电容器及其形成方法技术

一种电容器及其形成方法，其中电容器包括：衬底；位于衬底上的第一电极层；位于第一电极层上的介电层；位于介电层上若干相互分立的第二电极层；位于第一电极层上的第一引线结构，第一引线结构沿竖直方向贯穿介电层与第一电极层连接，且第一引线结构包围若干第二电极层；位于每个第二电极层上的第二引线结构，每个第二引线结构与对应的第二电极层连接；位于第一引线结构和第二引线结构上的第三引线结构，第三引线结构与若干第二引线结构连接。通过并联形式连接第一电极层以及若干第二电极层，使得流经第一电极层和第二电极层的电阻降低，使得电容器的品质因数增加。另外无需额外增加第一电极层的面积，进而不会使得器件结构的集成度降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种电容器及其形成方法。

技术介绍

1、在现今的超大规模集成电路(very large scale integration，简称vlsi)中，电容器是常用的无源器件。通常来讲，模拟电容器已经从先前的多晶硅-绝缘体-多晶硅(polysilicon-insulator-polysilicon，简称pip)转向金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，简称mim)，这是因为在模拟射频电路中，需要更大电容密度的电容器。

2、提高电容密度的方法之一是降低电介质的厚度，然而电介质的厚度过低，导致电场强度过高而引发漏电流和降低击穿电压。高k介质的金属-绝缘体-金属(high k metal-insulator-metal，简称hk mim)电容器因为具有单位电容密度大的特点，所以具有良好的应用前景。

3、然而，现有技术形成的hk mim电容器仍存在诸多问题。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种电容器及其形成方法，以提升电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，若干所述相互分立的所述第二电极层的数量大于等于2个。

3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述介电层的材料包括：高K介质材料；所述高K介质材料包括：氧化铪、氧化锆、氮氧硅铪、氧化硅铪、氧化钽铪、氧化钛铪、氧化锆铪或氧化铝。

4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极层的材料为金属氮化物；所述金属氮化物包括氮化钛、氮化钽、氮化铜、氮化钨、氮化铂、氮化铝、氮化镍或者氮化钴。

5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二电极层的材料为金属氮化物；...

【技术特征摘要】

1.一种电容器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，若干所述相互分立的所述第二电极层的数量大于等于2个。

3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述介电层的材料包括：高k介质材料；所述高k介质材料包括：氧化铪、氧化锆、氮氧硅铪、氧化硅铪、氧化钽铪、氧化钛铪、氧化锆铪或氧化铝。

4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极层的材料为金属氮化物；所述金属氮化物包括氮化钛、氮化钽、氮化铜、氮化钨、氮化铂、氮化铝、氮化镍或者氮化钴。

5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二电极层的材料为金属氮化物；所述金属氮化物包括氮化钛、氮化钽、氮化铜、氮化钨、氮化铂、氮化铝、氮化镍或者氮化钴。

6.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一引线结构的材料包括：铜、钴、镍、钛、钽、铝、钨或者铂。

7.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二引线结构的材料包括：铜、钴、镍、钛、钽、铝、钨或者铂。

8.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二引线结构的材料包括：铜、钴、镍、钛、钽、铝、钨或者铂。

9.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一引线结构包括：若干第一导电插塞、以及位于若干所述第一导电插塞上的第一导电层；若干所述第一导电插塞分别沿竖直方向贯穿所述介电层与所述第一电极层连接。

10.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二引线结构包括：若干第二导电插塞、以及位于若干所述第二导电插塞上的第二导电层；若干所述第二导电插塞分别与所述第二电极层连接。

11.如权利要求10所述的电容器，其特征在于，所述第三引线结构包括：若干第三导电插塞、以及位于若干所述第三导电插塞上的第三导电层；若干所述第三导电插塞分别与若干所述第二导电层连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，钱蔚宏，王西宁，万露红，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：