径向长晶温度均匀的长晶设备制造技术

技术编号:40155299 阅读:8 留言:0更新日期:2024-01-26 23:31
本技术实施例提供一种径向长晶温度均匀的长晶设备,涉及长晶设备技术领域。长晶设备包括坩埚和石墨毡组件,坩埚包括坩埚桶和坩埚盖,坩埚盖盖设在坩埚桶的顶部,坩埚盖内侧用于粘接籽晶;石墨毡组件设置在坩埚盖的顶部,石墨毡组件的中心开设有供温度检测仪的红外线穿过的通孔,通孔靠近坩埚盖的底部开口的孔径大于或等于籽晶的直径,使坩埚盖粘接籽晶的位置向通孔内散热均匀。该长晶设备能够提高坩埚盖散热的均匀性,从而提高籽晶径向温度的均匀性,提高籽晶长晶的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及长晶设备,具体而言,涉及一种径向长晶温度均匀的长晶设备


技术介绍

1、现有的碳化硅长晶坩埚中,坩埚盖上方设置有石磨毡,以对坩埚进行保温,并且石磨毡上还开设有供温度检测仪的红外线穿过的通孔,这样,导致坩埚盖的上表面正对通孔的位置并没有被石墨毡完全包覆,即坩埚盖的中心位置(正对石墨毡上通孔的位置)是裸露的,致使坩埚盖的中心位置比坩埚盖的四周位置散热快,而坩埚盖内侧的中心位置是粘接籽晶的长晶区,致使坩埚盖内侧的籽晶的径向温度不均匀,一般会是籽晶的中心区域温度低、四周温度高,这会影响籽晶长晶的均匀性。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种径向长晶温度均匀的长晶设备,其能够提高坩埚盖散热的均匀性,从而提高籽晶径向温度的均匀性,提高籽晶长晶的均匀性。

2、本技术的实施例是这样实现的:

3、本技术实施例提供一种径向长晶温度均匀的长晶设备,长晶设备包括:

4、坩埚,包括坩埚桶和坩埚盖,坩埚盖盖设在坩埚桶的顶部,坩埚盖内侧用于粘接籽晶;

5、石墨毡组件,设置在坩埚盖的顶部,石墨毡组件的中心开设有供温度检测仪的红外线穿过的通孔,通孔靠近坩埚盖的底部开口的孔径大于或等于籽晶的直径,使坩埚盖粘接籽晶的位置向通孔内散热均匀。

6、本技术实施例提供的径向长晶温度均匀的长晶设备的有益效果包括:

7、在石墨毡组件上的通孔中,通孔靠近坩埚盖的底部开口的孔径大于或等于籽晶的直径,使坩埚盖粘接籽晶的位置均位于通孔内、均与气体接触,保证坩埚盖粘接籽晶的位置向通孔内散热均匀,使籽晶在长晶过程中径向温度保持均匀,有利于提高长晶质量。

8、在可选的实施方式中,通孔远离坩埚盖的顶部开口的孔径大于红外线的直径、且小于底部开口的孔径。

9、这样,通孔不仅供温度检测仪的红外线穿过,实现对坩埚盖的温度检测,还能够减小通孔内热量的散失速度,保证石墨毡组件对坩埚盖的保温效果。

10、在可选的实施方式中,通孔的孔径从底部开口到顶部开口逐步减小。

11、这样,通孔的孔径设计,在保证坩埚盖粘接籽晶的位置均匀散热的前提下,还可以提高对坩埚盖的保温效果。

12、在可选的实施方式中,通孔为阶梯孔或梯形孔。

13、其中,阶梯孔形式的通孔便于加工生产。

14、在可选的实施方式中,通孔包括从下至上依次连通的第一孔段、第二孔段和第三孔段,第一孔段的孔径大于或等于籽晶的直径,第二孔段的孔径从下至上逐步减小,第三孔段的孔径大于红外线的直径。

15、在可选的实施方式中,第一孔段的长度与通孔的总长度之比为:1/5~1/3。

16、这样,第一孔段的长度较为适中,经试验验证,坩埚盖粘接籽晶的位置温度较为均匀。

17、在可选的实施方式中,石墨毡组件包括从下至上依次层叠的多层石墨毡。

18、这样,石墨毡组件采用多层石墨毡层叠组合形成,不仅生产方便,而且组装、拆卸容易。

19、在可选的实施方式中,长晶设备还包括:

20、石墨桶,坩埚和石墨毡组件均设置在石墨桶内。

21、这样,石墨桶可以使石墨毡组件装配稳定,保持通孔的形状稳定。

22、在可选的实施方式中,坩埚桶包括从下至上依次层叠设置的桶体和中继环,坩埚盖盖设在中继环上。

23、在可选的实施方式中,长晶设备还包括:

24、真空腔体;

25、石墨加热器,设置在真空腔体内,石墨加热器围绕石墨桶设置;

26、电极棒,电极棒的一端连接到石墨加热器上,电极棒的另一端贯穿真空腔体的侧壁。

27、这样,石墨加热器围绕石墨桶设置有利于石墨桶以及坩埚均匀受热。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述长晶设备包括:

2.根据权利要求1所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述通孔(9)远离所述坩埚盖(7)的顶部开口的孔径大于所述红外线的直径、且小于所述底部开口的孔径。

3.根据权利要求1所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述通孔(9)的孔径从所述底部开口到顶部开口逐步减小。

4.根据权利要求3所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述通孔(9)为阶梯孔或梯形孔。

5.根据权利要求1所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述通孔(9)包括从下至上依次连通的第一孔段(91)、第二孔段(92)和第三孔段(93),所述第一孔段(91)的孔径大于或等于所述籽晶(200)的直径,所述第二孔段(92)的孔径从下至上逐步减小,所述第三孔段(93)的孔径大于所述红外线的直径。

6.根据权利要求5所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述第一孔段(91)的长度与所述通孔(9)的总长度之比为:1/5~1/3。

7.根据权利要求1所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述石墨毡组件(8)包括从下至上依次层叠的多层石墨毡。

8.根据权利要求1所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述长晶设备还包括:

9.根据权利要求1所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述坩埚桶包括从下至上依次层叠设置的桶体(5)和中继环(6),所述坩埚盖(7)盖设在所述中继环(6)上。

10.根据权利要求8所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述长晶设备还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述长晶设备包括:

2.根据权利要求1所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述通孔(9)远离所述坩埚盖(7)的顶部开口的孔径大于所述红外线的直径、且小于所述底部开口的孔径。

3.根据权利要求1所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述通孔(9)的孔径从所述底部开口到顶部开口逐步减小。

4.根据权利要求3所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述通孔(9)为阶梯孔或梯形孔。

5.根据权利要求1所述的径向长晶温度均匀的长晶设备,其特征在于,所述通孔(9)包括从下至上依次连通的第一孔段(91)、第二孔段(92)和第三孔段(93),所述第一孔段(91)的孔径大于或等于所述籽晶(200)的直径,所述第二孔段(92)的...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁刚俊苏兆鸣
申请(专利权)人:通威微电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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