【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置。
技术介绍
1、目前广泛使用的发光二极管为有机发光二极管(oled)和量子点发光二极管(qled)。oled由于具有自发光、结构简单、超轻薄、相应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示
中的主流技术。qled具有出射光颜色饱和以及波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了oled的有力竞争着。
2、传统的oled和qled器件结构一般包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，发光二极管的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
3、现有的发光二极管中，存在电子传输层的电子迁移率要远大于空穴传输层的空穴迁移率的现象，导致注入到发光层的电子数量大于空穴的数量，而发光层中多余的电子会迁移到空穴传输层中，从而导致漏电流的产生。然而，现有的发光二极管的空穴传输层一般采用有机物比如tfb等，这类材料的吸电子性较差，容易老化，导致发光二极管的寿命较短。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种发光二极管，旨在改善现有的发光二极管寿命短的问题。
2、本申请实施例是这样实现的，一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料及抗氧化剂，所
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的材料由所述空穴传输材料、所述受阻酚类抗氧化剂及所述硫代酯类抗氧化剂组成。
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输材料与所述抗氧化剂的质量比为(5～10)：1；和/或
5、所述受阻酚类抗氧化剂与所述硫代酯类抗氧化剂的质量比为1：(0.1～1)。
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述受阻酚类抗氧化剂选自酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂选自二[3-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-5-甲基苯丙酸]三聚乙二醇、2,6-二叔丁基对甲酚、2,4,6-三叔丁基苯酚、(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸异辛醇酯、n,n'-(己烷-1,6-二基)双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酰胺]、四[β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯及β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸十八醇酯中的至少一种。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述硫代酯类抗氧化剂选自二[3,5-二-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-]苯丙酸硫杂二甘醇酯、3,3’-硫代二丙酸二月桂酯、3,3-硫代双丙酸二(十四烷醇)酯及硫代二丙酸双十二烷酯中的至少一种。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光二极管还包括位于所述空穴传输层与所述发光层之间的界面层，所述界面层的材料包括金属螯合剂。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属螯合剂选自黄原酸酯类螯合剂，所述黄原酸酯类螯合剂选自二硫代正丁基黄原酸酯、二硫代异丁基黄原酸酯、二硫化二乙基黄原酸酯、及二硫代碳酸s-(8-甲基-8-氮杂双环[3.2.1]辛烷-3-基)酯中的至少一种。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面层的厚度为1～3nm；和/或
12、所述界面层为金属螯合剂单分子层。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输材料选自聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]、n,n′-双(1-奈基)-n,n′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二咔唑-9-基苯中的至少一种；或者
14、所述阳极及所述阴极分别独立选自掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极，其中，所述掺杂金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns或zns/al/zns，所述金属单质电极的材料选自ag、al、au、pt、ca及ba中的至少一种，所述合金电极为mgag合金电极；或者
15、所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核的材料及壳的材料分别独立选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdseste、znseste、cdznseste、inp、inxs、inas、inasp、gxp、gxxs、gxsb、xln、xlp、inxsp、innp、innsb、gxxlnp、inxlnp、cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种。
16、相应的，本申请实施例还提供另一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、界面层、发光层及阴极，所述界面层的材料包括金属螯合剂。
17、可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面层的材料由所述金属螯合剂组成。
18、可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属螯合剂选自黄原酸酯类螯合剂，所述黄原酸酯类螯合剂选自二硫代正丁基黄原酸酯、二硫代异丁基黄原酸酯、二硫化二乙基黄原酸酯本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，其特征在于：所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料及抗氧化剂，所述抗氧化剂包括受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层的材料由所述空穴传输材料、所述受阻酚类抗氧化剂及所述硫代酯类抗氧化剂组成。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述受阻酚类抗氧化剂选自酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂选自二[3-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-5-甲基苯丙酸]三聚乙二醇、2,6-二叔丁基对甲酚、2,4,6-三叔丁基苯酚、(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸异辛醇酯、N,N'-(己烷-1,6-二基)双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酰胺]、四[β-(3,5-二叔丁基-
6.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述硫代酯类抗氧化剂选自二[3,5-二-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-]苯丙酸硫杂二甘醇酯、3,3’-硫代二丙酸二月桂酯、3,3-硫代双丙酸二(十四烷醇)酯及硫代二丙酸双十二烷酯中的至少一种。
7.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括位于所述空穴传输层与所述发光层之间的界面层，所述界面层的材料包括金属螯合剂。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述金属螯合剂选自黄原酸酯类螯合剂，所述黄原酸酯类螯合剂选自二硫代正丁基黄原酸酯、二硫代异丁基黄原酸酯、二硫化二乙基黄原酸酯、及二硫代碳酸S-(8-甲基-8-氮杂双环[3.2.1]辛烷-3-基)酯中的至少一种。
9.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：
10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
11.一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、界面层、发光层及阴极，其特征在于：所述界面层的材料包括金属螯合剂。
12.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述界面层的材料由所述金属螯合剂组成。
13.如权利要求11或12所述的发光二极管，其特征在于：所述金属螯合剂选自黄原酸酯类螯合剂，所述黄原酸酯类螯合剂选自二硫代正丁基黄原酸酯、二硫代异丁基黄原酸酯、二硫化二乙基黄原酸酯、及二硫代碳酸S-(8-甲基-8-氮杂双环[3.2.1]辛烷-3-基)酯中的至少一种。
14.如权利要求11或12所述的发光二极管，其特征在于：
15.如权利要求11或12所述的发光二极管，其特征在于：
16.一种显示装置，其特征在于：所述显示装置包括权利要求1～10任意一项所述的发光二极管，或者，所述显示装置包括权利要求11～15任意一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，其特征在于：所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料及抗氧化剂，所述抗氧化剂包括受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层的材料由所述空穴传输材料、所述受阻酚类抗氧化剂及所述硫代酯类抗氧化剂组成。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述受阻酚类抗氧化剂选自酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂选自二[3-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-5-甲基苯丙酸]三聚乙二醇、2,6-二叔丁基对甲酚、2,4,6-三叔丁基苯酚、(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸异辛醇酯、n,n'-(己烷-1,6-二基)双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酰胺]、四[β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯及β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸十八醇酯中的至少一种。
6.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述硫代酯类抗氧化剂选自二[3,5-二-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-]苯丙酸硫杂二甘醇酯、3,3’-硫代二丙酸二月桂酯、3,3-硫代双丙酸二(十四烷醇)酯及硫代二丙酸双十二烷酯中的至少一种。
【专利技术属性】
技术研发人员：袁密，芦子哲，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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