【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别涉及一种led芯片。
技术介绍
1、led具有将电转化为光的特性，使用范围非常广。其核心部件为一个半导体晶片，led封装是将led晶片与基板通过金线键合连接。
2、现有技术当中，键合工艺中，焊线不良问题在led失效模式中占有很大比例，是led的重要失效模式。因此在led出货前需对其进行可靠性验证，需对金线焊接后的参数是否达到标准进行测试。其中对led芯片进行推拉力的评估是led产品性能评估重要的一环，在常规的产品中，推球后芯片p电极容易脱落，最终导致推力不合格甚至出现撕金现象，因此提升电极稳定是提升led可靠性中的一项重要环节。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种led芯片，旨在解决现有技术中，电极的稳定性较差，导致产品良率不佳的技术问题。
2、为了实现上述目的，本技术是通过如下技术方案来实现的：一种led芯片，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底上的外延结构、及依次设于所述外延结构上的第一电流阻挡层，及透明导电层，所述led芯片还包括设于所述透明导电层一侧的电极结构，及设于所述电极结构与所述透明导电层之间的第二电流阻挡层，所述第二电流阻挡层包括叠层结构，所述叠层结构包括若干个交错层叠设置的第一材料层及第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层的截面长度差满足预设范围，所述第二电流阻挡层的截面呈锯齿状。
3、与现有技术相比，本技术的有益效果在于：通过在电极下方制备叠层设置的第二电流阻挡层，制备过程中
4、根据上述技术方案的一方面，所述叠层结构包括若干个间隔设置的第一材料层，各所述第一材料层的边缘一侧位于同一平面上，且各所述第一材料层的边缘面呈倾斜设置。
5、根据上述技术方案的一方面，所述第一材料层的边缘与所述衬底的底面的夹角为110°-130°。
6、根据上述技术方案的一方面，所述第一材料层的截面长度大于所述第二材料层的截面长度，所述预设范围为70nm-100nm。
7、根据上述技术方案的一方面，所述第一材料层为氧化硅层，所述第二材料层为氮化硅层。
8、根据上述技术方案的一方面，所述第一材料层的厚度m1及所述第二材料层的厚度m2分别满足：
9、60nm＞m1＞40nm；
10、60nm＞m2＞40nm。
11、根据上述技术方案的一方面，所述第一电流阻挡层由氧化硅制成，所述第一电流阻挡层的厚度m3满足：
12、280nm＞m3＞320nm。
13、根据上述技术方案的一方面，所述电极结构为cr/al/ti/ni/pt/ni/pt/au层。
14、根据上述技术方案的一方面，所述透明导电层为ito层，所述ito层的厚度m4满足：50nm＞m4＞70nm。
15、根据上述技术方案的一方面，所述led芯片还包括设于所述电极结构表面的钝化层。
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1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底上的外延结构、及依次设于所述外延结构上的第一电流阻挡层，及透明导电层，所述LED芯片还包括设于所述透明导电层一侧的电极结构，及设于所述电极结构与所述透明导电层之间的第二电流阻挡层，所述第二电流阻挡层包括叠层结构，所述叠层结构包括若干个交错层叠设置的第一材料层及第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层的截面长度差满足预设范围，所述第二电流阻挡层的截面呈锯齿状。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述叠层结构包括若干个间隔设置的第一材料层，各所述第一材料层的边缘一侧位于同一平面上，且各所述第一材料层的边缘面呈倾斜设置。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一材料层的边缘与所述衬底的底面的夹角为110°-130°。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一材料层的截面长度大于所述第二材料层的截面长度，所述预设范围为70nm-100nm。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一材料层为氧化硅层，所述第二材料层为氮化硅层。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一材料层的厚度M1及所述第二材料层的厚度M2分别满足：
7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电流阻挡层由氧化硅制成，所述第一电流阻挡层的厚度M3满足：
8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电极结构为Cr/Al/Ti/Ni/Pt/Ni/Pt/Au层。
9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO层，所述ITO层的厚度M4满足：50nm＞M4＞70nm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括设于所述电极结构表面的钝化层。
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底上的外延结构、及依次设于所述外延结构上的第一电流阻挡层，及透明导电层，所述led芯片还包括设于所述透明导电层一侧的电极结构，及设于所述电极结构与所述透明导电层之间的第二电流阻挡层，所述第二电流阻挡层包括叠层结构，所述叠层结构包括若干个交错层叠设置的第一材料层及第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层的截面长度差满足预设范围，所述第二电流阻挡层的截面呈锯齿状。
2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述叠层结构包括若干个间隔设置的第一材料层，各所述第一材料层的边缘一侧位于同一平面上，且各所述第一材料层的边缘面呈倾斜设置。
3.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述第一材料层的边缘与所述衬底的底面的夹角为110°-130°。
4.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第一材料层的截面长度大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：周志兵，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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