述第四边缘汇流栅线连接。

23、更进一步地,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接;

24、沿所述第三边缘朝向所述第四边缘的方向上,所述第二副栅与所述第一副栅依次交替设置,所述第二倒角处设有第三辅助栅线,所述第三辅助栅线连接位于所述第二倒角处的所述第二副栅以及所述第三边缘汇流栅线。

25、更进一步地,所述第三辅助栅线与所述第二倒角平行。

26、更进一步地,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接;

27、所述第三边缘汇流栅线包括第一汇流段和第二汇流段,所述第一汇流段连接位于所述第二倒角处的所述第二副栅,所述第二汇流段连接除所述第二倒角处以外的所述第二副栅。

28、更进一步地,所述第一汇流段和所述第二汇流段沿所述第二方向间隔设置,所述第二汇流段相较于所述第一汇流段更靠近所述第二边缘。

29、更进一步地,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层,所述第四边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上,在所述第四边缘汇流栅线对应的区域上,所述钝化膜层上与所述第一掺杂层对应的位置处开设有第二开孔,所述第四边缘汇流栅线通过所述第二开孔与所述第一掺杂层接触。

30、更进一步地,所述背接触电池片还包括:

31、靠近所述第二边缘且沿所述第一方向延伸设置的第三边缘汇流栅线,所述第三边缘汇流栅线与所述第一副栅电连接,所述第一副栅未延伸至所述硅基底的第二边缘,所述第三边缘汇流栅线与所述第一边缘汇流栅线的极性相同;和

32、靠近所述第二边缘且沿所述第一方向延伸设置的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,部分所述第二副栅绝缘贯穿所述第一边缘汇流栅线与所述第二边缘汇流栅线电连接。

3.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接;

4.根据权利要求3所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一辅助栅线位于所述第二掺杂层上方且与至少一个所述第二掺杂层接触。

5.根据权利要求3所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一辅助栅线与所述第一倒角平行。

6.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接;

7.根据权利要求1-6中任一项所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一边缘汇流栅线与所述第一边缘之间的距离为0.5mm-2mm;和/或

8.根据权利要求1-6中任一项所述的背接触电池片,其特征在于,所述第二边缘汇流栅线的宽度为20um-200um;和/或

9.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层,所述第二边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上,在所述第二边缘汇流栅线对应的区域上,所述钝化膜层上与所述第二掺杂层对应的位置处开设有第一开孔,所述第二边缘汇流栅线通过所述第一开孔与所述第二掺杂层接触。

10.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,所述背接触电池片还包括:

11.根据权利要求10所述的背接触电池片,其特征在于,部分所述第一副栅绝缘贯穿所述第三边缘汇流栅线与所述第四边缘汇流栅线连接。

12.根据权利要求10所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接;

13.根据权利要求12所述的背接触电池片,其特征在于,所述第三辅助栅线与所述第二倒角平行。

14.根据权利要求10所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接;

15.根据权利要求14所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一汇流段和所述第二汇流段沿所述第二方向间隔设置,所述第二汇流段相较于所述第一汇流段更靠近所述第二边缘。

16.根据权利要求10所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层,所述第四边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上,在所述第四边缘汇流栅线对应的区域上,所述钝化膜层上与所述第一掺杂层对应的位置处开设有第二开孔,所述第四边缘汇流栅线通过所述第二开孔与所述第一掺杂层接触。

17.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,所述背接触电池片还包括:

18.根据权利要求17所述的背接触电池片,其特征在于,部分所述第二副栅绝缘贯穿所述第三边缘汇流栅线与所述第四边缘汇流栅线连接。

19.根据权利要求17所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接;

20.根据权利要求19所述的背接触电池片,其特征在于,所述第四辅助栅线位于所述第二掺杂层上方且与至少一个所述第二掺杂层接触。

21.根据权利要求19所述的背接触电池片,其特征在于,所述第四辅助栅线与所述第二倒角平行。

22.根据权利要求17所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接;

23.根据权利要求17所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层,所述第四边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上,在所述第四边缘汇流栅线对应的区域上,所述钝化膜层上与所述第二掺杂层对应的位置处开设有第三开孔,所述第四边缘汇流栅线通过所述第三开孔与所述第二掺杂层接触。

24.根据权利要求10-23中任一项所述的背接触电池片,其特征在于,所述第三边缘汇流栅线与所述第二边缘的距离为0.5mm-2mm;和/或

25.根据权利要求10-23中任一项所述的背接触电池片,其特征在于,所述第四边缘汇流栅线的宽度为20um-200um;和/或

26.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第二方向上...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,部分所述第二副栅绝缘贯穿所述第一边缘汇流栅线与所述第二边缘汇流栅线电连接。

3.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接;

4.根据权利要求3所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一辅助栅线位于所述第二掺杂层上方且与至少一个所述第二掺杂层接触。

5.根据权利要求3所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一辅助栅线与所述第一倒角平行。

6.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接;

7.根据权利要求1-6中任一项所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一边缘汇流栅线与所述第一边缘之间的距离为0.5mm-2mm;和/或

8.根据权利要求1-6中任一项所述的背接触电池片,其特征在于,所述第二边缘汇流栅线的宽度为20um-200um;和/或

9.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层,所述第二边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上,在所述第二边缘汇流栅线对应的区域上,所述钝化膜层上与所述第二掺杂层对应的位置处开设有第一开孔,所述第二边缘汇流栅线通过所述第一开孔与所述第二掺杂层接触。

10.根据权利要求1所述的背接触电池片,其特征在于,所述背接触电池片还包括:

11.根据权利要求10所述的背接触电池片,其特征在于,部分所述第一副栅绝缘贯穿所述第三边缘汇流栅线与所述第四边缘汇流栅线连接。

12.根据权利要求10所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接;

13.根据权利要求12所述的背接触电池片,其特征在于,所述第三辅助栅线与所述第二倒角平行。

14.根据权利要求10所述的背接触电池片,其特征在于,在所述第一方向上,所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘,所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接;

15.根据权利要求14所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一汇流段和所述第二汇流段沿所述第二方向间隔设置,所述第二汇流段相较于所述第一汇流段更靠近所述第二边缘。

16.根据权利要求10所述的背接触电池片,其特征在于,所述第一掺杂层和所...

【专利技术属性】
技术研发人员:王永谦张建军陈刚
申请(专利权)人:浙江爱旭太阳能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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