【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆检测,具体涉及一种环形暗场光纤装置。
技术介绍
1、半导体晶圆检测aoi可用于芯片制造的多个制程,如衬底/外延片制造、晶圆光刻后、晶圆刻蚀后、晶圆成膜后以及晶圆cp测试后的外观缺陷检测。半导体晶圆aoi检测需要在低倍镜(典型倍率1x-20x)条件下检测,传统明场照明很难检测出或容易漏检的缺陷,影响半导体制造领域良率水平的提升。
技术实现思路
1、有鉴于此,本说明书实施例提供一种环形暗场光纤装置,利用环形暗场光纤能够更快速有效地检测出晶圆的划痕、颗粒和隐裂等,解决了明场照明很难检测出或容易漏检的技术缺陷,提升了半导体制造领域良率水平。
2、本说明书实施例提供以下技术方案:
3、提供了一种环形暗场光纤装置,包括环形光罩以及沿所述环形光罩的内壁圆周排布的环形光纤头阵列,所述环形光纤头阵列中的两个环形光纤头之间具有预定光纤头间隔角度,且所述环形光纤头阵列由连接线缆引出,所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头的光纤na角度小于光纤倾斜角度,且每个环形光纤头的工作距
...【技术保护点】
1.一种环形暗场光纤装置,其特征在于,包括环形光罩以及沿所述环形光罩的内壁圆周排布的环形光纤头阵列,所述环形光纤头阵列中的两个环形光纤头之间具有预定光纤头间隔角度,且所述环形光纤头阵列由连接线缆引出,所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头的光纤NA角度小于光纤倾斜角度,且每个环形光纤头的工作距的范围为5mm-40mm,每个环形光纤头的环形光纤厚度的范围为8mm-25mm。
2.根据权利要求1所述的环形暗场光纤装置,其特征在于,所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头均为经过匀光处理的环形光纤头。
3.根据权利要求1所述的环形暗场光纤装置,其特征在于,
...【技术特征摘要】
1.一种环形暗场光纤装置,其特征在于,包括环形光罩以及沿所述环形光罩的内壁圆周排布的环形光纤头阵列,所述环形光纤头阵列中的两个环形光纤头之间具有预定光纤头间隔角度,且所述环形光纤头阵列由连接线缆引出,所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头的光纤na角度小于光纤倾斜角度,且每个环形光纤头的工作距的范围为5mm-40mm,每个环形光纤头的环形光纤厚度的范围为8mm-25mm。
2.根据权利要求1所述的环形暗场光纤装置,其特征在于,所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头均为经过匀光处理的环形光纤头。
3.根据权利要求1所述的环形暗场光纤装置,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡伟雄,梁安生,任晓静,秦雪飞,
申请(专利权)人:魅杰光电科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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