【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体封装。
技术介绍
1、安装在电子设备上的半导体器件需要小型化，并且需要具有高性能和大容量。为了其实现，正在开发用于使用贯通电极(例如，硅通孔)将在竖直方向上堆叠的半导体芯片互连的半导体封装。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种简化了工艺的半导体封装。
2、根据示例实施例，一种半导体封装包括：衬底，包括：第一再分布构件，包括彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括第一再分布层；互连芯片，在第二表面下方，并且包括电连接到第一再分布层的互连电路；过孔结构，设置在互连芯片周围，并且电连接到第一再分布层；密封物，填充第二表面与互连芯片和过孔结构之间的空间；第一柱，延伸穿过密封物，以将第一再分布层和互连电路电连接；第二柱，延伸穿过密封物，以将第一再分布层和过孔结构电连接；以及连接凸块，在互连芯片和过孔结构下方；以及第一芯片结构和第二芯片结构，在第一再分布构件的第一表面上，并且电连接到第一再分布层。第一柱和第二柱具有不同的形状。
3、根据示例实施例，一种半导体封装包括：衬底，包括：第一再分布构件，包括彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括第一再分布层；互连芯片，在第二表面下方，并且包括电连接到第一再分布层的互连电路；过孔结构，设置在互连芯片周围，并且电连接到第一再分布层；密封物，在第一再分布构件的第二表面与互连芯片和过孔结构之间；第一柱，穿过密封物，以将第一再分布层和互连电路电连接；第二柱，穿过密封物，以将第一再分布层和过孔结构电连接；以及连
4、根据示例实施例，一种半导体封装包括：第一再分布构件，包括彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括第一再分布层；互连芯片，在第一再分布构件的第二表面下方，并且包括电连接到第一再分布层的互连电路；过孔结构，设置在互连芯片周围，并且电连接到第一再分布层；密封物，包括设置在第一再分布构件的第二表面与互连芯片和过孔结构之间的第一部分、以及设置在互连芯片的侧表面上的第二部分；第一柱，延伸穿过密封物的第一部分，并且将第一再分布层和互连电路电连接；第二柱，延伸穿过密封物的第一部分，并将第一再分布层和过孔结构电连接，并且具有宽度在从第一再分布构件的第二表面朝向过孔结构的方向上减小的锥形形状；第二再分布构件，在互连芯片和过孔结构下方，并且包括电连接到过孔结构的第二再分布层；连接凸块，在第二再分布构件下方，并且电连接到第二再分布层；以及第一芯片结构和第二芯片结构，在第一再分布构件的第一表面上，并且电连接到第一再分布层。
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1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一柱具有邻近所述第一再分布构件的所述第二表面的上部宽度和邻近所述互连芯片的下部宽度基本上相同的形状。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二柱具有宽度在从所述第一再分布构件的所述第二表面朝向所述过孔结构的方向上减小的锥形形状。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二柱的与所述第一再分布构件的所述第二表面接触的上表面的宽度大于所述第一柱的与所述第一再分布构件的所述第二表面接触的上表面的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一再分布构件还包括介电层和再分布过孔，所述再分布过孔延伸穿过所述介电层，并且将所述第一再分布层连接到所述第一柱和所述第二柱。
6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述第二柱的宽度大于所述再分布过孔的宽度。
7.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述介电层包括光敏树脂。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一芯片结构和所述第二芯片结构通过所述互连
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一再分布构件包括第一焊盘结构和第二焊盘结构，所述第一焊盘结构在所述第一再分布构件的所述第一表面上，并且通过所述第一再分布层电连接到所述互连电路，所述第二焊盘结构在所述第一再分布构件的所述第一表面上，并且通过所述第一再分布层电连接到所述过孔结构，
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第一焊盘结构中的相邻的第一焊盘结构之间的第一间隔小于所述第二焊盘结构中的相邻的第二焊盘结构之间的第二间隔。
11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，所述第一间隔在10μm至60μm的范围内，并且
12.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第一焊盘结构的宽度与所述第二焊盘结构的宽度基本上相同。
13.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述衬底还包括第二再分布构件，所述第二再分布构件设置在所述连接凸块、所述互连芯片和所述过孔结构之间，并且所述第二再分布构件包括将所述过孔结构电连接到所述连接凸块的第二再分布层。
14.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述衬底还包括连接构件，所述连接构件包括所述过孔结构和在所述过孔结构的侧表面上的绝缘层，并且所述连接构件包括接纳所述互连芯片的通孔。
15.一种半导体封装，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，在与所述第一再分布构件的所述第二表面垂直的方向上，所述第二柱的高度小于所述第一柱的高度。
17.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述第一柱的上表面与所述第二柱的上表面基本上共面。
18.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述第二柱的上表面的宽度大于所述第一柱的上表面的宽度。
19.一种半导体封装，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体封装，其中，所述第一再分布构件还包括将所述第一再分布层连接到所述第一柱和所述第二柱的再分布过孔，并且
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一柱具有邻近所述第一再分布构件的所述第二表面的上部宽度和邻近所述互连芯片的下部宽度基本上相同的形状。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二柱具有宽度在从所述第一再分布构件的所述第二表面朝向所述过孔结构的方向上减小的锥形形状。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二柱的与所述第一再分布构件的所述第二表面接触的上表面的宽度大于所述第一柱的与所述第一再分布构件的所述第二表面接触的上表面的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一再分布构件还包括介电层和再分布过孔，所述再分布过孔延伸穿过所述介电层，并且将所述第一再分布层连接到所述第一柱和所述第二柱。
6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述第二柱的宽度大于所述再分布过孔的宽度。
7.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述介电层包括光敏树脂。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一芯片结构和所述第二芯片结构通过所述互连电路彼此电连接。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一再分布构件包括第一焊盘结构和第二焊盘结构，所述第一焊盘结构在所述第一再分布构件的所述第一表面上，并且通过所述第一再分布层电连接到所述互连电路，所述第二焊盘结构在所述第一再分布构件的所述第一表面上，并且通过所述第一再分布层电连接到所述过孔结构，
10.根据权利要求9所述的半导体封装，...
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